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[发明专利]光电转换元件、光检测装置、光检测系统、电子设备和移动体-CN202180081142.3在审
发明人：村田贤一;定荣正大;平田晋太郎;高桥新吾;大庭义行;小岛尚;汤川富之;财前义史;杉山知広;冈本正喜;増永拓也;川原雄基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
光电转换元件检测装置系统电子设备移动

[发明专利]成像装置、成像装置的制造方法和电子设备-CN202180070653.5在审
发明人：望月健矢;中泽圭一;吉田慎一;西尾贤哉;藤井宣年;斋藤卓;冈本正喜;鎌谷良介;山本雄一;厳樫一孝;宫波勇树;吉冈浩孝;堀越浩;黒鸟托也;古瀬骏介;本多孝好 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本公开提供了一种成像装置(1)，包括：第一半导体基板(100)，其设置有光电转换元件；第二半导体基板(200)，其隔着层间绝缘膜(123)层叠在所述第一半导体基板上，并且设置有将在所述光电转换元件中生成的电荷作为像素信号读出的像素电路；和通孔(600)，其贯通所述层间绝缘膜并且电气连接所述第一半导体基板的与所述第二半导体基板相面对的第一面和与所述第二半导体基板的与所述第一面相面对的第二面的至少一部分。
成像装置制造方法电子设备

[发明专利]透镜基板-CN202011286104.5有效
发明人：白岩利章;冈本正喜;松谷弘康;伊藤启之;斋藤卓;大岛启示;藤井宣年;田泽洋志;石田実 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及透镜基板。其中，透镜基板可包括：基板，所述基板具有通孔；透镜，布置在所述通孔中；以及凹槽，在横截面图中所述凹槽与所述通孔相邻地布置。
透镜

[发明专利]透镜基板-CN202011288671.4在审
发明人：白岩利章;冈本正喜;松谷弘康;伊藤启之;斋藤卓;大岛启示;藤井宣年;田泽洋志;石田実 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及透镜基板。其中，透镜基板可包括：基板，所述基板具有通孔；透镜，布置在所述通孔中；以及凹槽，在横截面图中所述凹槽与所述通孔相邻地布置。
透镜

[发明专利]透镜基板、半导体装置的制造方法以及电子设备-CN201680043359.4有效
发明人：白岩利章;冈本正喜;松谷弘康;伊藤启之;斋藤卓;大岛启示;藤井宣年;田泽洋志;石田実 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B29D11/00 文献下载
摘要：减少在切割多个层叠基板的情况下碎屑的影响。提供了一种其中层叠有基板的半导体装置，在所述基板中形成有包围图案的凹槽，所述图案构造有预定电路或部件。本技术能够适用于例如在各基板中形成有通孔并且在通孔的内侧布置有透镜的层叠透镜结构、装有层叠透镜结构和受光装置的相机模块、层叠有像素基板和控制基板的固态成像装置等。
透镜半导体装置制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备-CN201611064252.6有效
发明人： 冈本正喜 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子设备，所述固体摄像装置包括：第一晶片，其包括第一布线层；第二晶片，其包括第二布线层；第三晶片，其包括第三布线层；第一连接层，其布置在第一和第二晶片之间；第二连接层，其布置在第二和第三晶片之间；第一过孔，其从第一晶片布置至第二晶片，其中，第一过孔贯穿第一连接层；第二过孔，其布置在第二晶片中；第三过孔，其布置成穿过第二晶片并到达第三晶片，第三过孔贯穿第二连接层；以及连接部，其布置在第二晶片中，第一过孔电连接至第一布线层中的布线，且连接至第二晶片中的连接部。根据本发明，可对层叠有晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻对基板或布线造成的影响。
半导体装置及其制造方法固体摄像以及电子设备

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备-CN201711457463.0在审
发明人：胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
半导体基体半导体装置贯通电极绝缘层半导体基第二表面第一表面电子设备配线层周界体内贯通制造

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备-CN201711458678.4在审
发明人：胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
半导体基体半导体装置贯通电极绝缘层半导体基第二表面第一表面电子设备配线层周界体内贯通制造

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备-CN201380033466.5有效
发明人：胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包括第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
半导体装置制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备-CN201210103629.X有效
发明人： 冈本正喜 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备，所述制造方法包括：接合第一和第二半导体晶片，第一半导体晶片包括第一基板和第一绝缘层，第二半导体晶片包括第二基板和第二绝缘层；形成第三绝缘层；进行蚀刻以使得在第二布线层上留下第二绝缘层，由此形成第一连接孔；在第一连接孔上形成绝缘膜；对第二绝缘层和绝缘膜进行蚀刻以形成第二连接孔且使第二布线层露出；在连接孔内部形成第一过孔，且使第一过孔连接至第二布线层，形成于第一基板的另外一个表面处的第一连接孔的直径大于形成于第三绝缘层处的第一连接孔的直径。根据本发明，可对层叠有半导体晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻而对基板或布线造成的影响。
半导体装置及其制造方法固体摄像以及电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子装置的制造方法-CN200910132143.7无效
发明人：武田健;安藤幸弘;冈本正喜;冈田雅幸;泷本香织;钉宫克尚;木村忠之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供了固态成像装置和电子装置的制造方法。固态成像装置的制造方法包括如下步骤：在具有多个感光部分的基板上经由栅极绝缘层形成转移电极并露出感光部分；在基板上形成平坦化绝缘层以覆盖形成在基板上的转移电极；在平坦化绝缘层中形成开口，使得转移电极的每一个在预定的位置处部分地从平坦化绝缘层露出；形成配线材料层，使得开口填充有配线材料层；在配线材料层上形成抗蚀剂层；曝光和显影抗蚀剂层，使得只有在覆盖开口的预定区域中的抗蚀剂层被保留；以及采用曝光和显影的抗蚀剂层来图案化配线材料层以形成通过开口连接到转移电极的连接配线。
固态成像装置电子制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710086371.6无效
发明人：岛山努;龟嶋隆季;冈本正喜 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。
半导体装置制造方法

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