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[发明专利]异形卡自动化激光标记设备-CN201410033336.8有效
发明人： 刘林杰 -专利权人：无锡博凌激光技术有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： B41J2/435 文献下载
摘要：本发明应用于在特殊材料上做标记，涉及智能芯片领域，尤其涉及异形卡芯片检测及在表面上进行芯片号标记，目的是提供一种能自动甄别成品卡和不合格卡，并且能进行数据保存的异形卡自动化激光标记设备，其结构包括激光设备、上下料装置和计算机，所述激光设备和自动上下料装置设置在矩形底架上，计算机控制上下料装置将工件输送到激光设备的工作区域内，激光设备对工件进行信息读取和激光标记，随后将信息输出至计算机，由计算机控制自动上下料装置把卡片输送到指定位置。本发明能实现工件甄别与标记的自动化操作，降低了人工成本，提高了生产效率。
异形自动化激光标记设备

[发明专利]苯在码头装船过程中产生的气体的回收方法-CN201310523008.1无效
发明人：张健中;张晓萌;李俊杰;单晓雯;宫中昊;周金广;刘林杰 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种苯在码头装船过程中产生的气体的回收方法，主要解决现有技术中苯在码头装船过程中产生的挥发性气体无法回收的问题。本发明通过采用一种苯在码头装船过程中产生的气体的回收方法，包括如下步骤：（a）将各码头在苯装船过程中挥发的气体由风机（1）进行汇集后，进入凝液罐（2），液体进入储罐（15），气体进入吸附罐（4）吸附，尾气排入大气；（b）当吸附罐（4）饱和后，开始脱附操作，对吸附剂进行再生；（c）脱附出的物质进入换热器（9）冷却后进入中间储罐（12），中间储罐（12）内的气相返回吸附罐（4），液相输送至储罐（15）的技术方案较好地解决了上述问题，可用于回收液态苯码头装船过程中产生的苯蒸汽中。
码头装船过程产生气体回收方法

[实用新型]一种智能卡芯片检测系统-CN201320405520.1有效
发明人： 刘林杰;方带兵 -专利权人：无锡博凌激光技术有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种智能卡芯片检测系统，其包括计算机控制装置、继电器控制装置、芯片检测装置及读卡器，所述芯片检测装置包括若干组天线。所述计算机控制装置与继电器控制装置电性连接，所述继电器控制装置与芯片检测装置电性连接，所述芯片检测装置与读卡器电性连接，所述读卡器与计算机控制装置电性连接。本实用新型具有如下优点：一、不仅可识别芯片的好坏，还可检测芯片序列号。二、可识别芯片的类型，对芯片进行分类。三、可对检测出的芯片信息进行数据保存，方便对产品进行数据追溯和产品跟踪。
一种智能卡芯片检测系统

[发明专利]一种智能卡芯片检测系统-CN201310285647.9在审
发明人： 刘林杰;方带兵 -专利权人：无锡博凌激光技术有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种智能卡芯片检测系统，其包括计算机控制装置、继电器控制装置、芯片检测装置及读卡器，所述芯片检测装置包括若干组天线。所述计算机控制装置与继电器控制装置电性连接，所述继电器控制装置与芯片检测装置电性连接，所述芯片检测装置与读卡器电性连接，所述读卡器与计算机控制装置电性连接。本发明具有如下优点：一、不仅可识别芯片的好坏，还可检测芯片序列号。二、可识别芯片的类型，对芯片进行分类。三、可对检测出的芯片信息进行数据保存，方便对产品进行数据追溯和产品跟踪。
一种智能卡芯片检测系统

[发明专利]基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法-CN201210017883.8有效
发明人：张苗;陈达;刘林杰;狄增峰;薛忠营 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和/或Si以修复表面，再形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGex/Si的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGex/Si材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。
基于量子结构制备 sgoi ssoi 方法

[发明专利]一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构-CN201110325364.3有效
发明人：张苗;刘林杰;狄增峰;薛忠营;陈达;卞建涛;姜海涛;高晓强 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在GaAs衬底上的临界厚度，使Ge层的厚度不超过其生长在InxGa1-xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；接着，对样品进行氦离子或氢离子注入，并使离子的峰值分布在所述InxGa1-xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10nm～1000nm，然后对样品进行快速热退火以得到弛豫的InxGa1-xAs层和张应变Ge薄膜；依据InxGa1-xAs层的弛豫度得出InyGa1-yAs中In组分y，并在Ge层上外延出InyGa1-yAs层以减少样品中的缺陷密度，最后在InyGa1-yAs层上再外延顶层Ge薄膜，并使顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InyGa1-yAs层上的临界厚度，以制备出直接带隙Ge薄膜。
一种直接 ge 薄膜制备方法层叠结构

[发明专利]一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构-CN201110324589.7有效
发明人：张苗;刘林杰;狄增峰;高晓强;陈达;薛忠营;姜海涛;卞建涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1-xAs层中In组分x为0﹤x≤1，并使所述InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在所述GaAs衬底上的临界厚度，使所述顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InxGa1-xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；其次，对所述样品进行氦离子或氢离子注入，并使氦离子或氢离子的峰值分布在所述InxGa1-xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10～1000nm；最后对所述样品进行快速热退火，退火后得到弛豫的InxGa1-xAs层和张应变Ge薄膜，进而达到了用低成本制备出具有张应变、高迁移率Ge薄膜，并能减小InxGa1-xAs缓冲层的厚度、降低其穿透位错密度的目的。
一种应变 ge 薄膜制备方法层叠结构

[发明专利]一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法-CN201110324587.8有效
发明人：张苗;刘林杰;卞建涛;陈达;姜海涛;薛忠营;狄增峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及顶Si1-xGex层，其中Ge组分x为0﹤x≤0.5，并使Si1-xGex层的厚度不超过其生长在Si外延层上的临界厚度；然后对样品进行氦离子注入及氢离子，并使离子的峰值分布在中间薄层，经退火后使顶Si1-xGex层弛豫；最后将样品与支撑衬底键合，并依次进行预键合、剥离、以及加强键合作业，最后经选择性腐蚀去除残余的中间薄层及Si外延层，实现材料的层转移，本发明由于两次注入的离子都分布在薄层处，形成氢氦共注，有效降低剥离所需注入剂量，进而达到了提高生产效率和降低生产成本的目的。
一种制备半导体应变材料转移方法

[发明专利]一种处理低流量、低浓度有机废气的吸附器-CN201210404980.2无效
发明人：李俊杰;张晓萌;许光;刘林杰;单晓雯;周金广 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理低流量、低浓度有机废气的吸附器，为塑料材质的圆柱形容器，底部与顶部各开有一个可与管道相接的DN100接口，底部接口为气体进入口，顶部接口为气体排放口，所述吸附器内装填75公斤专用活性碳。底部接口通过管道连接在排气管道的阻火器后端，管道上依次设置有止回阀和真空安全阀。本发明可以有效处理油品储罐小呼吸，反应器排放气，气液分离器，油泥罐气体清理，化工厂废液储罐，实验室排放及其他气体分离等场合产生的低流量、低浓度的有机废气，降低环境污染并且操作简便，成本较低。
一种处理流量浓度有机废气吸附

[实用新型]防烧干燃气灶-CN201120400100.5有效
发明人： 刘林杰 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： F24C3/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种防止因忽视而不能及时关掉燃气灶的可报警的防烧干燃气灶。包括普通燃气灶，装有重力感受器的锅支架，燃气灶内部置有可调节的电路，外部显示为可调节旋钮。可以在使用时设定承重值即可放心使用，用技术代替我们用脑袋去记忆，用技术弥补我们易忘记的不足，不仅可以让人们放心使用，还可以让人们在做饭之余去做些其他的事。并且该燃气灶只是在原有基础上做得改进，结构简单，成本低廉，易于推广，操作简单。
防烧干燃气灶

[发明专利]一种陶瓷擀面杖及其加工工艺-CN201010122985.7无效
发明人：王安英;岳孝清;徐东昌;孟姗姗;马宁;刘林杰 -专利权人：山东硅元新型材料有限责任公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： A21C3/02 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料制品领域，尤其涉及一种陶瓷擀面杖。本发明还涉及一种陶瓷擀面杖的加工工艺。本发明中采用预先在成型模具内嵌入实体的工艺，在石膏模具内插入不吸水的圆柱状实体，因其不吸水，从而使产品一端形成一插孔，孔深1-6厘米，采用插烧工艺，保证了产品表面的全面施釉。该陶瓷擀面杖既环保，又卫生，且强度高，能够满足高档次要求，而且使用时省力；采用本发明所述的加工工艺，采用预先在成型模具内嵌入实体的工艺，从而使产品一端形成一插孔，采用插烧工艺，避免了产品烧成时的变形，同时也保证了产品表面的全面施釉。
一种陶瓷擀面杖及其加工工艺

[发明专利]日用双层陶瓷碗及其制备方法-CN201010551262.9无效
发明人：王安英;岳孝清;徐东昌;马宁;孟姗姗;刘林杰 -专利权人：山东硅元新型材料有限责任公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： A47G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种日用双层陶瓷碗技术，属于陶瓷材料制品领域，有陶瓷碗体，其特征在于碗体有内外两层，两层的上边缘合在一起，碗体的外底部设有支撑脚，碗体为工业瓷，制备方法包括配料、成型和烧成，其特征在于成型采用注浆成型方法，外底部单独成型，采用粘合方式与碗体结合。日用双层陶瓷碗保温、不烫手，而且强度高，便于运输，使用寿命长，又方便装饰，健康环保，产品档次高；制备方法科学合理、简单易行。
日用双层陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种陶瓷擀面杖-CN201020129598.1无效
发明人：王安英;岳孝清;徐东昌;孟姗姗;马宁;刘林杰 -专利权人：山东硅元新型材料有限责任公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： A21C3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种陶瓷擀面杖，属于日用厨具和陶瓷产品领域。其技术方案为：一种陶瓷擀面杖，它包括陶瓷擀面杖本体，擀面杖本体外表面附着有陶瓷釉层。陶瓷擀面杖强度高，耐磨性好，经久耐用，使用时省时省力，环保卫生，清洗方便，高雅美观，具有良好的可装饰性能，能够满足高档次生活的要求。
一种陶瓷擀面杖

[发明专利]油库用油气回收效果的测试装置-CN200910018257.9有效
发明人：牟善军;姜春明;张卫华;李玉明;李俊杰;单晓雯;吴锋棒;刘林杰 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G01F23/22 文献下载
摘要：一种油库用油气回收效果的测试装置，其特征是有一个测试中转油罐，它的底部和能与配用装置的吸收塔上部连通的管路连通，能与配用装置的油罐出口连通的管路与测试油泵的入口连通，测试油泵的出口与测试中转油罐的底部连通；能与油罐出口连通的管路还和能与吸收塔上部连通的管路连通；能与吸收塔下部连通的管路与测试中转油罐的顶部连通，还通过电动阀门和一能与油罐入口连通的管路连通，还和上述能与吸收塔上部连通的管路连通；测试中转油罐内装有磁致液位计和防绕流网，还装有三个限位开关。本装置能够精确的测量出装车过程中被油气回收装置回收的汽油量，很好的计算出油库油气回收装置的经济效益，与油库油气回收装置配套使用。
油库油气回收效果测试装置

[发明专利]一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法-CN200810017836.7无效
发明人：张进城;董作典;郝跃;郑鹏天;秦雪雪;刘林杰;王冲;冯倩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法，它属于微电子技术领域。其目的在于采用该方法，可以避免传统器件隔离工艺中对材料的损伤。该方法是这样实现的：以选择性外延生长GaN基材料为核心，在蓝宝石衬底或SiC衬底上先淀积隔离介质薄膜，根据设计掩膜对隔离介质薄膜进行选择性刻蚀，去掉介质膜露出衬底表面的区域即窗口区为器件的有源区，有源区以外保留隔离介质薄膜。然后采用MOCVD技术继续进行GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构生长，只在窗口区生长出AlGaN/GaN异质结构，介质薄膜区表面只有GaN和AlGaN多晶颗粒，这样就形成了有源区绝缘隔离，即器件隔离和材料生长是同时完成的。本发明可用于制作高性能的异质结构器件和大功率器件等。
一种 a1gan gan hemt 器件隔离方法