“侯育冬”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果138个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法-CN201210193736.6有效
发明人：王如志;张影;曲铭浩;严辉;张铭;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：一种同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：YbF3、ErF3，其中ErF3摩尔分数为0.5%~15%。制备方法是在YbF3粉体中加入ErF3粉体，球磨混合，烘干后压片，并用碳包覆的方法在600℃~750℃煅烧6h~8h，烧制成陶瓷靶材;利用电子束沉积方法：以硅片和石英为衬底，在真空条件下，衬底温度为400℃~500℃，靶间距为25cm~32cm,沉积束流为3mA~6mA，沉积时间为15min~90min。非晶薄膜实现上下转换两种机制的结合,有效地把紫外光波段（300nm~400nm）和红外光波段（980nm附近）转换到可见光波段（656nm附近），薄膜透过率均在95%以上，有望应用到太阳能电池提高其光电效率。
同时具有上下高透非晶氟化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有室温多铁性钬、铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法-CN201210210682.X无效
发明人：张铭;谢群锋;胡州;严辉;宋雪梅;王波;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：一种具有室温多铁性钬、铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷材料领域。此陶瓷的化学分子式为：Bi1-xHoxFe1-yCryO3，其中0＜x≤0.15，0＜y≤0.1。将原料Ho2O3、Bi2O3、Cr2O3和Fe2O3，按照计量比进行混合、球磨，得到的浆料烘干然后在750~830℃煅烧2h；对粉末再次球磨，烘干后加入聚乙烯醇水溶液，利用压片机在100-150MPa压力下压成片状；将片状物质在550℃下排胶4h，最后在800~870℃下烧结成瓷。该多铁陶瓷在室温下具有优异的铁电特性及铁磁特性。
一种具有室温多铁性钬铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种利用调频的方式改善高频放电等离子体均匀性的方法-CN201210133070.5有效
发明人：王波;徐利春;张铭;王如志;宋雪梅;侯育冬;朱满康;刘晶冰;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种利用调频的方式改善高频放电等离子体均匀性的方法，属于高频放电等离子体技术领域。在等离子体放电室中，一对平行电极，采用高频电源馈入到电极上，电磁场频率范围为13.56MHz～160MHz，充入放电气体，形成等离子体，馈入的高频电磁场的频率是经过自动调谐控制的，在等离子体放电过程中其频率始终持续不断地循环变化着，频率变化的范围是包含在13.56MHz～160MHz之内的一部分，或是13.56MHz～160MHz的整个范围，使等离子体放电空间中平行于电极的面上等离子体密度相对较高的位置发生循环变化。在一个以上的频率变化循环周期的时间段上，在平行电极间的平均等离子体密度是均匀的。
一种利用调频方式改善高频放电等离子体均匀方法

[发明专利]纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法-CN201210002294.2有效
发明人：王如志;曲铭浩;严辉;张铭;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。；利用激光脉冲沉积方法，以硅片为衬底，通入O2，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用，且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应，提高电池的光电转换效率。
纳米金字塔结构红外量子剪裁薄膜制备方法

[发明专利]铋层高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米粉体的溶胶-凝胶合成方法-CN201210042176.4无效
发明人： 侯育冬;荣井阳;朱满康;葛海燕;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：铋层高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米粉体的溶胶-凝胶合成方法，属于压电陶瓷材料技术领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧得到产物溶于去离子水，用硝酸滴定至pH＝2～3，收集沉淀溶解于草酸得到溶液A；用氨水滴定至pH＝10～11，离心分离获得白色沉淀B；将B溶解于柠檬酸中得溶液C；将Na2CO3和Bi(NO3)3溶于乙酸中，同时加入乙醇胺络合Bi3+离子，加热搅拌形成溶液D；将溶液C与D混合并加入乙醇胺调节pH＝7～9得溶胶E；将E于干燥得到干凝胶F；将干凝胶F于300～350℃下处理得中间产物G；将中间产物G650～850℃下晶化。本发明生产工艺简单、低成本、低能耗、制备的NBN纳米粉体成分均匀。
高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米溶胶凝胶合成方法

[发明专利]一种简易的长效超亲水钼表面的制备方法-CN201110436093.9无效
发明人：王波;刘云辉;宋雪梅;王如志;张铭;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C23C22/54 文献下载
摘要：一种简易的长效超亲水钼表面的制备方法，属于功能材料技术领域。对金属钼分别用甲苯、丙酮、酒精超声清洗，保存酒精中；用质量分数50-60％的HNO3溶液在40-50℃的环境下保持5分钟祛除表面污物与氧化物；然后放入反应溶液中，在150-180℃条件下进行5-24小时水热反应，用去离子水冲洗干净，在100-200℃条件下空气中热处理0.5-1.0小时即可，反应溶液为质量浓度60-68％的HNO3溶液和0.05-0.5M的十二烷基苯磺酸钠溶液按体积比(5-15)∶(40-100)组成的溶液。本发明可以很大程度用来改善其在表面润湿性能，广泛提高钼材料的应用，制备方法工艺简单、易操作、工艺重复性好。
一种简易长效超亲水钼表面制备方法

[发明专利]一种栅极电介质材料及其制备方法-CN201110345065.6有效
发明人： 侯育冬;司美菊;朱满康;葛海燕;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：一种栅极电介质材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明公开了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料，(1-x)LaAlO3-x BiAlO3，其中BiAlO3的固溶量是5-20％摩尔比；本发明还公布了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料的制备方法，包括按(1-x)LaAlO3-x BiAlO3的固溶量进行配料、混料、一次球磨、煅烧、二次球磨、排塑、烧结、被覆电极。利用本发明提供的方法获得的陶瓷材料，具有高于LaAlO3陶瓷材料的介电常数、低于LaAlO3陶瓷材料的介电损耗和烧结温度，所以本发明所提供的陶瓷材料可作为集成电路中新型栅极电介质材料使用。
一种栅极电介质材料及其制备方法

[发明专利]一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法-CN201110149912.1无效
发明人：王如志;曲铭浩;严辉;张铭;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，烘干后在1200℃煅烧12h，采用热压法压制成陶瓷靶材；利用激光脉冲沉积方法，以硅片或石英为衬底，通入O2，衬底温度为400～800℃，靶基距为5～8cm，工作气压为0.5～10Pa，激光能量为100～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池的热化效应，提高电池的光电转换效率。
一种红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法

[发明专利]具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法-CN201110193383.5有效
发明人：王如志;宋志伟;赵维;严辉;王波;张铭;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01J1/308 文献下载
摘要：具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：AlxGa1-xN，0＜x≤0.95。制备方法：将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统，抽真空、加热衬底、通入保护气体，用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。
具有电子发射增强混合氮化物薄膜阴极及其制备方法

[发明专利]一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法-CN201110122078.7无效
发明人：王如志;赵维;汪浩;严辉;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;张铭;刘晶冰 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa；通入保护气体调整工作气压为1×10-2-1×101Pa，在脉冲频率5-15Hz、脉冲能量300-500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃-1000℃并进行沉积。本发明通过控制沉积温度从而控制GaN薄膜的晶体结构，获得了最优的场发射性能的结晶度及结晶取向，有效提高了GaN薄膜型场发射阴极的场发射性能。
一种优化 gan 发射特性晶体结构调制方法

[发明专利]具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法-CN201110057064.1有效
发明人：王如志;赵维;汪浩;严辉;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;张铭 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J1/308 文献下载
摘要：本发明公开了具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极领域。本发明采用激光脉冲沉积系统，在保护气体下，依次在导电衬底上沉积一层具有表面突起形貌的半导体传导缓冲层，然后在半导体传导缓冲层上沉积一层半导体电子势垒层，再在半导体电子势垒层上沉积一层半导体电子势阱层，得到由导电衬底自下向上依次为半导体传导缓冲层、半导体电子势垒层和半导体电子势阱层的增强电子发射性能的薄膜场发射阴极。本发明的薄膜场发射阴极具有低阈值电场、高发射电流密度、电子发射稳定并兼具工艺简单、使用寿命长，制备工艺简单易行，不涉及复杂、昂贵的光刻技术及其相关设备。
具有增强电子发射性能薄膜阴极及其制备方法

[发明专利]全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法-CN201010570946.3无效
发明人：张铭;李廷先;王光明;严辉;宋雪梅;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩;王波;李扩社 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜，沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面，从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜；La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm，BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法：利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜，然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。
全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO₃薄膜的方法-CN201010543781.0无效
发明人：张铭;王光明;李廷先;严辉;宋雪梅;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩;王波 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法，属于功能材料制备技术领域。对Si衬底进行预处理；利用脉冲激光沉积方法，采用LaNiO3靶材，在上述衬底上制备高取向的LaNiO3薄膜；利用脉冲激光沉积方法，采用BiFeO3靶材，在LaNiO3薄膜上制备高取向的BiFeO3薄膜。本发明制备的产品兼容性好，膜晶粒大小均匀，排列致密，结晶度高，取向性好。
一种 si 衬底制备 100 取向 bifeo sub 薄膜方法

[发明专利]一种自清洁涂料及其制备方法-CN201010140748.3无效
发明人：王波;常艳丽;李耳;张雪红;宋雪梅;王如志;张铭;侯育冬;朱满康;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C09D167/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种自清洁涂料及其制备方法，涂料包括：醇酸清漆、纳米氧化铝粒子、低表面能疏水助剂、高效油性分散剂AHH和稀释剂，其中醇酸清漆为市售普通清漆，纳米氧化铝粒子粒径13nm-200nm，醇酸清漆与纳米氧化铝粒子的质量比1∶0.05-0.01，疏水助剂与醇酸清漆的质量比10-60∶100，高效油性分散剂含量占到以上总混合物质量的0.1％-0.6％，制备时将上述原料混合搅拌，搅拌速度在2000r/min以上，搅拌时间达到5个小时以上即可，本发明的涂料使用方便，制备的薄膜具有较好的透过率，薄膜呈现茶色，具有美观作用。
一种清洁涂料及其制备方法

[发明专利]一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法-CN200910238477.2无效
发明人：王如志;赵维;汪浩;严辉;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;张铭 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法。该场发射阴极材料可为GaN、AlN、BN、ZnO、ZnS，并且具有如下特征：直接带隙半导体且带隙宽度应介于3eV至7eV，能形成六方纤锌矿结构，且材料沿六方纤锌矿结构的(002)晶向择优生长；其厚度大于20nm小于50nm；同时具备六方相和非晶相。该场发射阴极材料的制备方法为：以硅为基底材料，分别经过预处理和HF酸浸泡后，在基底上进行激光脉冲沉积一定厚度的薄膜，从而得到最终产品。本发明所提供的制备工艺简单易行，制备的材料具有低阈值电场，高发射电流密度的电子发射特性，且该阴极结构以硅为基底，易于与其他微电子器件集成，是制造真空微电子器件的理想阴极。
一种具有阈值电场硅基场发射阴极材料及其制备方法