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[发明专利]环形外腔带间级联激光器及其制备方法-CN202310920335.4在审
发明人：鹿希雨;管延娇;孙瑞轩;刘舒曼;刘俊岐;王利军;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种环形外腔带间级联激光器及其制备方法，包括：带间级联激光器；在带间级联激光器的前腔面侧镀上一层减反膜；带间级联激光器的前腔面侧和后腔面侧分别设置有前腔面直透镜和后腔面直透镜；闪耀光栅，设置于前腔面直透镜的前腔面侧；镀金反射镜组，包括沿闪耀光栅的出射光路上设置的第一镀金反射镜、第二镀金反射镜和第三镀金反射镜；其中，前腔面直透镜、闪耀光栅、第一镀金反射镜、第二镀金反射镜、第三镀金反射镜及后腔面直透镜形成环形光路腔；带间级联激光器的前腔面侧发射出光信号，通过环形光路腔后，从后腔面侧再次入射到带间级联激光器。该装置可比零级衍射光输出的Littrow外腔获得更宽的光谱调谐范围和更大的输出功率。
环形外腔带间级联激光器及其制备方法

[发明专利]波长6微米的激光器的有源区和激光器-CN202111310275.1有效
发明人：程凤敏;张锦川;卓宁;翟慎强;王利军;刘俊岐;刘舒曼;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
波长微米激光器有源

[发明专利]页面显示方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111248294.6有效
发明人：王皓玉;张志宇;肖雅蓉;袁颖琪;吴楷源;毛建凯;孟凡武;周宇飞;赵伟奇;沈思;欧阳楚仪;刘俊岐;陈凯杰;符浩;郑禹铨;邴越;李鑫;樊洋;包汶达;葛姝悦;肖莹 -专利权人：北京达佳互联信息技术有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04N21/2187 文献下载
摘要：本公开关于一种页面显示方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括在预设直播推荐页面，基于多种直播关联信息的展示优先级，展示至少一个预设直播间对应的目标直播关联信息，多种直播关联信息对应多种直播关联页面；响应于基于目标直播关联信息触发的详情展示指令，显示目标直播关联信息对应的目标直播关联页面。利用本公开实施例可以提升直播关联信息的多样性，丰富直播推荐过程中可显示的直播关联页面，有效提升直播关联信息推送的有效性，满足多种业务场景的转化需求，可以提升转化率，进而降低系统资源浪费，提升系统性能。
页面显示方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种智能衣物晾晒装置-CN202210358036.1有效
发明人：陈晓哲;张家琪;杜玉尧;陈旷达;刘俊岐 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： D06F58/00 文献下载
摘要：一种智能衣物晾晒装置，属于智能家居技术领域。所述智能衣物晾晒装置，包括框架、两条运动轨道、可伸缩晾衣部件、主驱动部件和窗户开闭机构，两条运动轨道相对设置在框架内侧，可伸缩晾衣部件包括沿所述运动轨道移动的方形横梁，方形横梁滑动设置有晾衣杆，晾衣杆沿方形横梁长度方向移动，以调节衣物晾晒位置，主驱动部件包括电机，电机通过同步带组件与方形横梁相连，以带动方形横梁移动，窗户开闭机构包括驱动电机二，驱动电机二通过平面连杆机构与固设置于窗户的固定件相连，以实现窗户的开闭。所述智能衣物晾晒装置能够根据天气因素自动调整晾晒方式，在衣物晾晒好之后，自动收回储纳柜中，保证衣物清洁。
一种智能衣物晾晒装置

[发明专利]连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法-CN202110971500.X有效
发明人：郭强强;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;卓宁;翟慎强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本公开提供了一种连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法，该激光器包括：衬底；微腔，包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和半绝缘InP：Fe层；上波导层内设有一凹槽，半绝缘InP：Fe层形成于上波导层的凹槽中；正面电极；背面电极；钝化层，形成于微腔的裸露区域。本公开提供的激光器利用半绝缘InP：Fe层的高阻特性在保持模式增益不变的情况下，降低输入电流，提高电光转化效率，从而降低工作温度；并利用半绝缘InP：Fe层与上波导层折射率相近的特性以及较低的损耗，保证微腔的模式分布，从而保证微腔的品质因子；在微腔的裸露区域覆盖钝化层，限制微腔侧壁表面态热激活导致的电流泄漏。
连续量子级联激光器制备方法

[发明专利]一种同轴驱动布局多自由度并联机构的零件打磨机器人-CN201910449974.0有效
发明人：侯志利;白小云;秦慧斌;刘琳琳;李闯闯;吴振华;刘俊岐;景鸿翔 -专利权人：太原理工大学;中北大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明属于机器与机构领域，具体涉及一种同轴驱动布局多自由度并联机构的零件打磨机器人。目的是为了解决目前市面上的打磨机器人大多是基于串联机构的工具型打磨机器人，具有累计误差大、结构刚度低等技术问题。本发明包括有支撑装置、多个电机驱动装置、并联机构工作臂装置和末端执行装置。本发明所述每套并联机构工作臂装置中的下臂支链为一个或者一个以上，如果为一个以上，则一个以上的下臂支链相平行设置，且每个下臂支链的首端均与上臂支链的末端连接，保证了末端执行装置运动的刚性，确保了装置的稳定性，提高了打磨的精度。
一种同轴驱动布局自由度并联机构零件打磨机器人

[发明专利]一种具有激振力自调节功能的振动装置及其参数确定方法-CN202210403358.3有效
发明人：陈晓哲;刘俊岐;陈旷达;张家琪 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：一种具有激振力自调节功能的振动装置，属于振动机械技术领域，包括偏心转子，所述偏心转子内部中空，在中空部分装有滑块，滑块底端与偏心转子之间设有弹簧。一种具有激振力自调节功能的振动装置的参数确定方法，包括以下步骤：步骤1，建立振动装置运动的动力学平衡方程，确定弹簧刚度的取值范围；步骤2，设计滑块的高度h与宽度b。启动振动装置，其转速处于系统主共振区时，滑块靠近转动轴，振动装置激励力较小，振动装置仅需较小功率即可摆脱转速俘获；振动装置以额定频率工作时，滑块远离转动轴，振动装置与实心偏心块工作效果相同。与实心偏心块相比，该装置激振力可调，避免了转速经过共振区产生转速俘获，本申请可降低振动电机的额定功率。
一种具有激振力调节功能振动装置及其参数确定方法

[发明专利]一种摇杆、手柄以及电子设备-CN202310136397.6在审
发明人： 刘俊岐 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： A63F13/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种摇杆、手柄以及电子设备。所述摇杆包括：摇杆座、摇杆帽以及连接机构；连接机构包括挡块和第一限位件，第一限位件上设置有限位槽，挡块和第一限位件均活动连接于摇杆座；摇杆帽上设置有朝向摇杆座延伸的第二限位件，第二限位件上设置有与限位槽适配的限位部；其中，在摇杆帽安装至摇杆座的情况下，摇杆帽带动挡块朝向摇杆座的座底运动，在挡块朝向座底运动之后，在第二限位件向第一限位件运动的情况下，限位部可与限位槽卡接，以使摇杆帽与摇杆座连接；在限位部与限位槽卡接，第二限位件远离座底运动的情况下，第二限位件带动第一限位件运动以使限位槽避让挡块，限位部可从限位槽脱离，以使摇杆帽与摇杆座分离。
一种摇杆手柄以及电子设备

[发明专利]辅助按键装置及电子设备-CN202310093618.6在审
发明人： 刘俊岐 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01H13/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种辅助按键装置及电子设备，其中，辅助按键装置包括：按键本体、底座、锁止组件和调节件；按键本体转动连接于底座，锁止组件活动连接于按键本体和底座之间，底座上设有调节孔，调节件穿设于调节孔内，调节件与锁止组件接触；调节件可在调节孔内活动，以使锁止组件在锁定状态和解锁状态之间切换；其中，调节件处于第一位置的情况下，锁止组件处于锁定状态，按键本体与底座之间相对固定；调节件处于第二位置的情况下，锁止组件处于解锁状态，按键本体与底座可相对转动。
辅助按键装置电子设备

[发明专利]一种生产高品质一氯乙酸的方法及其应用-CN202211113411.2在审
发明人：孙东哲;郭志佳;刘俊岐;王鑫 -专利权人：河北三川化工有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07C51/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产高品质一氯乙酸的方法，包括以下步骤：(1)将原料投入反应釜中，开始通入氯气；(2)打开冷凝器与主反应釜之间的阀门，持续反应一段时间；(3)临近主反应釜反应终点时，关闭冷凝器与主反应釜之间的阀门，打开冷凝器与副反应釜之间的阀门，直至副反应釜反应完成。本发明采用‑30～‑50℃的冷凝温度，并且在主反应釜临近反应终点时打开冷凝器与副反应釜的阀门，关闭冷凝器与主反应釜的阀门，可以使催化剂回流至副反应釜中继续催化反应进行，提高了整体反应速率，同时可以避免催化剂再次回流入主反应釜中，减少了主反应釜对催化剂的分离蒸馏，降低了蒸馏分离压力，减少副反应釜的催化成本。
一种生产品质乙酸方法及其应用

[实用新型]游戏手柄-CN202221900539.9有效
发明人： 刘俊岐 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： A63F13/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种游戏手柄，包括手柄本体，所述手柄本体设有用于夹持电子设备的夹持槽，所述夹持槽的槽底设有用于承托所述电子设备的第一托板和第二托板，所述第二托板在所述夹持槽的深度方向上活动设置于所述手柄本体；弹性支撑组件，连接于所述手柄本体且位于所述第二托板背离所述夹持槽的槽口的一侧；其中，在所述电子设备夹持于所述夹持槽的情况下，所述弹性支撑组件与所述第二托板相抵接，在所述电子设备的挤压作用下，所述第二托板在所述夹持槽的深度方向上与所述第一托板错位。
游戏手柄

[发明专利]电吸收调制量子级联激光器集成芯片及制备方法-CN202211293161.5在审
发明人： 刘俊岐;鹿希雨;杨科;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁;刘舒曼;王利军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开涉及红外通信光电子器件技术领域，尤其涉及一种电吸收调制量子级联激光器芯片及制备方法。其中，该电吸收调制量子级联激光器芯片，包括：分布反馈量子级联激光器区，用于生成中远红外种子激光；电吸收量子级联调制器区，用于对中远红外种子激光进行调制，得到调制后的中远红外种子激光；量子级联光放大器区，用于对调制后的中远红外种子激光进行放大，得到放大调制后的中远红外种子激光。本公开提供的电吸收调制量子级联激光器芯片可以单片集成，并同时兼顾高调制速率与高输出功率。
吸收调制量子级联激光器集成芯片制备方法

[发明专利]微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法-CN202110487994.4有效
发明人：朱怡璇;刘俊岐;翟慎强;梁平;黎昆;刘舒曼;胡颖;王利军;张锦川;卓宁;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。
耦合量子级联红外探测器及其制备方法

[发明专利]量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片-CN202211002443.5在审
发明人：孙瑞轩;宁超;刘舒曼;张锦川;卓宁;王利军;刘俊岐;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。
量子级联激光器有源单元外延结构芯片

[发明专利]大应变红外量子级联激光器及其制备方法-CN202210614027.4在审
发明人：翟慎强;孙永强;费腾;张锦川;刘俊岐;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供一种大应变红外量子级联激光器及其生长方法，自下而上包括：InP下波导层、量子阱级联层、InP上波导层；其中，量子阱级联层是多周期级联的，其每个周期包括：8～12周期的量子阱层/势垒层，为InGaAs/InAlAs超晶格材料；低应变InGaAs层；匹配InGaAs层。本公开的量子级联激光器通过在多个量子阱层/势垒层周期间插入低应变InGaAs层阻断表面缺陷，插入匹配InGaAs层改善材料表面平整度，从而避免大应变材料生长过程中产生缺陷的积累，最终制备获得高质量外延材料。
应变红外量子级联激光器及其制备方法

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