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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有多个沟道层的非易失性存储器件-CN201911017190.7有效
发明人： 刘香根;宋姝璃;李世昊;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个沟道层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；单元电极结构，其设置在衬底上并包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极层；沟槽，其穿过衬底上的单元电极结构；电荷储存结构，其设置在沟槽的侧壁表面上；和沟道结构，其相邻于电荷储存结构设置并沿平行于侧壁表面的方向延伸。沟道结构包括单独的空穴传导层和相邻的且单独的电子传导层。设置在控制电介质层上的控制沟道层是电子传导层的一部分，该控制沟道层被配置为电连接到沟道结构和电荷储存结构。控制电介质层和电荷阻挡层是分立的，但是从控制沟道结构到电荷储存结构是连续的。
具有沟道非易失性存储器

[发明专利]铁电存储器件及其制造方法-CN201810768711.1有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：本发明公开了根据一个实施例的一种铁电存储器件以及制造铁电存储器件的方法。在该方法中，准备衬底。在衬底上形成界面绝缘层。在界面绝缘层上形成铁电材料层。在铁电材料层上形成包含第一金属元素的界面氧化物层。在界面氧化物层上形成包含第二金属元素的栅电极层。使铁电材料层和界面氧化物层经受结晶化热处理，以形成铁电层和铁电界面层。界面氧化物层与栅电极层反应，使得铁电界面层包含第一金属元素和第二金属元素。
存储器件及其制造方法

[发明专利]垂直存储器件及其制造方法-CN201910979076.6有效
发明人：李在吉;宋姝璃;刘香根;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：本申请提供一种垂直存储器件及其制造方法。根据一个方面的垂直存储器件包括衬底，设置在衬底上的第一栅电极结构以及在基本上垂直于衬底的第一方向上与第一栅电极结构间隔开的第二栅电极结构，设置在第一栅电极结构与第二栅电极结构之间的沟道接触电极层，以及沿第一方向延伸并与沟道接触电极层以及第一栅电极结构和第二栅电极结构接触的沟道层。
垂直存储器件及其制造方法

[发明专利]操作铁电器件的方法-CN201810790842.X有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：在一种操作铁电器件的方法中，提供包括依次设置的第一电极层、铁电层和第二电极层的铁电器件。将第一剩余极化写入铁电层中。将操作电压施加在第一电极层与第二电极层之间，以将具有与第一剩余极化的极化值不同的极化值的第二剩余极化写入铁电层中。操作电压的幅值在电压施加时间段内变化且在设定的电压范围内变化。
操作器件方法

[发明专利]铁电存储器件及其制造方法-CN201810752120.5有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器件以及其制造方法。根据本公开的一个实施例的铁电存储器件包括：衬底；铁电材料层，其设置在衬底上；栅电极层，其设置在铁电材料层上；以及极化切换晶种层，其设置在铁电材料层与栅电极层之间。
存储器件及其制造方法

[发明专利]包括铁电层的半导体器件及其制造方法-CN201810528514.2有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：半导体器件包括：叠层结构，其具有交替地层叠在衬底上的多个层间绝缘层和多个栅电极层；铁电绝缘层和沟道层，它们顺序层叠在穿透叠层结构的沟槽的侧壁上；以及覆盖氧化物图案，其设置在铁电绝缘层与多个层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。覆盖氧化物图案和铁电绝缘层包括相同的金属氧化物材料。
包括铁电层半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有铁电层的半导体器件及其制造方法-CN201810536313.7有效
发明人： 刘香根;金重植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：在根据本公开的实施例的半导体器件的制造方法中，在衬底上形成包括交替层叠的层间绝缘层和层间牺牲层的层叠结构。在衬底上形成穿过层叠结构的沟槽。在沟槽的侧壁上形成晶体状衬垫绝缘层。在晶体状衬垫绝缘层上形成铁电绝缘层和沟道层。选择性地去除层间牺牲层和晶体状衬垫绝缘层，以形成选择性地暴露铁电绝缘层的凹部。用导电层填充凹部以形成电极层。
具有铁电层半导体器件及其制造方法

[发明专利]铁电器件及其制造方法-CN201811365456.2有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电器件及其制造方法。在制造铁电器件的方法中，提供衬底。在衬底之上形成铁电材料膜。在铁电材料膜之上形成结晶化晶种膜。利用结晶化晶种膜对铁电材料膜热处理，以将铁电材料膜转变为结晶铁电膜。去除结晶化晶种膜以暴露结晶铁电膜。在铁电膜之上形成电极膜。
器件及其制造方法

[发明专利]铁电半导体器件-CN201910067461.3有效
发明人： 刘香根;崔容寿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电半导体器件。本公开的铁电半导体器件包括：衬底；铁电层，其被设置在所述衬底上；电场控制层，其被设置在所述铁电层上并具有用来改变所述铁电层的矫顽电场的幅值的、在不施加外部电力的情况下形成的预定的内部电场；以及栅电极层，其被设置在所述电场控制层上。
半导体器件

[发明专利]铁电存储器件-CN201810768515.4有效
发明人： 刘香根;金重植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一种铁电存储器件，包括：衬底、设置在衬底上的界面绝缘层、设置在界面绝缘层上的再结合诱导层、设置在再结合诱导层上的铁电层以及设置在铁电层上的栅电极。再结合诱导层包括包含用作多数载流子的空穴的材料。
存储器件

[发明专利]铁电存储器件的制造方法-CN201810762994.9有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：提供了一种制造铁电存储器件的方法。该方法包括：准备衬底；在衬底上形成界面绝缘层；在界面绝缘层上形成铁电层；将表面处理工艺应用于铁电层，以在铁电层中形成氧空位区；在铁电层上形成栅电极层；以及使铁电层退火以使铁电层结晶。
存储器件制造方法

[发明专利]铁电存储器件-CN201810752564.9有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：根据实施例的一种铁电存储器件包括衬底、顺序地堆叠在所述衬底上的铁电层和栅电极层以及至少设置在所述衬底和所述铁电层之间或在所述铁电层和所述栅电极层之间的氧空位阻挡层。所述氧空位阻挡层包括具有满足化学计量比的化学式单元组分的金属氧化物。
存储器件

[发明专利]包含铁电层的三维结构的半导体器件-CN202110011497.7在审
发明人：李在吉;李建泳;刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含铁电层的三维结构的半导体器件。根据本公开实施例的半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括孔图案，该孔图案包括在垂直于衬底的表面的方向上延伸的中心轴线。栅极结构包括沿着中心轴线交替地层叠的栅电极层与层间绝缘层。该半导体器件包括：铁电层，其在孔图案内与栅电极层的侧壁表面相邻地设置；以及沟道层，其在孔图案内与铁电层相邻地设置。在这种情况下，栅电极层和层间绝缘层中的一个相对于栅电极层和层间绝缘层中的另一个朝向孔图案的中心轴线突出。
包含铁电层三维结构半导体器件

[发明专利]铁电组件和包括该铁电组件的交叉点阵列器件-CN202110024929.8在审
发明人：李在吉;刘香根;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本发明涉及铁电组件和包括该铁电组件的交叉点阵列器件。一种铁电组件包括：第一电极；隧道阻挡层，其设置在第一电极上而包括铁电材料；隧穿控制层，其设置在隧道阻挡层上以控制穿过所述隧道阻挡层的电荷的隧穿宽度；以及第二电极，其设置在所述隧穿控制层上。
组件包括交叉点阵列器件

[发明专利]铁电存储器件-CN201810584953.5有效
发明人： 刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种铁电存储器件包括：衬底；以及顺序层叠在衬底的表面上的铁电层、可变电阻存储层和栅电极。铁电层根据可变电阻存储层的电阻状态而具有多个不同剩余极化值中的任意一个。
存储器件

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