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[发明专利]一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法-CN202211271596.X在审
发明人：徐德超;倪琴菲;倪经;林亚宁;陈铭 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜材料领域，其制备方法为：分别采用FeGaB靶材和Al2O3绝缘层作为原料，使用磁控溅射台进行多层薄膜制备；制作完成后，对多层薄膜在100‑200℃的温度下进行退火；采用本发明的制备方法，制得的多层磁致伸缩薄膜的矫顽力和线宽都得到明显改善，从而提升了材料的软磁性能。
一种矫顽力低线宽多层伸缩薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法-CN202211271597.4在审
发明人：黄河;倪经;周俊;张羽;林亚宁;徐德超;张强;张敖;谢海军;张景铭;王亚东;李雄 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01C17/242 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，属于电子元件技术领域，其步骤包括溅射、光刻、电镀、负载老化、负载匀胶、去胶、裂片和激光调阻；本发明在负载匀胶步骤时，涂覆一层厚度适中的光刻胶，对薄膜负载进行有效保护，并通过适当地调节激光参数，可极大程度地降低电阻负载膜层气化切除损伤，最终呈现效果为在20～60倍显微镜下观察薄膜负载表面无调阻痕迹、无灼烧痕迹，这样一方面解决了器件的隔离度和耐受功率降低，保证其性能和可靠性不受调阻影响，另一方面，也能够满足军工、航天产品高质量外观要求。
一种基于铁氧体材料薄膜电路激光方法

[发明专利]一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法-CN201910552382.1有效
发明人：周俊;陈宁;黄河;倪经;邹延珂;郭韦;徐德超;林亚宁;陈彦 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B23K26/382 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋磁铁氧体基片快速激光通孔方法，微加工技术领域,其方法是将待通孔的旋磁铁氧体基片固定在夹具上，并通过夹具中的电阻丝对基片进行加热，然后再进行激光通孔，本发明在旋磁铁氧体基片激光通孔时，对基片进行加热，可有效降低大功率激光通孔时温差过大致使基片出现微裂纹或断裂发生，很好地解决了微波铁氧体隔离器成本高、可靠性低的问题；另外，由于对旋磁铁氧体基片进行加热处理，激光通孔时可采用比现有技术更高的激光功率，可达到快速通孔的目的，生产效率提升2倍以上，实现批量化生产。
一种磁铁氧体基片快速激光方法

[发明专利]一种高频磁芯用软磁复合膜及其制备方法-CN201910994095.6有效
发明人：郭韦;张明;倪经;周俊 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频磁芯用软磁复合膜，属于软磁薄膜技术领域，其化学组成为[(Ni100‑xFex)100‑y(SiO2)y/SiO2]n，其结构为：包括基片，所述基片上沉积有3‑5个薄膜单元，所述薄膜单元由颗粒膜层和所述颗粒膜层之上的SiO2薄膜层组成，还公开了其制备方法；本发明的复合膜同时具有下述性能：优良的软磁性能：饱和磁化强度4πMs≥9000Gs、各向异性场Hk：40‑80Oe，具有优良的高频性能：截止频率fr≥1GHz、磁导率实部(100MHz下)μr≥100，具有较高的电阻率：ρ≥4000μΩ·cm，单轴各向异性方向平行膜面，这有利于增加薄膜电感的感值稳定性和抗直流偏置能力，是一种应用于高频薄膜电感中的理想材料。
一种高频磁芯用软磁复合及其制备方法

[发明专利]一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构及制备方法-CN202110599002.7在审
发明人：林亚宁;赖金明;程隽隽;周俊;倪经;吴燕辉;陈学平;李林玲;冯旭文;黄河 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构，属于微波集成器件领域，所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层，优选在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层；本发明还公开了上述电路膜层结构的制备方法；使用本申请的电路膜层结构与现有技术相比，MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件的插入损耗能够降低0.2‑0.3dB，满足MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件应用的低损耗要求。
一种 mems 硅基腔体环行器隔离器电路结构制备方法

[发明专利]硅-旋磁铁氧体嵌套结构及其制作方法-CN202011485464.8有效
发明人：林亚宁;赖金明;周俊;倪经;陈学平;李林玲;吴燕辉;徐德超 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：本发明公开了硅‑旋磁铁氧体嵌套结构，属于微波集成器件微加工领域，包括硅腔体和嵌入至所述硅腔体内的旋磁铁氧体，其特征在于：在所述旋磁铁氧体的侧面和下表面设置有金属薄膜粘附层，并在所述金属薄膜粘附层上设置有氮化硅薄膜层；本发明还公开了上述嵌套结构的制作方法，包括旋磁铁氧体超声清洗、在旋磁铁氧体上表面和侧面溅射一层金属薄膜粘附层；本发明在高温或者温度冲击的过程中，可以保证硅与旋磁铁氧体热膨胀不会失配，保证MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件的可靠性，硅与旋磁铁氧体嵌套结构发生热膨胀失配的可能性大大降低，嵌套结构热稳定性提高，满足MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件对可靠性的要求。
磁铁嵌套结构及其制作方法

[发明专利]一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法-CN202011487048.1有效
发明人：林亚宁;赖金明;周俊;倪经;陈学平;李林玲;吴燕辉;徐德超;王倩;冯旭文 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法，属于微波集成电路微加工技术领域，所述方法为：采用常温直流磁控溅射在硅晶圆上进行金属薄膜生长，完成金属薄膜电路图形化后，将硅晶圆放入高温高压气氛炉中进行一定时长的保温保压处理，然后进行降温取片即得；采用本发明的方法与现有技术相比，金属薄膜电路膜层附着力具有显著提高，常温磁控溅射工艺将整体工艺时间缩短一半以上，满足硅基腔体环行器器件生产对器件可靠性和生产效率的要求。
一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力方法

[发明专利]一种铁氧体基片上金属薄膜电路电镀前清洗处理方法-CN202011478653.2在审
发明人：林亚宁;陈学平;倪经;周俊;李光东;李林玲;徐德超;邹延珂;张羽;黄河;陈彦;吴燕辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁氧体基片上金属薄膜电路电镀前清洗处理方法，属于微电子器件加工领域，其步骤包括：采用“二氧化碳雪”对铁氧体基片进行一次喷射清洗、使用酸溶液进行浸泡处理、采用“二氧化碳雪”对铁氧体基片进行二次喷射清洗和纯水冲洗等步骤；采用本发明的方法，处理时间较原处理时间缩短至少50%，电镀膜层可靠性提高，满足环行器/隔离器器件对电镀工艺效率和可靠性的要求。
一种铁氧体基片上金属薄膜电路电镀清洗处理方法

[实用新型]一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置-CN202021142768.X有效
发明人：黄河;周俊;倪经;邹延珂;徐德超;林亚宁;李光东;张羽;郭韦;陈彦;张景铭;张强;张敖;谢海军 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置，属于永磁体加工技术领域，包括工作台（3），所述工作台（3）上方设置箱罩（1），所述箱罩（1）内的一侧设置激光打孔作业区（2），在所述箱罩（1）内的另一侧设置通风管道（9），所述通风管道（9）的一端通过一喇叭口（5）与激光打孔作业区（2）相连，另一端连接一抽风机（11），所述通风管道（9）内设置有至少一级磁粉吸附单元；本实用新型的粉末收集装置对于铁氧体粉末有着非常好的吸附效果，能够吸附过滤空气中98%以上的铁氧体粉末，填补了铁氧体激光通孔过程中粉末收集领域的空白，保护环境；永磁体格栅可循环利用，高效节能。
一种铁氧体激光过程粉末收集装置

[发明专利]一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置-CN202010562893.4在审
发明人：黄河;周俊;倪经;邹延珂;徐德超;林亚宁;李光东;张羽;郭韦;陈彦;张景铭;张强;张敖;谢海军 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置，属于永磁体加工技术领域，包括工作台（3），所述工作台（3）上方设置箱罩（1），所述箱罩（1）内的一侧设置激光打孔作业区（2），在所述箱罩（1）内的另一侧设置通风管道（9），所述通风管道（9）的一端通过一喇叭口（5）与激光打孔作业区（2）相连，另一端连接一抽风机（11），所述通风管道（9）内设置有至少一级磁粉吸附单元；本发明的粉末收集装置对于铁氧体粉末有着非常好的吸附效果，能够吸附过滤空气中98%以上的铁氧体粉末，填补了铁氧体激光通孔过程中粉末收集领域的空白，保护环境；永磁体格栅可循环利用，高效节能。
一种铁氧体激光过程粉末收集装置

[实用新型]基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器-CN201821882073.8有效
发明人：蒋运石;闫欢;韩晓川;任士晶;刘峰;李红炬;倪经;周俊 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器，包括水平设置的基板，基板中心设有圆形通孔，通孔内设有铁氧体基片，铁氧体基片上方设有永磁体，铁氧体基片上表面设有一金属盖板，金属盖板上表面与基板上表面平齐，并与表面微带电路连通，所述永磁体下表面与金属盖板上表面固定连接；基板上表面沿圆形通孔的径向设有三个金属化槽孔，所述金属化槽孔分别位于三个电磁波信号传输通道中，且一端与金属盖板焊接；所述金属化槽孔、旋磁铁氧体基片和表面微带电路整体与电磁波阻抗匹配。本实用新型克服传统SIW器件在X波段及以下低频段无法实现小型化，且对于复杂介质腔体工艺实现成本高、难于实现等问题，工艺简单，精度高。
金属盖板铁氧体基片金属化槽上表面本实用新型基板上表面半填充式高介陶瓷微带电路圆形通孔环行器铁氧体永磁体电磁波信号旋磁铁氧体传输通道复杂介质工艺实现基板中心水平设置阻抗匹配电磁波低频段下表面基板平齐腔体通孔焊接连通

[发明专利]基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器及加工方法-CN201811359935.3在审
发明人：蒋运石;闫欢;韩晓川;任士晶;刘峰;李红炬;倪经;周俊 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器及加工方法，包括水平设置的基板，基板中心设有圆形通孔，通孔内设有铁氧体基片，铁氧体基片上方设有永磁体，铁氧体基片上表面设有一金属盖板，金属盖板上表面与基板上表面平齐，并与表面微带电路连通，所述永磁体下表面与金属盖板上表面固定连接；基板上表面沿圆形通孔的径向设有三个金属化槽孔，所述金属化槽孔分别位于三个电磁波信号传输通道中，且一端与金属盖板焊接；所述金属化槽孔、旋磁铁氧体基片和表面微带电路整体与电磁波阻抗匹配。本发明克服传统SIW器件在X波段及以下低频段无法实现小型化，且对于复杂介质腔体工艺实现成本高、难于实现等问题，工艺简单，精度高。
金属盖板铁氧体基片金属化槽上表面基板上表面半填充式高介陶瓷微带电路圆形通孔环行器铁氧体永磁体电磁波信号旋磁铁氧体传输通道复杂介质工艺实现基板中心水平设置阻抗匹配电磁波低频段下表面基板平齐腔体通孔焊接连通加工

[发明专利]铁氧体基板FePt永磁薄膜的制备方法-CN201510071396.3有效
发明人：郭韦;倪经;黄豹;邹延珂 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及磁性薄膜材料的制备工艺领域，特别涉及一种铁氧体基板FePt永磁薄膜的制备方法，包括如下步骤（A）将基片放入盛有去离子水的结晶皿中，用超声波清洗机清洗，再将基片放入盛有去离子水的陶瓷坩埚中，在可调功率设备上加热至去离子水沸腾，最后用竹镊子将基片放于红外灯下烘烤;（B）用N2气枪吹N2气洁净基片，用镊子把基片放置在基片托上；给预真空室充气；给预真空室排气。本发明的有益效果是磁控溅射沉积速率适中；所获薄膜与基片的结合力较好；薄膜的致密度高；膜层厚度可控。
铁氧体 fept 永磁薄膜制备方法

[发明专利]铁氧体基板永磁薄膜的快速退火方法-CN201510231625.3在审
发明人：郭韦;倪经;周俊;黄豹;邹延珂 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01F41/22 文献下载
摘要：本发明涉及磁性薄膜材料的退火工艺领域，其公开了一种铁氧体基板永磁薄膜的快速退火方法，包括如下步骤：（A）用N2气清洁基片；（B）放在陶瓷平板上；（C）在激光退火炉中进行高温退火处理，退火的同时在垂直膜面方向施加强磁场;（D）取片。本发明的有益效果是：采用激光退火工艺进行热处理可以使退火周期短；退火便于准确定位处理，不影响周边和下方材料的性能；不需要高真空或惰性气体保护，没有不可控的杂质污染；可在较低的基体温度下进行退火，基体变形小，膜层材料不会有升华或分解发生；永磁薄膜结晶速度高。
铁氧体永磁薄膜快速退火方法

[发明专利]新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法-CN201510231478.X在审
发明人：邹延珂;倪经;周俊;陈彦;黄豹;郭韦 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明涉及微加工领域，其公开了一种旋磁铁氧体材料基片的平整化方法，包括如下步骤：清洗旋磁铁氧体基片；基片放入；腔室抽真空；基片加热；基片表面清洁；制备Si0₂薄膜；基片降至室温后取出。本发明的有益效果是：采用绝缘性能高、表面能级密度低、导热性好、热膨胀系数小的绝缘材料SiO₂、Al₂O₃、MgO，先旋磁铁氧体基片上溅射一层绝缘薄膜，再在旋磁铁氧体基片上制备高可靠性、高稳定性的旋磁铁氧体薄膜微波电路。
新型磁铁氧体基片平整方法

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