专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]输送托盘及半导体装置的制造装置-CN202220895813.1有效
  • 佐野真二;泷泽直树;关知则;横山岳;宫泽阳介 - 富士电机株式会社
  • 2022-04-18 - 2022-09-16 - H01L21/677
  • 本实用新型提供一种输送托盘及半导体装置的制造装置,抑制使用输送托盘而制造的产品组的品质的不均一。输送托盘包括单片托盘组和框。各单片托盘具有托盘部以及下端处于比托盘部的背面高的位置的耳部。框具有上表面和下表面、以及在托盘部配置于开口部的内部的状态下能够与耳部的下端抵接的抵接部。框的从下表面起算到抵接部为止的高度比从托盘部的背面起算到耳部的下端为止的高度低。即使在框的下表面与冷却板的设置面之间存在间隙,托盘部也进行位移,且背面与设置面接触。抑制搭载于输送托盘的处理对象组的接合层、的焊料的冷却速度的不均一、缩孔的产生,并抑制得到的产品组的品质的不均一。
  • 输送托盘半导体装置制造
  • [发明专利]无铅软钎焊方法和软钎焊物品-CN201580017804.5有效
  • 渡边裕彦;齋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永 - 富士电机株式会社
  • 2015-08-26 - 2019-08-23 - B23K1/19
  • 对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中,防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法,其包括如下工序:第1工序,使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触,在所述无铅软钎料的组成中,质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量%)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为:1.0质量%≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量%;第2工序,对前述无铅软钎料进行加热使其熔融;和,第3工序,对前述无铅软钎料进行冷却。
  • 无铅软钎焊方法物品
  • [发明专利]接合组装装置-CN201410394901.3有效
  • 斋藤俊介;渡边裕彦;小野真裕;大西一永;渡边孝志;佐野真二 - 富士电机株式会社
  • 2014-08-12 - 2018-01-30 - H01L21/52
  • 本发明提供一种接合组装装置,通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合,从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件金属线;传送台,对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承,并能在水平方向和垂直方向上移动;冷却板,隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却;热板),隔着所述传送台对所述层叠体进行加热;活性种气体导入管;惰性气体导入管;以及排气口,该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
  • 接合组装装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410386288.0在审
  • 渡边裕彦;斋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永 - 富士电机株式会社
  • 2014-08-07 - 2015-04-15 - H01L21/60
  • 提供半导体装置的制造方法,能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下,还原被接合构件及焊接材料,得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括:将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序;在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序;在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛,并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序;在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛,并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序;以及在加热工序之后保持于接合温度,并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物-CN200810178706.1无效
  • 佐野真二;郷原广道;滨敏夫;木村浩 - 富士电机控股株式会社
  • 2008-11-19 - 2009-05-27 - C23C14/24
  • 本发明公开了真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物。当客体材料与主体材料之比非常小时,很难非常精确地保持待气相沉积在工件表面上的客体材料的比率和客体材料的分布状态。根据本发明的真空气相沉积装置包括:真空室;设置在真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源;以及用于在真空室内将工件保持在固定状态的工件保持构件,工件具有将从第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的客体材料和主体材料沉积于其上的表面,该真空气相沉积装置还包括:屏蔽件,屏蔽件定位在第一气相沉积源和由工件保持构件保持的衬底之间,且引起在衬底表面上客体材料的气相沉积量小于主体的气相沉积量;屏蔽件驱动机构,屏蔽件驱动机构使屏蔽件绕第一轴线转动且使屏蔽件相对于第二轴线运动;以及单个驱动源,驱动源通过屏蔽件驱动机构驱动屏蔽件。
  • 空气沉积装置方法和气沉积物

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