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[发明专利]多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法-CN200510011351.3无效
发明人：车晓玲;刘峰奇;黄秀颀;雷文;刘俊岐;路秀真 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；步骤2：将多孔磷化铟材料浸泡在权利要求1所述的该混合溶液中；步骤3：腐蚀掉多孔磷化铟表面的阻挡层以及部分多孔磷化铟层，将多孔磷化铟材料减薄。
多孔磷化阻挡以及腐蚀使用方法

[发明专利]一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法-CN200410056982.2无效
发明人：郭瑜;王春华;刘俊岐;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一N型磷化铟衬底；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有源区上；一N型磷化铟上包层，该上包层制作在上波导层上；一N型磷化铟接触层，该接触层制作在上包层上；一N型铟镓砷欧姆接触层，该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上；经刻蚀在表面形成双沟脊形台面，在该双沟脊形台面制作有绝缘层，该绝缘层之间断开形成电流注入窗口；一正面N型电极，该正面N型电极制作在绝缘层上；一背面N型电极，该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。
一种磷化量子级联半导体激光器制作方法

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法-CN200410049950.X无效
发明人：车晓玲;刘峰奇;黄秀颀;雷文;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-06-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯，主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分，其中箱体用来盛装电解液，侧盖与盲板用来固定工作电极，上盖用来导入铂辅助电极、参比电极以及氮气管。采用三电极的电化学体系，该三电极分别是辅助电极、参比电极、工作电极。电化学腐蚀工艺方法包括如下步骤：(A)磷化铟基片解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；(B)然后去除磷化铟基片表面的氧化层；(C)再进行电化学池的安装；(D)之后通氮气15分钟；(E)最后施加电压进行腐蚀。本发明适用于多孔磷化铟或砷化镓阵列等多孔半导体材料的制备。
一种多孔磷化电化学腐蚀体系方法