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[发明专利]采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质-CN202010188765.8有效
发明人：杨尊;任德营;顾立勋;夏余平;高翔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。该方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于预定状态的化学试剂的第二容器中通入化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在第一容器中的化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且第二容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第二容器中的化学试剂对晶圆进行处理。该方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。
采用化学试剂处理方法装置存储介质

[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件-CN202210641403.9在审
发明人：朱焜;罗佳明;任德营;李洵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制作方法、存储系统、电子器件，该方法包括：提供初始结构，初始结构包括沟道孔结构以及依次叠置的衬底、刻蚀停止结构以及层叠结构，沟道孔结构贯穿层叠结构、刻蚀停止结构至衬底中，沟道孔结构包括沟道孔、位于沟道孔内的外延层、预备多层膜结构以及沟道层，外延层的材料包括多晶硅，刻蚀停止结构的材料不包括多晶硅；依次去除衬底、外延层、刻蚀停止结构以及部分的预备多层膜结构，至少使得部分的沟道层裸露，剩余的预备多层膜结构形成多层膜结构；在裸露的沟道层的表面上、裸露的层叠结构的表面上以及多层膜结构的表面上形成源极层。本申请解决现有技术中ONOP结构难以生长到沟道孔底部的问题。
三维存储器及其制作方法存储系统电子器件

[发明专利]三维存储器的制备方法-CN202111486098.2在审
发明人：李洵;任德营;朱焜;赖睿彬;杜小龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明实施例提供的三维存储器的制备方法，包括：提供叠层结构和贯穿所述叠层结构的沟道孔，所述叠层结构包括若干交替层叠的第一牺牲层及第二牺牲层；在所述沟道孔侧壁依次形成层叠的停止层、存储器层及沟道层；去除所述第一牺牲层及部分停止层，以形成第一开口，所述第一开口延伸至所述存储器层；在所述第一开口中形成栅极结构；去除所述第二牺牲层、剩余的停止层及部分存储器层，以形成第二开口，所述第二开口延伸至所述沟道层；在所述第二开口中形成绝缘层。
三维存储器制备方法

[发明专利]三维存储器的制造方法-CN202111067677.3在审
发明人：艾义明;颜元;任德营;伍术 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供一种三维存储器的制造方法，包括：提供半导体结构；半导体结构包括：基底，堆叠结构，位于堆叠结构和基底间的隔离层，贯穿堆叠结构和隔离层并延伸至基底中的栅线隙结构及存储柱；去除基底，显露栅线隙结构的第一端部和存储柱的第二端部；存储柱包括：沟道层，及环绕沟道层的功能层；去除第一端部，形成从隔离层向堆叠结构下凹的第一凹陷，剩余栅线隙结构端部与隔离层接触；去除第二端部显露的功能层，形成从隔离层向堆叠结构下凹的第二凹陷，剩余存储柱端部与隔离层接触；利用导电材料覆盖第一凹陷、第二凹陷及显露的隔离层，对导电材料进行粒子注入形成第二导电层。
三维存储器制造方法

[发明专利]晶圆清洗装置和晶圆清洗方法-CN202011208321.2有效
发明人： 任德营;徐融;宋冬门 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，晶圆清洗装置包括内槽体；外槽体；循环管路，连通外槽体和内槽体；第一加液管路，包括进液口和出液口，反应液经由第一加液管路的出液口进入外槽体；第二加液管路，包括进液口和出液口，第二加液管路的出液口直接连接至内槽体，第一加液管路用于将第一反应液加入到外槽体，循环管路用于将外槽体的第一反应液加入内槽中；第二加液管路用于将第二反应液加入内槽体。该晶圆清洗装置在外槽体中加入第一反应液，经由循环管路到达内槽体，然后再在内槽体中补充第二反应液，内槽中反应生成清洗液，对晶圆进行清洗，使得清洗液在活性最高的时候与晶圆上的杂质反应，晶圆清洗效率高，杂质去除效果好。
清洗装置方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202111114494.2在审
发明人：朱焜;李洵;任德营 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：在衬底上形成第一牺牲层、存储堆叠结构，以及穿过存储堆叠结构和第一牺牲层并延伸至衬底中的沟道结构，沟道结构具有与第一牺牲层相接触的侧壁，形成穿过存储堆叠结构的栅线隔槽，并露出第一牺牲层，向栅线隔槽中通入由四氟化碳和氧气解离而成的第一活性粒子，以清洗第一牺牲层的表面，去除第一牺牲层，并露出侧壁，之后，以第一活性粒子清洗侧壁，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过使用第一活性粒子对第一牺牲层表面以及沟道结构侧壁进行清洗，从而避免了第一牺牲层表面和沟道结构侧壁存在的杂质使得第一牺牲层以及沟道结构侧壁的存储层不易被去除的问题出现。
半导体器件制备方法

[发明专利]待清洗工件的清洗方法及清洗设备-CN202010008946.8有效
发明人：夏余平;宋冬门;任德营;顾立勋;杨尊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种待清洗工件的清洗方法及清洗设备。其中，清洗方法包括：提供待清洗工件，待清洗工件包括基体和设于基体一侧的第一待清洗部。将待清洗工件置入第一化学清洗液中并进行化学清洗以将第一待清洗部去除，第一化学清洗液包括臭氧溶液。臭氧溶液即为将臭氧溶解在水中形成的溶液。将待清洗工件置入水中进行水洗以去除残留在待清洗工件表面的第一化学清洗液。本申请通过采用臭氧溶液代替相关技术中硫酸与过氧化氢的混合溶液来对待清洗工件进行清洗以将第一待清洗部去除，有效地降低了清洗成本，提高了清洗质量。
清洗工件方法设备

[发明专利]刻蚀用组合物及其使用方法-CN202110589162.3在审
发明人：周永平;任德营;杨永刚;宋冬门;陈嘉泽;张丝柳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀用组合物及其使用方法。该组合物包括氢氟酸和水，其中，水与氢氟酸的体积比为3000：1至6000：1。该组合物能够相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料。通过调节该组合物中水与氢氟酸的体积比，可以任意调节氮化物材料的刻蚀率和氧化物材料的刻蚀率。使用该组合物相对于氧化物材料刻蚀氮化物材料可以降低对氧化物材料的不良影响。
刻蚀组合及其使用方法

[发明专利]半导体处理装置及排气方法-CN202110237609.0在审
发明人：祝君龙;任德营;李君;郑晓芬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体处理装置，其包括腔体、废气排出装置和控制器；所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；所述废气排出装置设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流；所述控制器设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。本揭示还公开一种应用于所述半导体处理装置的排气方法。
半导体处理装置排气方法

[实用新型]晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备-CN202022351143.0有效
发明人：王建东;徐融;任德营;苏界;顾立勋 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备，晶圆刻蚀装置包括刻蚀槽和气体输入件，刻蚀槽包括底壁和多个侧壁，多个侧壁围合底壁而形成容纳空间，容纳空间用于容置刻蚀液和晶圆；气体输入件包括相互连通的进气部和出气部，进气部用于向出气部输入气体，出气部位于容纳空间内，出气部开设有背向底壁的多个出气孔，出气部的延伸方向为第一方向，在远离进气部的第一方向上，多个出气孔的孔径逐渐增大。通过设置在远离进气部的第一方向上，多个出气孔的孔径逐渐增大，逐渐增大的孔径可以对末端出气孔的流量不足作出补偿，化学均匀性较高，使得不同位置的晶圆的刻蚀程度相同，同时反应副产物的扩散效率较高，不容易堆积于蚀刻槽，降低了残留风险。
刻蚀装置处理设备

[发明专利]晶圆的处理方法和晶圆的处理系统-CN202010071963.6在审
发明人：夏余平;顾立勋;徐融;任德营 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆的处理方法和晶圆的处理系统。该方法包括：对晶圆进行湿法处理；向晶圆所在的空间中通入惰性气体，以防止晶圆上的水与空间内的气体接触。上述的处理方法中，在对晶圆进行湿法处理之后，向晶圆所在的空间中通入惰性气体，进而使得晶圆所在的空间中的氧气的密度变小，进而使得与晶圆上的水接触的氧气较少，从而使得晶圆的表面上生成的水印较少，并且，该方法中仅仅向晶圆所在的空间中通入惰性气体，该惰性气体不会与该空间中的其他物质反应，不会在晶圆上残留物质，避免了现有技术中的IPA干燥法引入有机物的问题，从而也保证了后续工艺的正常进行，保证了后续形成的结构的性能较好，从而保证了器件具有良好的性能。
处理方法系统

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