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[发明专利]内衬正偏压锥形管和直管复合的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710053016.2有效
发明人：魏永强;宗晓亚;张华阳;刘学申;刘源;侯军兴;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬正偏压锥形管和直管复合的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染的清理和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压锥形管和直管复合装置自身的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置所需的工艺参数，进行薄膜制备。
内衬偏压锥形复合多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]内衬锥形管和多孔挡板复合型的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710053027.0有效
发明人：魏永强;宗晓亚;陈小霞;张新国;张华阳;侯军兴;刘源;刘学申;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬锥形管和多孔挡板复合型的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压锥形管和多孔挡板复合型装置自身形状和结构组合的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置工艺参数，进行薄膜制备。
内衬锥形多孔挡板复合型多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]内衬直管和多孔挡板复合型的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710053019.6有效
发明人：魏永强;宗晓亚;张华阳;侯军兴;刘源;刘学申;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬直管和多孔挡板复合型的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压直管和多孔挡板复合型装置自身形状和结构组合的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置工艺参数，进行薄膜制备。
内衬多孔挡板复合型多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]内衬正偏压多孔型挡板的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710052985.6有效
发明人：魏永强;宗晓亚;刘学申;刘源;侯军兴;张华阳;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬正偏压多孔型挡板的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染的清理和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压多孔型挡板装置自身的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置所需的工艺参数，进行薄膜制备。
内衬偏压多孔挡板多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]活塞高度连续可变自锁的节能发动机-CN201910477455.5在审
发明人： 侯军兴;张华阳;安晓东;田国强;闫学伟 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： F02B75/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种活塞高度连续可变自锁的节能发动机，包括发动机系统和活塞调节系统，所述发动机系统由气缸盖、电控喷油器、气缸体、主活塞、连杆、曲柄和机油泵组成，所述活塞调节系统由副活塞、自锁电磁阀、回位电磁阀、回位弹簧、控制器、压力传感器和温度传感器组成，所述主活塞的内部套装有所述副活塞、所述回位电磁阀和所述回位弹簧，所述主活塞与所述副活塞之间的圆柱形侧壁上连接有所述自锁电磁阀，所述主活塞的下部设置有进油口和出油口。本发明结构简单、调节方法简易可靠，可以实时满足发动机不同转速、不同负荷工况对排量、压缩比、气缸内压力、气缸内温度的要求，应用范围广，推广后具有良好的经济效益和减排效果。
活塞主活塞副活塞发动机系统节能发动机自锁电磁阀调节系统回位弹簧连续可变电磁阀自锁电控喷油器气缸内压力温度传感器压力传感器应用范围广圆柱形侧壁控制器出油口机油泵进油口气缸盖气缸体压缩比减排排量气缸曲柄发动机简易

[发明专利]内衬阶梯管和多孔挡板复合型的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710052993.0有效
发明人：魏永强;宗晓亚;陈小霞;侯军兴;张华阳;刘源;刘学申;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬阶梯管和多孔挡板复合型的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压阶梯管和多孔挡板复合型装置自身形状和结构组合的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置工艺参数，进行薄膜制备。
内衬阶梯多孔挡板复合型多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]内衬正偏压阶梯形管的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710053036.X有效
发明人：魏永强;宗晓亚;刘源;侯军兴;张华阳;刘学申;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬正偏压阶梯形管的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染的清理和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压阶梯形管自身的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置所需的工艺参数，进行薄膜制备。
内衬偏压阶梯多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]内衬正偏压锥形管的多级磁场电弧离子镀方法-CN201710053037.4有效
发明人：魏永强;宗晓亚;侯军兴;张华阳;刘源;刘学申;蒋志强;冯宪章 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：内衬正偏压锥形管的多级磁场电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒及沉积离子对管内壁污染的清理和电弧等离子体传输过程中的损失问题。本发明方法包括：一、将待镀膜的工件置于真空室内的样品台上，接通相关电源，开启外部水冷系统；二、薄膜沉积：待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体并调整气压，开启镀膜电源，同时利用偏压电源吸引出口处的电弧等离子体和进行能量调节，通过内衬正偏压锥形管自身的阻挡屏蔽和正偏压电场抑制作用及多级磁场的过滤效应来有效消除大颗粒缺陷和保证电弧等离子体的传输效率，设置所需的工艺参数，进行薄膜制备。
内衬偏压锥形多级磁场电弧离子镀方法

[发明专利]组合磁场与内衬偏压多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀-CN201711486353.7在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压多孔型挡板装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压多孔型挡板装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗，设置工艺参数，进行薄膜制备。
偏压电源内衬磁场装置电源电弧等离子体电弧离子镀挡板装置多孔挡板组合磁场大颗粒多孔型真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与阶梯管和多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀-CN201711486439.X在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与阶梯管和多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明包括：偏压电源、电弧离子镀靶源、多级磁场装置、内衬偏压阶梯管和多孔挡板组合装置、活动线圈装置及相应的电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压阶梯管和多孔挡板组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗，设置工艺参数，进行薄膜制备。
多孔挡板阶梯管偏压电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场组合装置大颗粒真空室内衬过滤电源材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬偏压直管复合型过滤的电弧离子镀-CN201711486578.2在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压直管复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压直管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压直管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗，设置工艺参数，进行薄膜制备。
偏压电源内衬直管电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场大颗粒真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬直管与多孔挡板复合过滤的电弧离子镀-CN201711486818.9在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬直管与多孔挡板复合过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压直管与多孔挡板组合装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节电弧等离子体的能量，内衬偏压直管与多孔挡板组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高其在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗，设置工艺参数，进行薄膜制备。
多孔挡板偏压电源内衬直管电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置复合过滤组合磁场组合装置大颗粒真空室材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬偏压锥形管复合型过滤的电弧离子镀-CN201711487240.9在审
发明人：魏永强;王好平;侯军兴;刘源;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压锥形管复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压锥形管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗，设置工艺参数，进行薄膜制备。
偏压电源锥形管内衬电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场大颗粒真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬组合管和多孔挡板复合过滤的电弧离子镀-CN201711487651.8在审
发明人：魏永强;王好平;张新国;侯军兴;刘源;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬组合管和多孔挡板复合过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压组合管与多孔挡板组合装置及电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬组合装置、多级磁场和活动线圈装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗，设置工艺参数，进行薄膜制备。
电源内衬多孔挡板偏压电源组合管电弧等离子体电弧离子镀复合过滤活动线圈组合磁场组合装置大颗粒真空室材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率磁场装置工作气体过滤装置连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜磁场薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法-CN201711488858.7在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场电弧离子镀与高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤装置传输过程中电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源、示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗，设置制备工艺参数。
高功率脉冲电源电弧离子镀磁控溅射磁场装置复合沉积活动线圈偏压电源组合磁场大颗粒真空室材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数磁过滤装置薄膜沉积传输过程工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制示波器放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

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