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[发明专利]一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法-CN201811381345.0有效
发明人：杨成樾;周正东;罗烨辉;陈宏;白云;李诚瞻;刘国友;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所;株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括：提供具有不同面积的多个SiC衬底，所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层；分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I‑V特性，得到每个SiC衬底的I‑V测试曲线；根据所述I‑V测试曲线拟合求出每个SiC衬底的总电阻R(S)，所述总电阻R(S)与所述SiC衬底的面积S相关；以及根据所述多个SiC衬底的总电阻R(S)和面积S推导计算所述接触金属层与所述SiC衬底之间的比接触电阻率ρc。本发明可以减少工艺步骤，降低工艺成本。
一种测量 sic 衬底背面欧姆接触电阻率方法

[发明专利]具有复合栅的IGBT芯片-CN201810149376.7有效
发明人： 刘国友;朱春林;朱利恒 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合栅的IGBT芯片，包括晶圆基片以及形成在晶圆基片上的若干个依次排列的元胞，元胞包括两个轴对称的复合栅单元；复合栅单元包括设置于晶圆基片上的源极区和栅极区，栅极区包括设置于源极区两侧的平面栅极区和沟槽栅极区；沟槽栅极区包括沟槽栅和辅助子区。本发明提供的具有复合栅的IGBT芯片，通过将平面栅极和沟槽栅极复合于同一元胞，从而大幅度提升芯片密度并保留沟槽栅低通耗，高电流密度和平面栅宽安全工作区的特性。
具有复合 igbt 芯片

[发明专利]一种功率半导体模块及其自保护方法-CN201610216853.8有效
发明人： 刘国友;覃荣震;黄建伟;吴义伯;余伟;戴小平 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块及其自保护方法，在第一金属化区与第二金属化区之间，或功率半导体芯片的发射极母排与集电极母排之间的功能单元。当功率半导体模块正常工作时，电流从集电极母排经第二金属化区流至功率半导体芯片，再经第一金属化区流至发射极母排。当功率半导体芯片工作时的发热使得功率半导体模块的内部上升至一定温度时，从集电极母排流过的电流通过功能单元直接流至发射极母排，而不再流过功率半导体芯片。本发明描述的功率半导体模块及其自保护方法无需外围控制电路参与，具有超温度自动保护功能，能够有效地保护功率半导体芯片因为过热而失效，同时降低了控制电路的复杂性，提高了系统工作的可靠性。
一种功率半导体模块及其保护方法

[发明专利]新型U型槽IGBT及其制作方法-CN201610280931.0有效
发明人： 刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种新型U型槽IGBT及其制作方法，其中，IGBT包括：半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区和位于第一基区与第二基区之间的U型槽，U型槽底部位于半导体衬底内，U型槽内表面覆盖有氧化层，且氧化层覆盖范围从U型槽内表面延伸至部分第一源区和部分第二源区，氧化层上覆盖有多晶硅层，且多晶硅层填满U型槽。上述IGBT结构，能更多的引入载流子，并且这种结构仅在导通时才引入大量的非平衡载流子，因此不会降低IGBT的击穿电压，能够明显的改善IGBT的导通电流密度与击穿电压之间的折中关系。
新型型槽 igbt 及其制作方法

[发明专利]沟槽台阶栅IGBT芯片的制作方法-CN201810426659.1有效
发明人：朱春林;罗海辉;刘国友;戴小平;肖强;覃荣震 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽台阶栅IGBT芯片的制作方法，包括：在晶圆基片的上表面形成第一氧化层；将N型杂质注入到晶圆基片中，并使其扩散第一结深形成N阱；将P型杂质注入到N阱中，并使其扩散第二结深形成P阱；对第一氧化层上的第一预设位置以及与第一预设位置下方对应的P阱、N阱以及N阱下方晶圆基片进行刻蚀，形成沟槽；去除剩余的第一氧化层，并在P阱上表面和沟槽内表面形成第一厚度的第二氧化层；刻蚀掉P阱上表面和沟槽中的预设沟槽上部内表面的第二氧化层，并在对应的位置形成第二厚度的第三氧化层；在沟槽内填充多晶硅，形成具有台阶形貌的沟槽栅极。本发明实现在提升IGBT芯片电流密度的同时还优化了芯片的电学性能和可靠性。
沟槽台阶 igbt 芯片制作方法

[实用新型]一种便于安装带有外部防护结构的环境应急检测仪-CN201921739545.9有效
发明人： 刘国友 -专利权人：四川贝克哈德环保科技有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于安装带有外部防护结构的环境应急检测仪，包括主体和连接板，所述主体的底部活动设置有支撑架，且主体的内壁底部活动安置有活动机构，所述连接板活动设置于活动机构的外壁两侧，且连接板的内壁活动安置有竖杆，所述主体的顶部设置有防护机构，且防护机构的内部活动安置有连接座，所述连接座的内部设置有限位机构，所述主体的外壁活动安置有视窗，且视窗的下方活动设置有散热板。该便于安装带有外部防护结构的环境应急检测仪设置有主体，电动推杆呈垂直状安置于底座的顶部，使得电动推杆在装置内长期运行时，可保持相应的垂直状态，提高电动推杆运行时的稳定性，防止电动推杆在工作中，出现不必要的晃动。
一种便于安装带有外部防护结构环境应急检测

[发明专利]一种高炉冶炼中的煤气控制方法-CN202010143854.0在审
发明人： 刘国友;王凯;任立军;陈建;滕召杰;陈川;甄坤泰;李宏伟 -专利权人：首钢京唐钢铁联合有限责任公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C21B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及高炉冶炼技术领域，具体涉及一种高炉冶炼中的煤气控制方法。该方法包括：将矿石中球团矿的比例提高至第一数值；根据高炉边缘温度的变化幅度或炉墙水温差温度的变化幅度，通过布料控制高炉中边缘位置的矿石量，以控制边缘位置的煤气；根据高炉中心温度的变化幅度，通过布料控制高炉中心位置的矿石量，以控制中心位置的煤气。本发明通过优化高炉边缘和中心煤气流分布，可以有效控制煤气流变化，防止高炉出现大的波动；通过上下部协同作用，保持煤气合理分布，避免球团比例提高对高炉中心的抑制，实现高炉向高比例球团冶炼的平稳过渡。
一种高炉冶炼中的煤气控制方法

[发明专利]小儿连翘苷连翘脂素及其衍生物的注射剂-CN201910034372.9有效
发明人：富力;鲁岐;惠敏;刘国友;鲁明明;王硕;柳洋;李帅 -专利权人：富力
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： A61K9/08 文献下载
摘要：本发明提供了连翘苷/连翘脂素及其衍生物的注射剂，尤其适合于小儿用药。本发明还包括该注射剂的脱水制剂以及制备方法和应用等。
小儿连翘及其衍生物注射

[发明专利]一种功率器件及其制作方法-CN201510760045.3有效
发明人： 刘国友;覃荣震;黄建伟;张泉;朱利恒;戴小平 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从上至下依次排列，P阱包围沟槽栅结构的沟槽底部。P阱在功率器件关断时通过加快N阱的载流子的耗尽降低沟槽底部的电场强度。本发明能够解决高浓度N阱所带来的器件耐压特性下降的技术问题，并且解决了P阱的常规制作工艺的成本高、工艺难度大、掺杂浓度调整范围小的技术问题，使得器件可以在高浓度N阱下依然能够保持良好的耐压特性，从而优化了器件功耗与耐压的矛盾关系。
一种功率器件及其制作方法

[发明专利]陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片-CN201811274977.7在审
发明人：宁旭斌;朱春林;戴小平;罗海辉;刘国友;伊恩·迪瓦尼 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个所述元胞包括依次排列的第一沟槽真栅、第二沟槽真栅及一个或多个沟槽陪栅，各沟槽真栅与栅极区相连，其特征在于，所述沟槽陪栅浮空设置，本发明的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题，实现了栅极电阻对IGBT开通速度(di/dt)的有效的调控,并优化了开通速度di/dt和开通损耗两者间的权衡关系。在不增加di/dt的情况下开通损耗也能得到有效的控制。
陪栅浮空型沟槽 igbt 芯片

[发明专利]用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法-CN201610808312.4有效
发明人：戴小平;齐放;吴义伯;周维;刘国友 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。
用于功率模块封装进行方法

[发明专利]一种高炉热风炉风温调节方法及装置-CN201810186547.3有效
发明人：刘文运;李洪亮;刘国友;贾国利;梁海龙;张海滨;杨晓婷;张勇;陈辉 -专利权人：首钢集团有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C21B9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高炉热风炉风温调节方法及装置，属于高风温技术领域。所述高炉热风炉风温调节方法包括以下步骤：热风炉进入送风期后，控制冷风管的冷风旁通阀将冷风输送至蓄热室，然后进入燃烧室，对热风炉进行冷风均压；均压完成后，控制与冷风旁通阀并联的冷风阀打开，当冷风阀全部打开后，调节引风管上调节阀的开度，通过引风管将冷风管内的冷风输送到燃烧器内，冷风在燃烧器加热后与燃烧室内的热风混合进入热风管；当热风管的温度到达设定值时，调节阀的开度调至最小。本发明高炉热风炉风温调节方法及装置可以降低热风管的最高温度，防止热风管道和膨胀节等处过热、漏风及烧出，并保护燃烧器，实现高炉长期高风温、低成本运行。
一种高炉热风炉调节方法装置

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201611207152.4有效
发明人：罗海辉;刘国友;肖海波;肖强;谭灿健 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件和该器件的形成方法，在形成伪栅区的所述第二沟槽内填充介质材料，取代了现有技术中伪栅结构中的栅极材料和隔离层，避免了现有技术中伪栅结构中的栅极材料、隔离层和集电极之间形成电容，进而造成所述半导体器件的输入电容变大，影响所述半导体器件的响应速度，从而提高了所述半导体器件的响应速度。
一种半导体器件及其形成方法

[外观设计]食品包装罐（黑胡椒汁）-CN201930482225.9有效
发明人： 刘国友 -专利权人：成都厨盛食品有限责任公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：食品包装罐（黑胡椒汁）。2.本外观设计产品的用途：用于包装黑胡椒汁。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
食品包装胡椒

[外观设计]食品包装罐（番茄牛肉酱）-CN201930482236.7有效
发明人： 刘国友 -专利权人：成都厨盛食品有限责任公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：食品包装罐（番茄牛肉酱）。2.本外观设计产品的用途：用于包装番茄牛肉酱。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
食品包装番茄牛肉