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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011642925.8在审
发明人：赵晓燕;侯元琨;周川淼;张芳余 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底上具有第一鳍部和第二鳍部；位于衬底上的若干第一栅极结构，第一栅极结构的侧壁上具有第一侧墙结构，第一侧墙结构沿具有第二尺寸；位于衬底上的若干第二栅极结构，第二栅极结构的侧壁上具有第二侧墙结构，第二侧墙结构沿具有第四尺寸，第四尺寸小于第二尺寸。通过增大第一侧墙结构的第二尺寸覆盖第一鳍部，使得形成的第一源漏开口的尺寸减小。当第二源漏开口内的源漏掺杂层填满时，形成在第一源漏开口内的源漏掺杂层能够填充更多的空间，减小了第一源漏开口内的源漏掺杂层在中间位置出现的凹陷，降低导电层穿透源漏掺杂层的中间部分的风险，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种检测晶圆键合质量的方法-CN201510131035.3有效
发明人：李兵;游宽结;章国伟;侯元琨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种检测晶圆键合质量的方法，包括：提供实施晶圆键合后的晶圆，在晶圆的正面形成第一晶背保护膜；将晶圆翻转，在晶圆的背面形成第二晶背保护膜；沿着晶圆的边缘一定的距离切断第一晶背保护膜和第二晶背保护膜，形成将晶圆包裹住的气袋；对所述气袋所包裹住的晶圆进行晶圆键合质量检测。根据本发明，采用超声波扫描实施晶圆键合质量检测时，可以避免去离子水渗入晶圆边缘影响对检测结果的判断。
一种检测晶圆键合质量方法

[发明专利]一种接合晶圆及其制备方法-CN201410114959.8有效
发明人： 侯元琨;游宽结;华宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种接合晶圆结构及其制备方法，所述接合晶圆的边缘设置有若干垫片区域，所述接合晶圆的边缘仅所述垫片区域中不形成图案，用于放置垫片。本发明所述接合晶圆的优点在于；（1）由于垫片区域的设置，所述垫片不会和所述金属图案接触，所述垫片选用不锈钢材料，所述垫片区域的表面为氧化物层，因此可以避免垫片粘连的问题。（2）可以进一步提高顶部接合晶圆和底部接合晶圆之间对准的精确度，以提高器件的良率。（3）由于所述垫片区域仅仅占所述晶圆的边缘很小的一部分，除垫片区域以外的地方设置有图案，起到支撑，避免了在研磨过程中发生碎裂现象，提高器件的良率。
一种接合及其制备方法

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201310504876.5有效
发明人：陈怡骏;侯元琨;游宽结;华宇;彭文杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种晶圆减薄方法，包括：提供基板及晶圆，所述晶圆具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧面，所述侧面呈弧线状；沿第一表面向第二表面方向切削部分厚度的侧面，使部分厚度侧面呈竖直状；将所述晶圆第一表面与所述基板固定；对所述晶圆的第二表面进行减薄。所述晶圆减薄方法的仅对晶圆的部分弧线状侧面进行切削，切削的部分呈竖直状，竖直状侧面与所述晶圆的第一表面相连，然后将晶圆第一表面与基板固定在一起，之后切削部分的弧线状侧面，减小了每片晶圆的切削厚度，从而提高了切削效率，提高工艺效率，每次切削过程中切削工具损耗减少，增加了切削工具使用次数，提高了切削工艺的使用寿命。
晶圆第一表面切削侧面第二表面减薄弧线状竖直状基板固定切削工具工艺效率切削效率使用寿命基板减小片晶种晶

[发明专利]晶圆键合方法-CN201410446753.5有效
发明人： 侯元琨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一表面，所述第二晶圆具有第二表面，所述第一表面与第二表面具有若干对应的键合区；固定第一晶圆和第二晶圆，使第一表面和第二表面面对面平行且间隔预定距离；加热第一晶圆和第二晶圆至第一温度，并使第一晶圆和第二晶圆保持第一温度；将第一晶圆和第二晶圆降温至第二温度；在所述第二温度下移动第一晶圆和第二晶圆直至第一表面和第二表面贴合，第一表面和第二表面上对应的键合区对准；在所述第二温度下，键合连接第一表面和第二表面上的对应键合区。先过载加热晶圆以排除表面挥发气体，再降低温度进行晶圆键合连接，避免连接表面键合区相互剥离，产品失效。
晶圆键合方法

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201510006165.4在审
发明人：夏春伟;游宽结;侯元琨;陈怡骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的晶圆减薄方法，包括：提供一玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上沉积一层光阻，刻蚀所述玻璃晶圆边缘区域上的所述光阻；刻蚀所述玻璃晶圆的边缘区域，所述玻璃晶圆的表面形成一中心圆盘；将所述玻璃晶圆的中心圆盘键合在一载具晶圆上；以及背面减薄所述玻璃晶圆。本发明中，采用干法刻蚀的方法先对所述玻璃晶圆的边缘区域进行刻蚀，使得边缘区域的弧度刻蚀掉一部分，形成边界较为整齐的所述中心圆盘的结构，之后将所述中心圆盘与所述载具晶圆进行键合，再对所述玻璃晶圆的背面进行减薄，使得在减薄的过程中，所述玻璃晶圆的边缘区域不会出现裂纹。本发明的晶圆减薄方法可以提高产品的良率，提高生产效率。
晶圆减薄方法

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201410443004.7在审
发明人：陈怡骏;游宽结;侯元琨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成金属层；提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中退火腔室内的温度为第一温度；在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。本发明减小金属层以及基底从退火处理腔室内取出时具有的温度差，防止温度突变造成金属层以及基底发生翘曲，提高半导体结构的生产良率。
半导体结构制作方法

[发明专利]晶圆结构及其减薄方法-CN201410445829.2在审
发明人： 侯元琨;游宽结 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆结构及其减薄方法，其中晶圆结构的减薄方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有有效区域和无效区域，所述无效区域位于第一晶圆的边缘；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述第二晶圆的第一表面形成连接结构，所述连接结构的位置与所述有效区域对应；在所述第二晶圆的第一表面的边缘区域形成支撑结构，所述支撑结构的位置与所述无效区域对应；利用连接结构和支撑结构将所述第一晶圆和第二晶圆键合；沿所述第二表面对所述第二晶圆进行减薄。通过在第二晶圆边缘形成支撑结构，为第二晶圆边缘部分提供支撑力，避免该部分在第二晶圆减薄过程中受力不均而断裂破损，提高了产品的良率。
结构及其方法

[发明专利]一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法-CN201410053580.0在审
发明人： 侯元琨;游宽结;华宇;赵月林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法，所述密封结构位于所述接合晶圆的边缘，将位于所述密封结构内侧的所述接合晶圆形成密封区域，以防止C-SAM检测中所述接合晶圆的间隙进水；其中，所述接合晶圆包括相互接合的上部接合晶圆和下部接合晶圆。本发明的优点在于：（1）所述接合晶圆边缘上设置的密封结构可以在C-SAM检测过程中将水封锁在晶圆之外。（2）可以根据预先设定的检测方法选用C-SAM对所述晶圆接合质量进行检测。（3）所述晶圆在C-SAM检测之后不会受到损坏。
一种 sam 接合密封结构及其制备方法

[发明专利]晶圆处理方法-CN201310582750.X在审
发明人：陈怡骏;游宽结;华宇;侯元琨;张玮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆处理方法，包括：提供承载基底和待处理基底，待处理基底的第一表面键合于承载基底表面，待处理基底具有位于边缘的标记区，待处理基底标记区内的第一表面具有第一标记沟槽，第一标记沟槽具有到待处理基底中心距离最近的第一侧壁，第一侧壁到待处理基底边界具有第一距离，第一标记沟槽具有到待处理基底边界距离最近的第二侧壁，第二侧壁到待处理基底边界具有第二距离；对待处理基底进行第一修边工艺，使待处理基底的半径减小第三距离，并去除部分第一标记沟槽；在第一修边工艺之后，对待处理基底进行第二修边工艺，去除剩余的第一标记沟槽；在第二修边工艺之后，对待处理基底的第二表面进行减薄。
处理方法

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