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- [发明专利]一种半导体激光器-CN202310936483.5在审
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张江勇;王星河;陈婉君;刘紫涵;蔡鑫;胡志勇;请求不公布姓名
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-07-28
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2023-10-20
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H01S5/30
- 本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层与下波导层之间从下至上依次设置有第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层和第三子载流子匹配层，所述上波导层与上限制层之间设置有第四子载流子匹配层，所述第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层、第三子载流子匹配层和第四子载流子匹配层组成载流子匹配层。本发明能够提升有源层中电子和空穴载流子的浓度匹配度和对称性，降低电子泄漏和载流子去局域化，同时，降低激光器价带带阶，提升空穴注入效率，提升载流子注入均匀性和激光增益均匀性，从而提升激光器的斜率效率、光功率、外量子效率和限制因子。
- 一种半导体激光器
- [发明专利]一种半导体激光元件-CN202310631210.X在审
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李水清;王星河;陈婉君;张会康;黄军;胡志勇;蔡鑫;刘紫涵
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-05-31
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2023-09-19
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H01S5/34
- 本发明提供了一种半导体激光元件，包括从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层；所述上波导层与电子阻挡层之间设置有拓扑狄拉克电子点层，以及所述电子阻挡层与上限制层之间设置有拓扑狄拉克电子点层。所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为3≥m≥1；阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN的任意一种或任意组合，厚度为10～80埃米；垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN的任意一种或任意组合，厚度为10～120埃米。本发明提供的一种半导体激光元件，通过设置的拓扑狄拉克电子点层的笼目晶格结构可产生电子与电子间的非局域效应，抑制电荷密度波和量子限制斯塔克Stark效应。
- 一种半导体激光元件
- [发明专利]一种安全可调式切削机-CN201710872891.3有效
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刘紫涵
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湖南君旺机械设备有限公司
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2017-09-25
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2023-09-08
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B26D1/02
- 本发明涉及厨房设备技术领域，特别涉及一种安全可调式切削机；本发明包括机架、升降装置和旋转装置；机架上设置有套筒，套筒上连接有切削板，切削板上设置有若干个切削刀片，切削板上连接有第一套管；旋转装置带动套接在第一套管上的第一压板旋转；升降装置使旋转装置和第一套管进行升降运动；本发明利用升降装置使旋转装置和第一套管进行升降运动，使第一压板将需要切的食材压在切削板上，旋转装置带动第一压板旋转，利用切削板上的切削刀片对食材进行切削；本发明操作方便安全、切削速度且切削均匀。
- 一种安全调式切削机
- [发明专利]一种半导体发光元件-CN202310703498.7在审
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李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;张江勇;刘紫涵;陈婉君
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-06-14
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2023-09-01
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H01L33/06
- 本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括从下到上依次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、电子尖峰层、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，其特征在于，浅量子阱的禁带宽度大于量子阱的禁带宽度；电子尖峰层的Si掺杂浓度大于量子阱的Si掺杂浓度；电子尖峰层的Si掺杂浓度呈倒V型曲线或倒U型曲线分布。采用本发明实施例，通过对浅量子阱与量子阱之间的禁带宽度、电子尖峰层的Si掺杂浓度及其分布趋势的设计，使浅量子阱、电子尖峰层和量子阱形成量子自旋轨道光耦合结构，从而降低量子阱的极化效应和Stark效应，提升空穴注入效率、增强量子阱中电子空穴辐合效率、提升量子阱的光提取效率和半导体发光元件的发光效率。
- 一种半导体发光元件
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