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[发明专利]半导体装置用软钎焊材料-CN202011222092.X有效
发明人： 渡边裕彦;斋藤俊介;西村芳孝;百濑文彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
半导体装置钎焊材料

[发明专利]钎焊接合部-CN202080003690.X有效
发明人： 渡边裕彦;斋藤俊介;横山岳 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：提供可靠性高的钎焊接合部。一种钎焊接合部，其包含：钎焊接合层，其是以Sn为主成分、且还包含Ag和/或Sb和/或Cu的软钎料熔融而得到的；和，被接合体，其在与前述钎焊接合层接触的表面上具备镀Ni‑P‑Cu层，前述镀Ni‑P‑Cu层以Ni为主成分，且包含0.5质量％以上且8质量％以下的Cu、和3质量％以上且10质量％以下的P，前述镀Ni‑P‑Cu层在与前述钎焊接合层的界面具有微晶层，前述微晶层具备：包含NiCuP三元合金的微晶的相、包含(Ni，Cu)3P的微晶的相、和包含Ni3P的微晶的相。
钎焊接合部

[发明专利]钎料构件和钎焊方法-CN202110714016.9在审
发明人：中原浩昭;渡边裕彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种能稳定地载置，并且能使熔融钎料到达狭窄部位的钎料构件。钎料构件(10)包括线状构件(16)、沿着长度方向形成的平面的载置面(20)、第一斜面(22)以及第二斜面(24)。从端面观察时，载置面(20)的延长面(20a)和第一斜面(22)的延长面(22a)形成第一锐角(θ1)，延长面(20a)和第二斜面(24)的延长面(24a)形成第二锐角(θ2)。第一锐角(θ1)和第二锐角(θ2)相等。线状构件(16)包括沿着长度方向的中空部(16a)。在中空部(16a)填充有助焊剂(18)。在载置面(20)设有沿长度方向排列并与中空部(16a)连通的多个排出孔(32)。
构件钎焊方法

[发明专利]软钎焊材料-CN201880003396.1有效
发明人： 渡边裕彦;斋藤俊介;小平悦宏 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：提供热循环疲劳特性和润湿性优异的软钎焊材料。含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb和3.0质量％以上且5.0质量％以下的Ag、余量由Sn和不可避免的杂质组成的软钎焊材料、以及在半导体元件与基板电极之间或在半导体元件与引线框之间具备软钎焊材料熔融而得到的接合层的半导体装置。
钎焊材料

[发明专利]半导体装置用软钎焊材料-CN201680013332.0有效
发明人： 渡边裕彦;斋藤俊介;西村芳孝;百濑文彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
半导体装置钎焊材料

[发明专利]用于芯片焊接的钎焊合金-CN201810071677.2有效
发明人：浅黄刚;三谷进;渡边裕彦;下田将义 -专利权人：日本半田株式会社;富士电机株式会社
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：提供了用于芯片焊接的无铅焊料，其具有高的耐热温度和改善的润湿性。用于芯片焊接的钎焊合金包含0.05质量％‑3.0质量％的锑和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分，并且用于芯片焊接的钎焊合金包含0.01质量％‑2.0质量％的锗和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分。
用于芯片焊接钎焊合金

[发明专利]无铅软钎焊方法和软钎焊物品-CN201580017804.5有效
发明人： 渡边裕彦;齋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。
无铅软钎焊方法物品

[发明专利]半导体装置的制造方法及接合组装装置-CN201510762725.9有效
发明人：斋藤俊介;渡边裕彦;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
半导体装置制造方法接合组装

[发明专利]软钎焊接合部-CN201780004199.7在审
发明人： 渡边裕彦;斋藤俊介;小平悦宏 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：抑制异种材料的界面处的破坏。软钎焊接合部、以及具备该接合部的电子设备及半导体装置，所述软钎焊接合部包含：使软钎焊材料熔融而成的软钎焊接合层(10)、以及至少一方为Cu或Cu合金构件(123)的被接合体(11)、(123)，所述软钎焊材料含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb、2.0～4.0质量％的Ag、超过0且为1.0质量％以下的Ni，余量由Sn和不可避免的杂质组成，前述软钎焊接合层在与前述Cu或Cu合金构件(123)的界面具备包含(Cu，Ni)6(Sn，Sb)5的第一组织(1)和包含(Ni，Cu)3(Sn，Sb)X的第二组织(式中，X为1、2、或4)(2)。
软钎焊接合部软钎焊材料接合层软钎焊半导体装置被接合体电子设备异种材料接合部界面处熔融式中

[发明专利]钎焊用焊剂及钎料组合物-CN201580001558.4有效
发明人：荘司郁夫;雁部竜也;渡边裕彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： B23K35/363 文献下载
摘要：本发明提供在钎料球接合时，以覆盖钎料球的方式热固化而进行加强的钎料用焊剂组合物。使用了钎焊用焊剂，该钎焊用焊剂包含环氧树脂、至少含有0.1～40质量％分子量在180以下的二羧酸的有机羧酸、以及触变剂，以所述有机羧酸的羧基相对于1.0当量所述环氧树脂的环氧基为0.8～2.0当量的方式添加所述环氧树脂及所述有机羧酸，相对于焊剂总量，所述环氧树脂、所述有机羧酸和所述触变剂的总含量为70质量％以上。
钎焊焊剂组合

[发明专利]接合组装装置-CN201410394901.3有效
发明人：斋藤俊介;渡边裕彦;小野真裕;大西一永;渡边孝志;佐野真二 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
接合组装装置

[发明专利]用于芯片焊接的钎焊合金-CN201480002628.3在审
发明人：浅黄刚;三谷进;渡边裕彦;下田将义 -专利权人：日本半田株式会社;富士电机株式会社
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：提供了用于芯片焊接的无铅焊料，其具有高的耐热温度和改善的润湿性。用于芯片焊接的钎焊合金包含0.05质量％-3.0质量％的锑和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分，并且用于芯片焊接的钎焊合金包含0.01质量％-2.0质量％的锗和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分。
用于芯片焊接钎焊合金

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410386288.0在审
发明人： 渡边裕彦;斋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法，能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下，还原被接合构件及焊接材料，得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括：将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛，并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序；以及在加热工序之后保持于接合温度，并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]松脂芯软焊料用焊剂及松脂芯软焊料-CN201410331127.1无效
发明人：雁部竜也;渡边裕彦 -专利权人：富士电机株式会社;富士电机机器制御株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： B23K35/368 文献下载
摘要：提供保存稳定性、生产性优异的含有热固性树脂的松脂芯软焊料用焊剂、及内置该焊剂的松脂芯软焊料。该松脂芯软焊料用焊剂包含含有热固性树脂的固体状的第1焊剂(11)和含有具有氧化还原作用的固化剂的固体状的第2焊剂(12)，所述第1焊剂(11)和所述第2焊剂(12)以非接触状态存在。以及，松脂芯软焊料(100a)，它是含有该松脂芯软焊料用焊剂和熔点为130～250℃的无铅焊料合金的松脂芯软焊料，由第1松脂芯软焊料(21)和第2松脂芯软焊料(22)构成，该第1松脂芯软焊料(21)由所述无铅焊料合金(2)内置所述第1焊剂(11)而成；该第2松脂芯软焊料(22)由所述无铅焊料合金(2)内置所述第2焊剂(12)而成。
松脂焊料焊剂

[发明专利]强化大米或大麦的生产方法-CN85102960.4无效
发明人：三崎胜;村田恒;山本英夫;渡边裕彦 -专利权人：武田药品工业株式会社
申请日： 1985-04-20 - 公布日： 1990-10-24 - 主分类号： A23L1/182 文献下载
摘要：向大米或大麦中添加营养素，此等营养素是固定在谷粒中和谷粒上，方法是涂覆一种油和/或脂或/和一种蜡，再沫覆上亲水性乳化剂，进一步再涂覆淀粉基的覆盖剂。上述强化精制大米或大麦具有适当均衡的基本营养素，品质优越，性质良好。
强化大米大麦生产方法

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