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[发明专利]一种准低维铋基钙钛矿纳米材料的制备方法-CN201711417269.X有效
发明人：唐江;冷美英;陈正午;牛广达;杨颖 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种准低维铋基钙钛矿纳米材料的制备方法，该方法包括如下步骤：采用准低维铋基钙钛矿材料MA
纳米材料铋基低维钙钛矿制备钙钛矿材料细胞粉碎机工艺流程设计得到混合物反应原材料参数条件胶体溶液取上清液有效解决混合物剥离剂强能量溶剂配比剥离合成改进

[发明专利]提高铋基钙钛矿纳米材料荧光产率和稳定性的方法及产物-CN201710375886.1有效
发明人：唐江;杨颖;冷美英;牛广达;陈正午 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铋基钙钛矿纳米材料荧光产率和稳定性的方法及产物，其中该方法是通过在制备MA₃Bi₂Br₉量子点所需的前躯体原料中引入长链胺和氯源，通过调控引入的长链胺以及氯元素的添加比例，最终可得到形如(MA_xOLA_1‑x)₃Bi₂Cl_yBr_9‑y的产物。该方法利用长链胺的插层作用，产物的形貌可从量子点变成纳米片，在得到更强的激子限域效应的同时提高荧光量子产率；利用铋氯键的高键能提高MA₃Bi₂Br₉量子点的稳定性，同时钝化了表面缺陷，进而提高最终产物的荧光量子产率。本发明通过对MA₃Bi₂Br₉量子点的组成成分和结构等进行改进，与现有技术相比能够有效提高铋基钙钛矿纳米材料的荧光产率和稳定性。
量子点纳米材料长链胺钙钛矿荧光产率铋基荧光量子产率形貌表面缺陷限域效应最终产物氯元素纳米片前躯体引入插层钝化激子键能氯键氯源制备调控改进

[发明专利]化合物薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201310601907.9有效
发明人：唐江;周英;冷美英;刘新胜;韩珺;罗苗 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及透明电极层、N型缓冲层、P型吸收层和背电极层，P型吸收层材料为Sb2Se3、Cu3SbS3或Cu3SbS4；本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积N型缓冲层步骤、沉积P型吸收层步骤、沉积电极层步骤；还可以加入沉积空穴传导层步骤。本发明中构成P型吸收层的各种材料均选自地壳中资源丰富且不含有毒成分的元素，在制造和使用过程中不会造成环境污染，由它们构成的P型吸收层材料的禁带宽度范围约为0.5ev～2.5ev，光谱响应范围较广，吸光系数高达105cm‑1。
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]高光响应近红外光电探测器-CN201410229544.5有效
发明人：唐江;冷美英;罗苗;夏哲 -专利权人：武汉光电工业技术研究院有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0272 文献下载
摘要：一种高光响应近红外光电探测器，其特征在于具体结构为透明惰性基底/硒化锑薄膜/电极，其中硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜；所述后硒化处理为将硒化锑薄膜在硒氛围中进行退火处理，其中所述硒氛围的硒蒸气分压为1～10000Pa，退火温度为150～400℃，处理时间为5～30min；或在硒化锑薄膜表面沉积一层硒，然后再进行退火处理，其中沉积的硒的厚度为1～500nm，退火温度为150～400℃，退火时间为10～60min。本发明的高光响应近红外光电探测器的原材料丰富，价格低廉，工艺简单、经济、可操作性强，且具有高灵敏度。
响应红外光电探测器

[发明专利]一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法-CN201610505363.X有效
发明人：唐江;冷美英;何一粟 -专利权人：武汉光电工业技术研究院有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法，尤其是取向良好的硒化锑薄膜，所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料，良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法，具体为两步，包括采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜，然后进行硒（硫）化处理的方法。本发明中的方法，可获得良好取向的硒化锑薄膜，有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池，且简单易行，成本低廉。
一种向性硒化锑薄膜及其制备方法

[发明专利]一种Bi基钙钛矿量子点材料的制备方法-CN201610851100.4有效
发明人：唐江;冷美英;杨颖;陈正午 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi基钙钛矿量子点材料及其制备方法，该方法包括如下步骤采用乙酸乙酯和DMF的混合溶剂作为溶解卤化甲胺和卤化铋前驱体溶液，胺作为配体；采用正辛烷和油酸为反溶剂；将所述前驱体溶液加入反溶剂后，离心后取上清液获得化学式为MA3Bi2X9的量子点材料，其中MA＝CH3NH3,X＝卤素元素(X＝Cl,Br,I)。按照本发明实现的量子点材料，能够制备出无污染、发射峰可调的量子点材料，并且能够显著地提高荧光产量和稳定性。
一种 bi 基钙钛矿量子材料制备方法

[发明专利]一种杆塔基础施工方法-CN201710012519.5在审
发明人：杨忠波;王茂成;冷美英;刘树华;杨毅;张静;郭松宇;王秀平 -专利权人：国网山东省电力公司烟台供电公司;长岛宏园建筑安装工程有限责任公司;国家电网公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： E02D27/42 文献下载
摘要：本发明提供一种杆塔基础施工方法，具体包括以下步骤1】基坑开挖基坑四周不放坡，不留操作裕度；2】模板支护利用自然坑壁作为基础模板；支撑柱体模板；有台阶时，支撑台阶模板；3】绑扎钢筋按照设计要求安装绑扎柱体钢筋，其中位于柱体四角的钢筋插入地下8‑20cm；4】绑扎钢丝网沿着柱体四周的钢筋布置钢丝网，钢丝网高度覆盖基础部位高度，钢丝网绑扎在钢筋上；5】浇筑基础部位采取满灌方式，柱体内外均衡浇筑。基坑四周不放坡，不留操作裕度，减少土石方量10%以上，节省8个工时以上。
一种杆塔基础施工方法

[发明专利]一种锑基化合物薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201310163431.5无效
发明人：唐江;韩珺;杨波;周英;王亮;刘新胜;冷美英 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑基化合物构成的薄膜太阳能电池及其制备方法，属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒或生产工艺复杂的问题。本发明的锑基化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及在其上依次沉积的背电极层、P型吸收层、N型缓冲层、氧化物薄膜窗口层和金属栅电极，P型吸收层为CuXSbyβZ材料，其中β为S或Se。本发明中，P型吸收层的材料选自地壳中丰度较高的元素，资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好，它们的禁带宽度范围约为0.5～2.5ev，光谱响应范围较广，吸光系数高达105cm-1，由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。
一种化合物薄膜太阳能电池及其制备方法

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