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[发明专利]一种化妆品添加物芦荟精华液加工工艺-CN202310669303.1在审
发明人：江蒙蒙;冯雅清;孙芳 -专利权人：江蒙蒙
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A61K8/9794 文献下载
摘要：本发明涉及化妆品添加物芦荟精华液加工领域，更具体的说是一种化妆品添加物芦荟精华液加工工艺。本发明的目的是提供一种化妆品添加物芦荟精华液加工工艺，可以在进行制备生产芦荟精华液时，将原料芦荟枝叶上的倒刺进行刮除防止倒刺在后续工作中对工作人员造成损伤，该工艺包括以下步骤：S1：将芦荟枝叶顺竖直方向长条放入加工装置内；S2：通过加工装置对流入加工装置内部的芦荟枝叶由其两侧表面进行按压呈平面并向下输送；S3：通过加工装置将按压至平面的芦荟枝叶的前后两侧带有倒刺处进行割除，并使得两侧带有倒刺的余量芦荟枝叶与本体脱离；S4：通过加工装置将两侧带有倒刺的余量芦荟枝叶内部的芦荟汁液进行刮取并单独收集。
一种化妆品添加物芦荟精华液加工工艺

[发明专利]折叠卷绕结构的电容型柔性力传感器-CN202210311663.X有效
发明人：赵建文;冯雅清;张彩翼 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种折叠卷绕结构的电容型柔性力传感器，其解决了现有介电弹性体传感器迟滞大的技术问题，其包括由折叠部分和卷绕部分组成的本体，本体是由平展状态的介电弹性体传感器经过折叠、拉伸、卷绕制备而成。本发明可广泛应用于软体机器人、外骨骼、人体运动测量、医疗康复、运动训练等领域的力测量。
折叠卷绕结构电容柔性传感器

[发明专利]基于柔性电容传感器的数据手套的关节运动角度测量方法-CN202011075911.2有效
发明人：赵建文;刘富博;冯雅清;许一行 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于柔性电容传感器的数据手套以及关节运动角度测量方法，其解决了现有数据手套检测精度低、佩戴舒适性差、寿命低，制造成本高的技术问题的技术问题，其包括手套本体，手套本体设有手指部，手指部的关节连接有柔性电容传感器，柔性电容传感器包括硅橡胶传感器主体，硅橡胶传感器主体设有介电层、两个电极层和两个保护层，两个电极层分别连接有导线。其可广泛应用于柔性可穿戴设备领域。
基于柔性电容传感器数据手套关节运动角度测量方法

[发明专利]基于冗余传感器的穿戴式柔性电容型传感器及自标定方法-CN202110423711.X有效
发明人：赵建文;冯雅清;张利剑;张伟 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于冗余传感器的穿戴式柔性电容型传感器及自标定方法，其解决了现有针对穿戴式应变传感器的标定方法存在精度低，效率低，需要额外的测量设备，高环境依赖性的技术问题，其包括主体部分，与主体部分两端连接的引脚及封装部分，以及导线部分，主体部分包括主传感器和多个冗余传感器。其可广泛应用于人体运动动态测量领域。
基于冗余传感器穿戴柔性电容标定方法

[发明专利]应用软传感器载体制作模具的软传感器集成方法及传感服装-CN201910629343.7有效
发明人：赵建文;李永泽;冯雅清;秦仕昊 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）;威海市机器人与智能装备产业研究院
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B29C70/36 文献下载
摘要：本发明涉及软传感器载体制作模具、软传感器集成方法及传感服装，其解决了现有穿戴式运动测量方式准确度、精度较低，穿戴舒适性差的技术问题，其包括上基板、下基板、第一上磁铁、第二上磁铁、第一下磁铁和第二下磁铁，上基板的中部设有载体成型孔，上基板的两端设有第一上磁铁容纳槽和第二上磁铁容纳槽，下基板的两端连接有第一下磁铁和第二下磁铁，下基板的中部设有凹槽。其可广泛应用于可穿戴式检测技术领域。
应用传感器载体制作模具集成方法传感服装

[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱-CN201610045732.1有效
发明人： 冯雅清 -专利权人： 冯雅清
申请日： 2016-01-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，属于半导体设备制造技术领域。一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。本发明通过在中央支柱体外增加隔热外套，减少反应腔内高热气流对中央支柱体的加热效应，减小中央支柱体的形变以及高热反应气体对中央支柱体表面的刻蚀，以达到延长中央支柱的使用寿命。
一种金属有机物化学沉积设备中央支柱

[实用新型]一种氮化镓基LED外延结构-CN201620006056.2有效
发明人： 冯雅清 -专利权人： 冯雅清
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓基LED外延结构，属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域。一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。本实用新型通过在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温p型InAlGaN层其生长温度为600-900℃，不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏，从而避免了影响发光二极管的发光效率。
一种氮化 led 外延结构

[实用新型]一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱-CN201620066576.2有效
发明人： 冯雅清 -专利权人： 冯雅清
申请日： 2016-01-23 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，属于半导体设备制造技术领域。一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。本实用新型通过在中央支柱体外增加隔热外套，减少反应腔内高热气流对中央支柱体的加热效应，减小中央支柱体的形变以及高热反应气体对中央支柱体表面的刻蚀，以达到延长中央支柱的使用寿命。
一种金属有机物化学沉积设备中央支柱

[发明专利]一种氮化镓基LED外延结构-CN201610003586.6在审
发明人： 冯雅清 -专利权人： 冯雅清
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基LED外延结构，属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域。一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。本发明通过在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温p型InAlGaN层，其生长温度为600-900℃，不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏，从而避免了影响发光二极管的发光效率。
一种氮化 led 外延结构

[发明专利]一种含钽铌稀土元素精矿的分解方法-CN200810220122.6有效
发明人：刘志强;陈怀杰;梁振锋;冯雅清 -专利权人：广州有色金属研究院;内蒙古扎鲁特旗鲁安矿业有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C22B1/06 文献下载
摘要：一种含钽铌稀土元素精矿的分解方法。其特征是按含钽铌稀土元素精矿∶浓硫酸∶硫酸盐的重量比为1∶0.8～2.5∶0.8～1.5混合均匀，焙烧，焙烧温度为180～400℃，焙烧时间为0.5～8小时，焙烧后加水，在20～80℃下搅拌数0.5～3小时，过滤、洗涤，钽、铌和稀土元素进入溶液。本发明是一种能同时将钽铌稀土元素分解的方法，并提高钽、铌浸出率，稀土元素浸出率达到90％以上，为下一步分离作准备。
一种含钽铌稀土元素精矿分解方法

[发明专利]一种提高倒装焊芯片亮度的方法-CN200610030770.6无效
发明人： 冯雅清;叶国光;应华兵;章加奇 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高倒装焊芯片亮度的方法，其特征在于，将高反射率的金属镀在原来金属电路及吸光的金球上，其方法为：首先用热反应炉使硅基板表面氧化，生成一层二氧化硅，用曝光机光刻出图形，将不需要部分二氧化硅用1％～30％氢氟酸缓冲溶液蚀刻掉，用蒸镀机蒸镀上一层高反射率的金属于二氧化硅层上，用硝酸铁混合溶液蚀刻出占硅基板的表面面积百分比在40％～95％的相邻两块正负极；其次用植球机在两块正负极表面分别植上金球，接着在两块正负极和金球上用蒸镀机分别电镀上一层高反射率金属，然后用氢氟酸缓冲溶液蚀刻，剩下的金属层黏附在正负极和金球上；最后用邦定机将芯片倒置，使芯片电极与金球对准，通过加热、超声，使电极与金球牢固结合。本发明的优点是比传统倒装焊芯片多出40％的光效率。
一种提高倒装芯片亮度方法

[发明专利]一种提高芯片亮度的方法-CN200610030769.3无效
发明人： 冯雅清;叶国光;梁伏波;朱思远;黄力伟 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的出光表面——蓝宝石衬底和透明电极氧化铟锡的表面制作光子晶体结构，光子晶体结构有助于降低全反射，从而使得出光亮度提高，使得光取出效率提升50％－90％，在350毫安的电流驱动下可以得到比一般倒装焊芯片多出90％的亮度。
一种提高芯片亮度方法

[发明专利]红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法-CN200510027183.7无效
发明人： 冯雅清;陈明法;黄力伟;梁伏波 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法，其特征在于，将红绿蓝发光集成芯片采用粘合材料固晶于发光二极管封装用基板上；所述的红绿蓝发光集成芯片为红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片三个颜色芯片采用倒装焊置于同一个集成硅基片芯片上。本发明的优点是对红绿蓝三色效果更佳，色温也更稳定，能达成面光源集中度高，成本低。
红绿蓝三芯片集成方法

[发明专利]一种提高芯片亮度的方法-CN200510027184.1无效
发明人： 冯雅清;陈明法;朱思远 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的衬底表面粗糙化，表面粗糙有助于降低全反射，而粗糙化后发光面积增加，从而使得出光亮度提高，使得发光效率提升30％左右，而另一个降低全反射增加出光效率的方法就是四分之波长抗反射镀膜，镀膜材料折射率需介于蓝宝石与空气之间，利用氧化铟锡ITO、二氧化硅SiO₂或氮化硅Si₃N₄这些材料做抗反射镀膜，可将出光效率再增加20％，而最后我们将两种方法同时利用粗糙化加氧化铟锡ITO、二氧化硅SiO₂或氮化硅Si₃N₄四分之波长抗反射镀膜，在500毫安的电流驱动下可以得到比一般倒装焊芯片多出50％的光效率。
一种提高芯片亮度方法

[实用新型]一种集成于红绿蓝三芯片的硅芯片-CN200520042908.5无效
发明人： 冯雅清;陈明法;章加奇;应华兵 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成于红绿蓝三芯片的硅芯片，其特征在于，红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片同置于集成硅基片芯片上，蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片倒装置于集成硅基片芯片上，红光发光二极管芯片正电极在上置于集成硅基片芯片上，红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片三个颜色芯片呈三角形，且各自正极与焊点位置连接，负极集中与焊点位置连接。本实用新型的优点是对红绿蓝三色效果更佳，色温也更稳定，能达成面光源集中度高，成本低。
一种集成红绿蓝三芯片

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