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[发明专利]一种用于改善双面抛光抛光边缘的抛光液-CN202111515903.X在审
发明人：华千慧;刘福成;何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善双面抛光抛光边缘的抛光液，包括研磨颗粒和有机高分子聚合物，其中所述有机高分子聚合物为有机高分子增稠剂。本发明通过氢键、电荷排斥以及疏水缔合作用，以实现对水性体系的增稠，所述有机高分子聚合物在水溶液中通过氢键和疏水缔合作用形成复杂的分子间、分子内聚集网络结构，从而阻碍水分子的运动，导致抛光液流动性变差，使得新的抛光液不能进入抛光区域，同时抛光产物不能随抛光液排出，从而降低晶圆的抛光速率，尤其是晶圆边缘的抛光速率，达到保护边缘，提高晶圆的表面平坦度的作用。
一种用于改善双面抛光边缘

[实用新型]一种硅片氧化层去除装置-CN202223200472.0有效
发明人： 何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种硅片氧化层去除装置，涉及半导体技术领域。所述硅片氧化层去除装置包括第一构件和第二构件，所述第一构件具有第一凹腔，所述第二构件具有第二凹腔，所述第一凹腔与所述第二凹腔构成处理腔，所述处理腔内设有可活动定位件，所述处理腔与硅片容置腔相邻设置且连通，能够实现更有效的硅片边缘氧化层去除，避免氧化层残留。
一种硅片氧化去除装置

[发明专利]一种粗抛光液的再利用方法-CN202211346937.5在审
发明人：刘福成;何昆哲;华千慧 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种粗抛光液的再利用方法，包括以下步骤：步骤S1：将经过最终抛光工艺的粗抛光液回收至第一回收桶中；步骤S2：在第一回收桶中调整所述粗抛光液的pH值至设定范围，以得到回收粗抛光液；步骤S3：对所述回收粗抛光液进行第一次过滤，并将所述回收粗抛光液传输至第二回收桶中；以及步骤S4：对所述回收粗抛光液进行第二次过滤，并调整所述回收粗抛光液的pH值至目标范围，以得到制备双面抛光工艺所需的粗抛光原液配液，以对最终抛光工艺的粗抛光液进行回收再利用，降低抛光液的浪费，节约了成本。
一种抛光再利用方法

[发明专利]物理气相沉积设备及其方法-CN201910926708.2有效
发明人：王嘉熙;何昆哲;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种物理气相沉积设备及其方法。物理气相沉积方法包括使靶材的背侧上方的第一磁性体倾斜。绕着延伸穿过靶材的轴线移动第一磁性体。随后，吸引带电离子以轰击靶材，使得粒子自靶材射出并沉积在晶圆的表面上方。通过使磁性体相对于靶材倾斜，磁场的分布可更加随机及均匀。
物理沉积设备及其方法

[发明专利]一种抛光设备基座及抛光机-CN202210421987.9在审
发明人： 何昆哲;刘雨桥 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光设备基座及抛光机，抛光设备基座包括：基座本体和支撑面；其中，所述支撑面设置在所述基座本体上；沿所述基座本体由外周向中心方向，所述支撑面为一坡面，且所述支撑面的外周为所述坡面的顶部；所述支撑面用于承载待放置物。本发明提供的抛光设备基座及抛光机减缓了晶圆边缘的颗粒堆积缺陷，并由此提高了晶圆的产品良率。
一种抛光设备基座抛光机

[发明专利]抛光垫扎孔设备及抛光垫扎孔方法-CN202011522651.9在审
发明人：刘福成;何昆哲;华千慧 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光垫扎孔设备及扎孔方法。抛光垫扎孔设备包括承载台、扎孔装置及驱动装置；承载台用于放置待扎孔的抛光垫；扎孔装置位于承载台上方，扎孔装置包括扎针，用于对抛光垫进行扎孔作业；驱动装置与承载台和/或扎孔装置相连接，用于驱动承载台和/或扎孔装置沿水平方向移动，以对抛光垫的预定位置进行扎孔作业；控制装置与扎孔装置及驱动装置相连接，以控制扎孔装置及驱动装置的作业。本发明经改善的结构设计，通过控制装置控制扎孔装置对抛光垫进行自动化扎孔作业，可以确保扎孔的位置、间隔及深度的一致性，从而有效提高抛光垫的表面平坦度，并且可以有效避免手工扎针时因力度不当导致的断针问题，有助于提高后续的抛光良率。
抛光垫扎孔设备方法

[实用新型]抛光垫-CN202120908270.8有效
发明人： 何昆哲;刘福成;华千慧 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抛光垫，包括衬底层和位于所述衬底层上的抛光层，所述抛光层包括多个沿周向设置且同圆心的副沟槽，以及多个沿径向设置且连通所述副沟槽的主沟槽，所述主沟槽的沿宽度方向的截面形状为梯形，所述梯形的靠近所述衬底层一侧窄于远离所述衬底层一侧。通过设置主沟槽的截面形状为梯形，且梯形的靠近衬底层一侧窄于远离述衬底层一侧，其利用倾斜的主沟槽的槽壁，不仅有利于废液及废屑的排出和温度的控制，同时还在保证得抛光层具有较佳的硬度，有利于提高抛光的效率及效果；而多个沿周向设置、同圆心的副沟槽，使得抛光液输送于整个抛光层，进一步提高了抛光效果，从而解决现有抛光垫抛光效果不佳的问题。
抛光

[发明专利]一种用于晶圆的目视检测机及检测方法-CN201710600948.4有效
发明人：孙瑞;何昆哲;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于晶圆的目视检测机及检测方法。所述目视检测机包括：载台，用于支撑待测晶圆；机械手臂，设置于所述载台的两侧，用于抓取所述待测晶圆；其中，所述机械手臂绕第一轴向、第二轴向和第三轴向转动设置，所述第一轴向和所述第二轴向的延伸方向为水平面上的两个相互垂直的方向，所述第三轴向的延伸方向为垂直于所述水平面的竖直方向。根据本发明的目视检测机及检测方法，所述机械手臂通过不同的点以及轨道来实现绕三个不同的方向，例如X轴，Y轴，Z轴转动。通过所述转动进行两次抓取不同位置来实现晶圆无盲区，全部区域都可被检测，解决了目前目检机存在死角无法全面检测的问题，进一步提高了检测精度和准确度。
一种用于目视检测方法

[发明专利]硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法-CN201910402699.7在审
发明人： 何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片贴合气泡数量的评估方法以及图像传感器结构的制备方法，硅片贴合气泡数量的评估方法包括基于待评估硅片上预设长度内硅片厚度变化均匀性来评估待评估硅片上产生的气泡数量。通过上述方案，本发明在硅片贴合之前对硅片的贴合气泡数量进行预估，可以在工艺前预判气泡数量，从而提供工艺的准确性，提高得到产品的良率，本发明基于现有设备输出硅片厚度形貌，并对其获取的数据进行处理，从而预估贴合气泡的数量，预估方式简便有效，提高工作效率。
硅片贴合气泡数量评估方法图像传感器结构制备

[发明专利]接线检查方法-CN201611238102.2有效
发明人：王志贤;何昆哲;黄仲宽;林鸿裕 -专利权人：致茂电子（苏州）有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G01R31/67 文献下载
摘要：一种接线检查方法，包含当判断第一量测通道及第一电源通道各自的正端皆连接于多个电池其中之一的正端，且第一量测通道及第一电源通道各自的负端皆连接于该些电池其中之一的负端时，以第一电源通道提供第一电流，且以第一量测通道量测第一电压，以第一电源通道提供第二电流，且以第一量测通道量测第二电压，并依据第二电压与第一电压的差值，判断第一量测通道与第一电源通道是否连接于相同的电池。
接线检查方法

[发明专利]提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法-CN201910402705.9在审
发明人： 何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，提高晶圆抛光平坦度的方法包括：提供若干个来料晶圆；对来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，各预设抛光组中的各个来料晶圆的预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；分别对每一组预设抛光组中的来料晶圆进行抛光。本发明在抛光加工前对来料进行一定规则的分选分组分档，控制一起抛光加工的硅片，使得其差异性较低，使得加工时对硅片影响小，可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配，分组分档的预设参数可以基于几何测量获得，可以是硅片加工过程中的几何测量步骤，获取方式简便，可以简便有效的提高晶圆抛光平坦度，节约成本及工艺周期。
平坦度晶圆抛光硅片晶圆预设硅片加工抛光加工预设参数抛光组几何测量分组分档工艺周期获取方式抛光差异性分选匹配节约加工

[发明专利]热屏及单晶硅生长炉结构-CN201711368190.2在审
发明人：邓先亮;赵向阳;陈强;孙瑞;何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性。本发明可有效提高工艺效率，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
双层屏热屏单晶硅生长炉下层上层熔体坩埚半导体制造领域纵向温度梯度单晶硅质量均匀性保温材料工艺效率硅片径向角度倾斜熔体提拉包覆底面拉速轴向相交应用优化

[发明专利]电池模拟装置-CN201510315349.9有效
发明人：吴健铭;邹明颖;吴冠宏;何昆哲 -专利权人：致茂电子（苏州）有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电池模拟装置，用以模拟电池用于负载元件的状态，所述电池模拟装置包含受控电流源、电压感测模组与增益控制模组。受控电流源用以依据电流控制信号对负载元件提供输出电流。电压感测模组用以量测该输出电流流经该负载元件而产生的感测电压。增益控制模组电性连接于受控电流源与电压感测模组，用以依据电压控制信号、增益控制信号与感测电压，产生电流控制信号。
电池模拟装置

[实用新型]硅片研磨和清洗装置-CN201721880326.3有效
发明人： 何昆哲;华波;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片研磨和清洗装置，包括双面研磨部件、清洗蚀刻部件及边缘研磨部件。所述双面研磨部件包括双面研磨砂轮，所述双面研磨砂轮用于对硅片的两个相对设置的表面进行双面研磨；所述清洗蚀刻部件用于对经过双面研磨的硅片进行清洗蚀刻；所述边缘研磨部件包括边缘砂轮和工作台，所述边缘砂轮位于所述工作台的侧面，所述工作台用于承载经过清洗蚀刻的硅片，所述边缘砂轮用于对位于工作台上的硅片的边缘进行研磨。本实用新型提供的硅片研磨和清洗装置可完成对硅片依次进行双面研磨、清洗蚀刻以及边缘研磨的工艺，在双面研磨和边缘研磨之间对硅片进行清洗蚀刻，可以提高研磨工艺的合格率。
双面研磨硅片砂轮清洗蚀刻边缘研磨硅片研磨清洗装置工作台本实用新型蚀刻部件研磨相对设置合格率承载侧面

[实用新型]一种用于多线切割机的收线轴以及多线切割机-CN201720808208.5有效
发明人： 何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于多线切割机的收线轴以及多线切割机，包括第一承压板；第二承压板，与所述第一承压板相对设置；筒体，设置在所述第一承压板和第二承压板之间，所述筒体的中心为空腔，其中，所述筒体包括若干个筒体部，每个所述筒体部的两端分别可拆卸的固定安装在所述第一承压板上和所述第二承压板上。该收线轴拆卸和组装方便，在将收线轴轴体完全拆除后，即可实现收线轴和废切割线的分离，可以避免使用对缠绕在收线轴的切割线进行切割去除的方法，节约了成本，避免了粉尘的产生，并且废切割线完整，可以进行回收再利用，同时收线轴组装后也可以继续使用，避免了因更换全新的空收线轴而导致的高成本问题。
一种用于切割机收线以及

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