“刘兴昉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果73个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于碳化硅外延片的表面沉积装置-CN202310836861.2在审
发明人：文成;刘兴昉;牧青 -专利权人：江苏汉印机电科技股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅外延片的表面沉积装置，涉及沉积设备技术领域，解决不便于快速下料的技术问题，包括沉积箱，所述沉积箱内安装有放置台，所述沉积箱的顶部转动安装有盖板，所述盖板上安装有进气管，所述沉积箱上设置有下料组件和升降组件，所述下料组件包括刮板，所述沉积箱靠近盖板的一侧设置有往复单元，所述刮板通过往复单元安装在沉积箱上，所述沉积箱的一侧固定安装有下料架，所述下料架转动安装有传送带，所述沉积箱靠近传送带的一侧固定安装有接料板，所述传送带上固定安装有多个限位条，所述下料架上固定安装有第二电机；有利于缩短碳化硅外延片的生产周期，有利于提高装置的工作效率。
一种用于碳化硅外延表面沉积装置

[发明专利]一种用于加工碳化硅外延晶片的切割设备-CN202310645040.0在审
发明人：文成;刘兴昉;牧青 -专利权人：江苏汉印机电科技股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B28D1/22 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅外延晶片加工技术领域，且公开了一种用于加工碳化硅外延晶片的切割设备，包括安装架，所述安装架内固定连接有安装框，所述安装框内转动连接有翻转固定机构，所述安装框上固定连接有切割机构，该一种用于加工碳化硅外延晶片的切割设备，通过第一安装箱上的夹持机构对不同大小的碳化硅外延晶片进行夹持，随后通过切割机构、喷水机构和第二传动机构的配合对碳化硅外延晶片外延层边缘超出部分进行受力均匀的稳定切割，防止切割过程中外延层超出部分受力不均发生崩掉，导致外延层内部受到损害，造成切割失败，从而实现对不同大小的碳化硅外延晶片外延层边缘超出部分进行精准稳定的切割，提高了切割产品的合格率。
一种用于加工碳化硅外延晶片切割设备

[发明专利]电化学刻蚀装置及其刻蚀方法-CN202310305165.9在审
发明人：赵思齐;刘兴昉;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容器结构中，且刻蚀区域与容器结构中的电解质溶液接触；电源结构正极与夹具结构电连接，并且电源结构负极连接至与电解质溶液接触的阴极；其中，电解质溶液为氢氧化钾溶液和过氧化钠溶液的混合液。因此，基于本公开的上述电化学刻蚀装置，能够确保电化学刻蚀工艺的安全性更高，同时保证简单易操作，且能够在低成本以及低危险系数的情况下完成对碳化硅的高精度刻蚀。
电化学刻蚀装置及其方法

[发明专利]利用DLTS研究碳化硅MOS界面态的制样及优化方法-CN201910951973.6有效
发明人：何亚伟;闫果果;刘兴昉;申占伟;赵万顺;王雷;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种利用DLTS研究碳化硅MOS界面态的制样及优化方法，其中样品制备方法包括如下步骤：高温氧化；金属淀积；欧姆接触退火；第一版光刻形成肖特基电极开孔；第二版光刻形成肖特基结构开孔及MOS结构开孔；正面金属淀积；金属剥离。采用此方法可以解决碳化硅MOS界面态和外延层内的深能级信号叠加在一起，导致拟合分析困难的问题。本发明还涉及一种优化肖特基结构在多版套刻时特性变差的方法，解决金属剥离得到肖特基结构和MOS结构时，肖特基接触特性较差的问题。
利用 dlts 研究碳化硅 mos 界面优化方法

[发明专利]化学气相沉积设备及碳化硅外延层制备方法-CN202211664731.7在审
发明人： 刘兴昉;杨尚宇;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积设备，包括：备样室、操作室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；操作室，包括：机械手以及陷气阱，机械手适用于抓取备样室中的托盘并输运至对应的反应室；陷气阱适用于排空进入操作室的气体；反应室，包括：多个生长室以及中转室，多个生长室分别适用于提供生长相应外延层的反应空间；中转室适用于在多个生长室同时生长对应的外延层时，对多个托盘提供暂存的空间；取样室，适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，操作室配置为设置于化学气相沉积设备的中心，其他各室配置为设置于操作室的周围；操作室与其它各室之间通过阀门连接。
化学沉积设备碳化硅外延制备方法

[发明专利]碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法-CN202211664730.2在审
发明人： 刘兴昉;杨尚宇;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延设备，包括：备样室、多个中转室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；多个中转室，分别设置于备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及第二生长室与取样室之间，适用于对托盘提供暂存的空间；反应室，包括：第一生长室、第二生长室以及第三生长室；第一生长室适用于提供生长缓冲层的反应空间；第二生长室适用于提供生长N型外延层的反应空间；第三生长室适用于提供生长P型外延层的反应空间；取样室适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，各室均配置有气垫导轨，气垫导轨上设置有多个自动气垫机构；并且相邻两室之间通过阀门连接。
碳化硅外延设备制备方法

[发明专利]一种宽禁带功率半导体器件及制备方法-CN202011264915.5有效
发明人：申占伟;刘兴昉;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种宽禁带功率半导体器件及制备方法，包括：半导体基片，基片中形成p型掺杂层(40)、n+源区层(50)和p+基区层(60)，在一个元胞范围内p型掺杂层(40)左右分布不对称，n+源区层(50)和p+基区层(60)紧邻；栅电极接触(90)，其底部不超过p型掺杂层(40)的底部，其右侧壁与p型掺杂层(40)的边界紧邻，其左侧壁与p型掺杂层(40)的边界具有间隙，其与基片之间通过栅氧化层(80)隔开；钝化层(100)、源电极金属接触(110)、漏电接触(120)。本发明提供的宽禁带功率半导体器件在一个元胞内包括积累型沟道和反型沟道两种类型，具有很好的导通性能和栅氧化物可靠性。
一种宽禁带功率半导体器件制备方法

[发明专利]MOS器件的制备方法及MOS器件-CN202011029074.X有效
发明人：申占伟;刘兴昉;赵万顺;王雷;闫果果;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供一种MOS器件的制备方法和MOS器件，该MOS器件包括宽禁带半导体基片和SOI基片，所述宽禁带半导体基片为碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石中的任意一种，该方法包括：在宽禁带半导体基片的上表面注入硼或氮原子，形成表面掺杂层；在表面掺杂层中注入包含有氢离子的活性基团；对SOI基片的绝缘介质层表面进行等离子激活，使绝缘介质层中形成羟基活性等离子基元；通过表面掺杂层中包含的氢离子和绝缘介质层中包含的羟基活性等离子基元，键合宽禁带半导体基片和SOI基片，对硅介质层进行低温氧化处理，形成栅介质层；在宽禁带半导体基片的下表面依次淀积镍、钛、铝的多层金属，形成背面电极接触；在栅介质层的正面淀积金属薄膜层，形成正面电极接触。
mos 器件制备方法

[发明专利]一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法-CN201810762721.4有效
发明人：申占伟;张峰;温正欣;赵万顺;王雷;闫果果;刘兴昉;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的侧墙栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，并集成肖特基金属接触，第一象限正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；第三象限正向导通时，肖特基二极管率先导通，有效抑制体内寄生PN二极管的导通；反向阻断时，沟槽底部的p型屏蔽层有效屏蔽器件体区的高电场，使得器件栅介质电场和肖特基接触电场大大降低，雪崩发生在器件体区的PN结处。该种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs具有较低的总芯片面积，同时满足良好的第一、三象限导通特性及反向阻断能力，且器件的静态、动态工作可靠性均得到提高。
一种集成 sbd 碳化硅沟槽 mosfets 及其制备方法

[发明专利]一种进气装置及化学气相沉积设备-CN202110478031.8在审
发明人：汪久龙;赵思齐;申占伟;闫果果;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种进气装置，该进气装置包括：送气结构、缓冲气室、调节装置、出气板、气流挡板和外壳；送气结构与外壳相连接；出气板与外壳相连接，形成缓冲气室；气流挡板位于缓冲气室内，气流挡板的中心与送气结构的中心重合；气流挡板与调节装置相连接；调节装置控制气流挡板沿进气方向往复移动；出气板上包括若干出气孔。本公开通过在送气口设置气流挡板，与缓冲气室配合，可有效减轻气体流速不均匀性，同时，出气板的均匀开孔可以确保后续气流整体流速、流量均匀性较好。且单间缓冲气室与单层出气板可有效降低装置总体结构复杂度、降低送气结构内部压力、提高整体气密性。
一种装置化学沉积设备

[发明专利]一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件及制备方法-CN202011264978.0在审
发明人：申占伟;刘兴昉;闫果果;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件，包括：功率器件元胞单元(100)，栅氧化层(230)、栅电极接触(210)形成于元胞单元(100)上部，复合内绝缘层(220)形成于栅氧化层(230)和栅电极接触(210)的表面；复合内绝缘层(220)自下而上包括致密介质层(300)，高介电常数或高热导率及其组合薄膜层(310)，钝化介质薄膜层(320)；或者复合内绝缘层(220)自下而上包括致密介质层(300)，钝化介质薄膜层(320)，高介电常数或高热导率及其组合薄膜层(310)；源电极接触(200)形成于功率器件元胞单元(100)和复合内绝缘层(220)的上表面。本发明通过改变复合内绝缘层的结构和形貌，提高了功率器件高场可靠性和热稳定性。
一种元胞内带绝缘结构功率半导体器件制备方法

[发明专利]碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法-CN201810164916.9有效
发明人：申占伟;张峰;赵万顺;王雷;温正欣;闫果果;刘兴昉;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；反向阻断时，沟槽底部的源电极金属接触有效屏蔽器件体区的高电场，使得器件栅介质电场大大降低，雪崩发生在器件体区的PN结处，所制备的碳化硅沟槽型MOSFETs具有较低的正向导通电阻和较高的反向阻断能力，且器件的静态、动态工作可靠性得到提高。
碳化硅沟槽 mosfets 及其制备方法

[发明专利]变温平台及DLTS测试系统-CN201811372597.7有效
发明人：赵万顺;闫果果;刘兴昉;张峰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种变温平台及DLTS测试系统，变温平台包括：水冷腔室、加热机构和至少两个探针臂；水冷腔室上设置至少一个放气口、至少一个抽气口、至少两个进水口以及至少两个出水口；加热机构包括加热板、热电阻和第一固定结构，第一固定结构将加热板固定在与水冷腔室的底面平行的平面上，第一固定结构将热电阻设置在加热板的下表面；探针臂包括第二固定结构和探针，第二固定结构的一端和水冷腔室的底面固定连接，第二固定结构的另一端和探针固定连接，使得探针垂直于加热板所在的平面，每个探针的导线的长度相等。缓解不能满足具有高温特性的半导体材料的测试需求的问题，达到满足具有高温特性的半导体材料的测试需求的技术效果。
平台 dlts 测试系统

[发明专利]采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法-CN201811309945.6有效
发明人： 刘兴昉;闫果果;申占伟;温正欣;陈俊;何亚伟;赵万顺;王雷;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法，包括：步骤A：取一碳化硅晶片并清洗干净；步骤B：将碱涂布在碳化硅晶片指定区域；步骤C：在热板上将碳化硅晶片加热至第一温度并保温至指定时间，清洗残碱和反应物；步骤D：完成碳化硅晶片区域腐蚀。本发明避免了传统方法设备庞大，操作繁杂的劣势，并可以针对指定区域进行腐蚀观测，具有简便易行，容易推广等优点。
采用熔融碳化硅表面进行区域腐蚀方法

[发明专利]格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法-CN201710914652.X有效
发明人： 刘兴昉;闫果果;申占伟;温正欣;陈俊;赵万顺;王雷;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开提供了一种格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法，包括：利用第一格栅贴紧碳化硅衬底的外延晶面，在未被第一格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第一掺杂类型的第一外延结构；去除第一格栅，利用第二格栅遮蔽碳化硅衬底的外延晶面，在未被第二格栅的栅条遮蔽的区域外延生长具有第二掺杂类型的第二外延结构；其中，第二格栅的栅条和空格条的排布与第一格栅的栅条和空格条的排布互补，空格条可以流通生长气体，栅条不可以流通生长气体。本公开采用格栅做硬掩膜，限制生长气体在格栅的空格条区域与衬底表面接触并进行外延生长以制备掺杂区域，提高生长时间可以制备厚掺杂层；二次采用格栅调谐外延异质掺杂层后，即可制备高深宽比的掺杂区域。
格栅调谐外延生长碳化硅薄膜方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 73 条