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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202310324678.4在审
发明人： 保坂泰靖;神长正美;井口贵弘;三泽千惠子;佐藤亚美;土桥正佳 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种集成度高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一及第二晶体管以及第一绝缘层，第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层具有接触于第一半导体层及第一导电层的区域以及到达第一导电层的开口，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第二导电层位于第一绝缘层上，第三导电层设在第一半导体层上且具有隔着第二绝缘层重叠于开口的内壁的区域，第二半导体层接触于第四及第五导电层的彼此相对的侧端部的侧面及顶面，第六导电层隔着第三绝缘层设在第二半导体层上，第一及第二晶体管彼此电连接。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]显示装置及具有该显示装置的电子设备-CN201810760315.4有效
发明人： 保坂泰靖;岛行德;冈崎健一;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及显示装置及具有该显示装置的电子设备。显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。
显示装置具有电子设备

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180072568.2在审
发明人：佐藤来;保坂泰靖;中泽安孝;白石孝;荻野清文;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包括通态电流高的晶体管的半导体装置及其制造方法。提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。本发明是一种包括衬底、衬底上的岛状绝缘层以及衬底及绝缘层上的晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层及一对导电层。一对导电层的一方具有与绝缘层重叠的区域，一对导电层的另一方具有不与绝缘层重叠的区域。一对导电层的另一方的顶面的高度低于一对导电层的一方的顶面的高度。一对导电层分别与半导体层接触。半导体层具有隔着栅极绝缘层与栅电极重叠的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备-CN202211581242.5在审
发明人： 保坂泰靖;岛行德;中田昌孝;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备。在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。
半导体装置包括显示装置以及电子设备

[发明专利]晶体管-CN201710430180.0有效
发明人：后藤尚人;保坂泰靖;矢口瑞穂 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的是提供一种占有面积小的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种可靠性良好的晶体管。在具有凸部的绝缘层上设置晶体管。在该凸部上至少设置半导体层的沟道形成区。由此，可以减小该晶体管的占有面积。由于该晶体管具有弯曲的结构，因此从外部入射的光不容易到达半导体层的沟道形成区。由此可以减轻外部光所引起的该晶体管的劣化，而可以提高该晶体管的可靠性。该凸部可以通过利用形成在该绝缘层上的层的内部应力来实现。或者，可以通过在该绝缘层下形成用来使该绝缘层具有凸部的结构体来实现。
晶体管

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN202210637773.5在审
发明人：神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN201780012189.8有效
发明人：神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN202111461741.6在审
发明人：山崎舜平;保坂泰靖;增山光男;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在显示装置中，在同一衬底上制造可以高速工作的电路和像素。显示装置的制造方法如下所述。在第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜、第一金属膜及岛状的第一抗蚀剂掩模。接着，在形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层的同时使第一绝缘层的顶面的一部分露出，去除第一抗蚀剂掩模。接着，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜、第二金属膜及岛状的第二抗蚀剂掩模。接着，形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层，去除第二抗蚀剂掩模。然后，去除第一金属层及第二金属层。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置-CN202111285522.7在审
发明人：三宅博之;冈崎健一;保坂泰靖;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的显示装置-CN201710317084.5有效
发明人：山崎舜平;中泽安孝;保坂泰靖;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个方式包括：栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜是In氧化物或In‑Zn氧化物，第二氧化物半导体膜是In‑M‑Zn氧化物(M为Al、Ga或Y)，并且，第二氧化物半导体膜包括In原子的数量为In、M和Zn原子的总数的40％以上且50％以下的区域及M原子的数量为In、M和Zn原子的总数的5％以上且30％以下的区域。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]半导体装置-CN202110965455.7在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置-CN201680076957.1有效
发明人：三宅博之;冈崎健一;保坂泰靖;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]半导体装置-CN201480064849.3有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置

[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置及金属氧化物膜的评价方法-CN202080014352.6在审
发明人：生内俊光;保坂泰靖;冈崎健一;高桥正弘;中山智则;金川朋贤;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供一种电特性高的金属氧化物膜。提供一种可靠性高的金属氧化物膜。金属氧化物膜包含铟、M(M是铝、镓、钇或锡)及锌。在根据从垂直于金属氧化物膜的膜面的方向照射电子束的电子衍射决定的面间隔d的分布中，金属氧化物膜具有第一峰以及第二峰。第一峰的顶点位于0.25nm以上且0.30nm以下的范围内，第二峰的顶点位于0.15nm以上且0.20nm以下的范围内。该面间隔d的分布是利用金属氧化物膜的多个区域中的多个电子衍射图案而得到的。电子衍射通过使用电子束径为0.3nm以上且10nm以下的电子束进行。
金属氧化物半导体装置评价方法

[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置-CN202110634377.2在审
发明人：三宅博之;冈崎健一;保坂泰靖;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
半导体装置包括显示装置

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