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- [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004939.9有效
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中谷信太郎;堀川恭兵;佐藤浩平
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株式会社日立高新技术
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2020-06-19
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2023-09-08
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H01J37/32
- 提供能够提高可靠性或者成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法。具备：样品台，配置在配置于真空容器内部的处理室内部且载置晶片；环状电极，在样品台的所述上表面的外周侧将其包围而配置，被供给高频电力，为导体制；盖体，在该环状电极的上方放置且将其覆盖，为电介质制；棒状构件，在配置在构成所述样品台且具有圆板或者圆筒形状的基材的外周侧部分的贯通孔内垂吊配置，在其上端部具有与所述环状电极连接并定位于所述环状电极的连接器部；梁状的构件，在所述贯通孔的下方的所述样品台下方空出间隙地配置，在水平方向上延伸，其一端与所述棒状构件的下端部连结，另一端相对于所述样品台定位，关于所述另一端针对环状电极朝上地对所述棒状构件施力；以及高频电源，经由供电路径与所述棒状构件连接，且对所述环状电极供给高频电力。
- 等离子处理装置以及方法
- [发明专利]等离子处理装置-CN202180005030.X在审
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清末健太郎;佐藤浩平;矶村僚一;永井宏治;松芳勉
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株式会社日立高新技术
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2021-05-27
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2023-02-03
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H01L21/3065
- 等离子处理装置具备：处理室(2)；和用于将处理用气体向处理室(2)的内部供给的气体供给装置(30)。气体供给装置(30)具有：质量流量控制器箱(40)，其具有吸气口(41)以及排气口(42)；多个配管(43)，分别安装有质量流量控制器(43a)；和多个配管(52)，其在质量流量控制器箱(40)的内部与多个配管(43)连结，且在质量流量控制器箱(40)的外部与成为处理用气体的供给源的多个配管(54)通过多个联管器(53)连结。多个联管器(53)当中的至少1个被配管外罩(60)覆盖，以使得将联管器(53)密闭。配管外罩(60)的内部以及质量流量控制器箱(40)的内部通过连通构件(外周配管(61)、管子(62))连通。
- 等离子处理装置
- [发明专利]等离子处理装置-CN201910746777.5有效
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一野贵雅;佐藤浩平;中本和则;横川贤悦
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株式会社日立高新技术
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2019-08-13
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2022-07-08
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H01J37/32
- 本发明提供等离子处理装置。使等离子处理装置具备如下要素而构成：真空容器；载置台，其具备在该真空容器的内部载置被处理样品的电极基材、覆盖该电极基材的外周部分的由绝缘性的材料形成的基座环、和绝缘环，该绝缘环被该基座环覆盖并包围电极基材的外周而配置，在上表面和与电极基材的外周对置的面的一部分形成薄膜电极；第1高频电力施加部，其对该载置台的电极基材施加第1高频电力；第2高频电力施加部，其对形成于绝缘环的薄膜电极施加第2高频电力；等离子产生单元，其在真空容器的内部使载置台的上部产生等离子；和控制部，其控制第1高频电力施加部、第2高频电力施加部和等离子产生单元。
- 等离子处理装置
- [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004581.X在审
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一野贵雅;佐藤浩平
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株式会社日立高新技术
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2020-04-21
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2021-12-21
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H01L21/3065
- 为了提供使晶片的处理的成品率得到提升的等离子处理装置或等离子处理方法，具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子；具有圆筒形的样品台，其配置于该处理室内，在上表面载置所述晶片；多个加热器，其配置于所述样品台的内部，配置于包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域，包含配置于至少1个所述环状的区域的关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器；多个温度传感器，其配置于所述多个径向的区域的各自下方的所述样品台内部，比所述多个加热器的个数少；和控制部，其在对应于来自所述温度传感器的输出调节所述多个加热器的输出以使所述样品台的温度接近于目标值后，将所述多个加热器各自的输出调节成预先确定的值。
- 等离子处理装置以及方法
- [发明专利]等离子处理装置-CN201980004283.8在审
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一野贵雅;佐藤浩平;中本和则
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株式会社日立高新技术
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2019-02-08
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2020-10-20
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H01L21/683
- 等离子处理装置具有：使用等离子来对晶片(1)进行处理的处理室；提供生成上述等离子的高频电力的高频电源；配置于上述处理室且载置晶片(1)的样品台(2)；和与样品台(2)电连接且使样品台(2)产生吸附力的直流电源(106)。样品台(2)具备：通过上述吸附力来吸附晶片(1)的凸部(201a)；和在凸部(201a)的下部从凸部(201a)向前突出的阶差部(201b)，在凸部(201a)的外侧设有能与晶片(1)的下表面接触的环(5)，在晶片(1)被吸附在样品台(2)的凸部(201a)的上表面的状态下，由晶片(1)、凸部(201a)和环(5)形成的空间部(7)被密闭。
- 等离子处理装置
- [外观设计]等离子处理装置用环壳-CN201730079099.3有效
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一野贵雅;佐藤浩平;中本和则
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株式会社日立高新技术
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2017-03-17
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2017-09-22
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08-08
- 1．本外观设计产品的名称等离子处理装置用环壳。2．本外观设计产品的用途本产品为一种环壳，其使用在制造半导体中的等离子处理装置上，作为等离子处理装置试料台的外盖，使其覆盖在试料台不让等离子等进入到试料台内部。3．本外观设计产品的设计要点如立体图及A‑A剖视部立体图中所示内容，最能表达本外观设计产品的设计要点。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。5．在使用状态参考图中，D‑半导体晶圆，E‑基座，F‑环，G‑本外观设计产品，H‑绝缘环，I‑电极头。
- 等离子处理装置用环壳
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