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[发明专利]等离子体处理装置-CN202180017653.9在审
发明人：高尾祐介;矶村僚一;佐藤浩平 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供抑制运行成本并且安全性高的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有：真空容器；处理室，其配置于所述真空容器的内部；以及气体供给单元，其具备向所述处理室内供给处理用气体的处理用气体管线，以便在所述处理室内形成等离子体，所述处理单元具有使多种气体各自按照种类流通的多个配管以及包围所述配管的箱体，向所述箱体供给已温度调节到规定的范围的空气。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子处理装置-CN202180005030.X在审
发明人：清末健太郎;佐藤浩平;矶村僚一;永井宏治;松芳勉 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置具备：处理室(2)；和用于将处理用气体向处理室(2)的内部供给的气体供给装置(30)。气体供给装置(30)具有：质量流量控制器箱(40)，其具有吸气口(41)以及排气口(42)；多个配管(43)，分别安装有质量流量控制器(43a)；和多个配管(52)，其在质量流量控制器箱(40)的内部与多个配管(43)连结，且在质量流量控制器箱(40)的外部与成为处理用气体的供给源的多个配管(54)通过多个联管器(53)连结。多个联管器(53)当中的至少1个被配管外罩(60)覆盖，以使得将联管器(53)密闭。配管外罩(60)的内部以及质量流量控制器箱(40)的内部通过连通构件(外周配管(61)、管子(62))连通。
等离子处理装置

[发明专利]真空处理装置及其运转方法-CN201410044844.6有效
发明人： 矶村僚一;工藤丰;下村隆浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种真空处理装置及其运转方法，在经真空搬运中间室而连结了多个真空搬运室的真空处理装置中，使工作效率提高。为此，该真空处理装置具有经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室以及与该真空搬运室分别连结的多个真空处理容器，在该真空处理装置的运转方法中，经真空搬运中间室使多个真空搬运室连通，向多个真空搬运室之中的与锁止室连结的真空搬运室供给吹扫气体，对远离锁止室的真空搬运室的搬运室内进行减压排气，使多个真空搬运室的所有的搬运室内压力高于真空处理容器的容器内压力。
真空处理装置及其运转方法

[发明专利]真空处理装置-CN201210054587.5无效
发明人： 矶村僚一;田内勤;近藤英明;小林满知明 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：真空处理装置包括多个真空处理室，至少各一个所述真空处理室连接到在大气输送室的背面侧在内部配置有输送晶片的真空输送机器人的多个真空输送室的每一个上，在将盒内的多个晶片取出并依次进行处理之后，使晶片返回到前述盒内，在所述真空处理装置中，在以晶片被输送到连接于配置在最里侧的真空输送室上的全部前述真空处理室内的方式进行调节之后，以使得在变得能够从连接到前述最里侧的真空输送室上的前述真空处理室中运出之前，将下一个晶片输送到能够运入的配置在最后方的真空处理室中的方式进行调节。
真空处理装置

[发明专利]真空处理装置-CN201110036139.8有效
发明人： 矶村僚一;田内勤;近藤英明 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性高的真空处理装置，该真空处理装置具备：在真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器的分别连结且连通处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连结且内部可收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间并进行气密开闭的多个阀门，在开放所述第一真空处理容器的处理室和所述第一真空输送容器的真空输送室之间或者第二真空处理容器的处理室和所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前，将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。
真空处理装置

[发明专利]真空处理装置-CN201010260699.7无效
发明人： 矶村僚一;田内勤;近藤英明 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种真空处理装置，包括：第一输送容器，所述第一输送容器连接到连接于大气输送容器的背面侧的锁定室的后方侧，在内部具有输送晶片的第一机器人；第二输送容器，所述第二输送容器配置在该第一输送容器的后方侧，与该第一输送室连接，在内部具有输送前述晶片的第二机器人；中转容器，所述中转容器将前述第一输送容器和第二输送容器之间连接，在内部备有在前述第一及第二机器人之间交接前述晶片的容纳部；处理容器，所述处理容器连接到与第二输送容器的周围的前述中转容器大致成直角侧，在内部的处理室中，处理前述晶片；前述第一机器人，具有分别独立地、在夹持旋转轴的两侧的方向上伸缩的两个臂，前述第二机器人，具有分别在围绕旋转轴的同一个方向上伸缩的两个臂。
真空处理装置

[发明专利]真空处理装置-CN201010254611.0无效
发明人： 矶村僚一;田内勤;近藤英明 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：根据本发明的真空处理装置配备有：并列地连接到大气输送室的背面侧的第一和第二锁定室，在所述第一锁定室的后方侧与之连接的第一输送室，在该第一输送室的后方侧与之连接的第二输送室，在所述第二锁定室的后方侧与之连接的第三输送室，配置在所述第一输送室与第二输送室以及第一输送室与第三输送室之间、在它们之间交接晶片的第一及第二中转室，连接到所述第一、第二或第三输送室上的多个处理室，连接到所述第二输送室上的处理室的数目，比连接到所述第一或第三输送室上的处理室的数目多，在所述第二中转室中，只向所述第三输送室交接在连接到所述第一或第二输送室上的处理室中处理的所述晶片。
真空处理装置