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[发明专利]一种基于光纤阵列的深紫外光刻机-CN202310580508.2在审
发明人：陈大鹏;傅剑宇 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及芯片或集成电路制造技术领域，具体公开了一种基于光纤阵列的深紫外光刻机，包括深紫外激光光源、单模光纤耦合器、光开关、高精度二维光纤阵列、菲涅尔波带片阵列、放有感光基板的工件台、控制系统以及版图处理软件系统，单模光纤耦合器包括透镜和透镜后面的单模光纤，感光基板包括晶圆和设置在晶圆上的光刻胶，晶圆划分为多个曝光场，深紫外激光光源、工件台和版图处理软件系统均与控制系统电连接，深紫外激光光源的光通过透镜被引入到单模光纤中，单模光纤经过光开关后连接高精度二维光纤阵列，高精度二维光纤阵列的端面与菲涅尔波带片阵列对准；本发明提供的基于光纤阵列的深紫外光刻机，曝光线条更为精细，能够适应更多生产需求。
一种基于光纤阵列深紫光刻

[发明专利]一种高精度数字光刻机-CN202310580511.4在审
发明人：陈大鹏;傅剑宇 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及芯片或集成电路制造技术领域，具体公开了一种高精度数字光刻机，包括曝光系统、放有感光基板的工件台、控制系统和安装在计算机中的版图处理软件系统，曝光系统包括单模光纤耦合的紫外激光器、高精度二维光纤阵列和大数值孔径微透镜阵列，感光基板包括晶圆和具有光热反应功能的涂覆层，具有光热反应功能的涂覆层形成在晶圆的表面，晶圆划分为多个曝光场，单模光纤耦合的紫外激光器、工件台和版图处理软件系统均与控制系统电连接，单模光纤耦合的紫外激光器连接高精度二维光纤阵列，高精度二维光纤阵列的端面与大数值孔径微透镜阵列对准。本发明提供的高精度数字光刻机，能够快速进行大量微小光斑的曝光，兼具高精度线条与高光刻效率。
一种高精度数字光刻

[发明专利]一种盲元检测方法、装置、计算机设备及介质-CN202310252912.7在审
发明人：王晓磊;郭俊杰;傅剑宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种盲元检测方法、装置、计算机设备及介质，S1，对单帧热红外图像建立N×N的第一滑动窗口；S2，在每个相邻像素的灰度值大于等于中心像素的灰度值，或者每个邻域像素的灰度值小于中心像素的灰度值时，执行S3；S3根据中心像素的灰度值和邻域像素的灰度值，确定灰度值的均值μ和灰度值的方差σ；S4在中心像素的灰度值位于(μ‑3σ，μ+3σ)范围之外时，确定中心像素为盲元；S5，从多个邻域像素中确定灰度值最大的邻域像素，记为第一像素；S6，建立以第一像素为中心像素的第二滑动窗口，将第一滑动窗口的中心像素的灰度值替换为均值μ，重复执行S2‑S4步骤，能检测孤立盲元和连续盲元，较好的保存图像边缘，具有计算简单，硬件易实现的特点。
一种检测方法装置计算机设备介质

[发明专利]一种适用于微弱信号的读出电路-CN202310287386.8在审
发明人：王晓磊;孙冠军;傅剑宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种适用于微弱信号的读出电路，所述读出电路包括：斩波放大电路(1)和开关电容滤波电路(2)；所述斩波放大电路(1)的输入端与被测器件(3)的输出端连接，用于检测并放大所述被测器件(3)输出的微弱信号；所述开关电容滤波电路(2)的输入端与所述斩波放大电路(1)的输出端连接，用于滤除所述斩波放大电路(1)产生的噪声。可见，在本申请技术方案中，利用斩波放大电路和开关电容滤波电路构成读出电路，既实现了对微弱信号的检测并放大，还滤除了斩波放大电路产生的噪声。如此，提高了微弱信号检测的准确性。
一种适用于微弱信号读出电路

[发明专利]硅通孔加工方法-CN202310356953.0在审
发明人：陈齐松;杜祥雷;傅剑宇;陈桥波;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请关于硅通孔加工方法，涉及半导体器件材料技术领域。该方法包括：获取双抛片；在双抛片的表面生成硅化合物层；在第一表面制备预设图形；基于预设图形在双抛片的第一表面的硅化合物层上以第一预设深度进行刻蚀，第一预设深度为200μm~300μm；曝光；对第一表面进行保护；自第二表面在硅化合物层上进行刻蚀至双抛片刻通；对刻通后的双抛片进行去胶。在进行TSV加工的过程中，将双抛面相对的两个表面上分别生成硅化合物层，并在生成硅化合物层后，从第一表面进行部分刻蚀，在刻蚀后，在第二表面制备相同的图案，并从第二表面开始刻蚀至双抛片刻通。该工艺方法能够在高透光率的较厚材料上进行TSV加工，加工后，底部形貌与顶部形貌一致。
硅通孔加工方法

[发明专利]一种热电堆传感器热学参数自测试方法-CN202210163647.0有效
发明人： 傅剑宇;袁天辉;侯影;杜祥雷;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本发明涉及热电堆传感器技术领域，具体公开了一种热电堆传感器热学参数自测试方法，其中，包括：根据待测热电堆传感器的初始阻值计算待测热电堆传感器的电阻温度系数；获取待测热电堆传感器在反向恒定电流下的第一电学响应，并根据第一电学响应与恒定电流的映射关系确定第一电流值；根据第一电流值计算塞贝克系数；获取待测热电堆传感器在正向恒定电流下的第二电学响应；计算反向热导以及正向热导；根据反向热导和正向热导计算待测热电堆传感器的热导，以及计算得到待测热电堆传感器的热容。本发明提供的热电堆传感器热学参数自测试方法在保证测试准确且稳定的基础上，大幅降低了测试系统复杂性，具有测试方法简单，测量准确和功能多样的特点。
一种热电传感器热学参数测试方法

[发明专利]红外热电堆传感器的塞贝克系数测试方法-CN202211051119.2在审
发明人：袁天辉;傅剑宇;欧文;孙冠军;杜祥雷;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明关于红外热电堆传感器的塞贝克系数测试方法，涉及传感器技术领域。该方法包括：根据待测器件的器件结构确定与待测器件对应的平均温升与敏感区温升之比、待测器件在初始温度下的初始电阻以及电阻温度系数；在变温环境中，对待测器件施加第一组测试电流以及第二组测试电流；生成至少一个参考系数函数；基于参考系数函数构建塞贝克系数获取模型，将参考系数输入塞贝克系数获取模型，输出与待测器件对应的塞贝克系数以及对应温度。通过在多组正负方向的电流激励下得到的热电堆传感器电阻响应曲线，无需添加额外的结构，即可获得宽温度范围内的塞贝克系数，具有测试方法简单，测量准确的特点。
红外热电传感器贝克系数测试方法

[发明专利]一种非制冷红外探测器及其制作方法-CN202210716708.1在审
发明人： 傅剑宇;张剑;唐力强;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，具体公开了一种非制冷红外探测器的制作方法，其中，包括：提供晶圆衬底；根据数模混合集成电路标准工艺在晶圆衬底上分别制作读出电路和部分传感器结构，以及根据MEMS工艺在部分传感器结构基础上完成传感器的制作；根据数模混合集成电路标准工艺在晶圆衬底上制作敏感元件、导线和自对准金属图形；对自对准金属图形进行处理得到支撑梁和吸收区；对吸收区进行加工处理，得到吸收层和位于吸收层上的吸收结构；对晶圆衬底进行处理形成空腔。本发明还提供了一种非制冷红外探测器。本发明提供的非制冷红外探测器的制作方法能够制作得到高探测响应率的单片集成非制冷红外探测器。
一种制冷红外探测器及其制作方法

[发明专利]无掩模激光直写系统及无掩模激光直写方法-CN202011442428.3有效
发明人：陈大鹏;傅剑宇 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种无掩模激光直写系统及无掩模激光直写方法，无掩模激光直写系统包括：光纤阵列，所述光纤阵列包括若干M行＊N列排布的光纤；样品台，所述样品台上适于承载待光刻工件，所述待光刻工件具有目标刻蚀版图；版图数据转化模块，版图数据转化模块适于根据光纤阵列的参数将所述目标刻蚀版图转换为模块化图形，模块化图形包括若干目标图形模块，各目标图形模块包括M行＊N列排布的若干目标图形单元，各目标图形单元包括k行＊j列排布的若干网格；控制模块，所述控制模块适于控制每根光纤输出激光束以及关断激光束，控制模块还适于控制所述光纤阵列与所述样品台之间进行相对位移。所述无掩模激光直写系统能提高图形化的效率。
无掩模激光系统方法

[发明专利]X射线阵列传感器、探测器及其制作方法-CN202210517555.8在审
发明人：殷华湘;许高博;翟琼华;傅剑宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底、第一掺杂区域、第二掺杂区域阵列，与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，用于将第二掺杂区域进行电隔离；位于第二掺杂区域上、相邻的隔离覆盖结构之间的pin接触电极；以及位于pin接触电极上的第一封装电极；隔离覆盖结构包括第一隔离结构和其上的第二隔离结构，第一隔离结构嵌入于半导体衬底中，且在背离第二隔离结构的方向上具有渐缩的形状。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。
射线阵列传感器探测器及其制作方法

[发明专利]硅基探测器及其制作方法-CN202210338297.7在审
发明人：孙朋;傅剑宇;许高博;丁明正;殷华湘;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率；此外缩短了注入区边缘位置硅氧界面处到第二电极层的距离，使该硅氧界面位置处固定电荷的电力线能部分终止于第二电极层处；提高了器件在受到X射线辐照总剂量效应下的击穿电压，降低器件的暗电流，使得硅基探测器具有较高的可靠性。
探测器及其制作方法

[发明专利]硅基探测器及其制作方法-CN202110367441.5有效
发明人：许高博;翟琼华;丁明正;傅剑宇;孙朋;殷华湘;颜刚平;田国良 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器包括衬底以及设置在所述衬底上的器件结构层，所述器件结构层包括沿垂直所述衬底平面方向向上依次设置的吸收层、增益层、第一电荷层、第二电荷层和接触层；所述器件结构层还包括环状结区，所述环状结区位于所述吸收层上方，且套设在所述增益层、所述第一电荷层、所述第二电荷层和所述接触层的边缘外侧；所述环状结区与所述吸收层、第一电荷层和第二电荷层的掺杂类型均不同。该硅基探测器通过引入第二电荷层可以有效增加增益区的深度，提高器件的耗尽电压与击穿电压，获得合适的增益与较高的时间分辨，同时能够减少探测器对高能离子注入等极端工艺和设备的依赖。
探测器及其制作方法

[发明专利]热电堆红外传感器热学参数自测试方法、装置及系统-CN202210485634.5在审
发明人：袁天辉;傅剑宇;侯影;孙冠军;杜祥雷;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，具体公开了一种热电堆红外传感器热学参数自测试方法，其中，包括：获取待测热电堆红外传感器的初始电压以及电学响应信号；根据电学响应信号、有效塞贝克系数计算待测热电堆红外传感器的热导；根据电学响应信号、脉冲信号源的频率、有效塞贝克系数计算待测热电堆红外传感器的热容；根据电学响应信号、最大电压变化量、有效塞贝克系数、脉冲信号源的频率并结合热时间常数算法计算待测热电堆红外传感器的热时间常数。本发明还公开了一种热电堆红外传感器热学参数自测试装置及热电堆红外传感器热学参数自测试系统。本发明提供的热电堆红外传感器热学参数自测试方法能够实现热学参数的直接测试。
热电红外传感器热学参数测试方法装置系统

[发明专利]X射线阵列传感器、探测器及其制作方法-CN202010677646.9有效
发明人：殷华湘;许高博;翟琼华;傅剑宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底；具有相反掺杂离子类型的位于半导体衬底下表面处的第一掺杂区域和上表面处的第二掺杂区域阵列，第二掺杂区域阵列包括间隔设置的至少两个第二掺杂区域；与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，该结构与相邻的两个第二掺杂区域的连线相交，并且每个第二掺杂区域的上表面由两侧的隔离覆盖结构限定出第二开口；以及位于第二开口中的pin接触电极。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。
射线阵列传感器探测器及其制作方法

[发明专利]一种二极管型非制冷红外探测器-CN202111667077.0在审
发明人： 傅剑宇;瞿帆;侯影;杜祥雷;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01J5/22 文献下载
摘要：本发明涉及探测器技术领域，具体公开了一种二极管型非制冷红外探测器，其中，包括：敏感单元、支撑梁和框架，所述敏感单元和所述支撑梁悬空设置在所述框架内，且所述敏感单元的端部通过所述支撑梁与所述框架的侧壁连接；所述敏感单元内设置有N合一二极管，其中N≥3，所述支撑梁内设置导线，所述N合一二极管与所述导线电气连接。本发明提供的二极管型非制冷红外探测器在保持大的结面积的基础上尽可能多的增加串联二极管的个数，使得该二极管能够在小像素的情况下有效提升电压温度灵敏度，从而优化红外探测器的整体性能，具有工艺易于实现，结构简单，性能优良的特点。
一种二极管制冷红外探测器

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