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[发明专利]图像传感器-CN202310380792.9在审
发明人：李周熹;任东模;梁至希;李泰宪;林智焄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：衬底；光电转换区域，所述光电转换区域位于所述衬底中，所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸；以及转移栅电极，所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜，所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度，所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202111305868.9在审
发明人： 任东模;金慈明;朴钟银;李范硕;曹官植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202111048456.1在审
发明人：金慈明;李泰宪;任东模;曹官植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括基板和设置在基板中并插置在多个单位像素之间的像素分离图案。所述多个单位像素包括第一单位像素区和在第一方向上邻近第一单位像素区的第二单位像素区。第一单位像素区和第二单位像素区分别包括第一传输栅极和第二传输栅极。像素分离图案包括插置在第一单位像素区和第二单位像素区之间的第一像素分离部以及在第一方向上与第一像素分离部间隔开的第二像素分离部。第一像素分离部的顶表面低于第二像素分离部的顶表面。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN202110798120.0在审
发明人：金局泰;李昌圭;任东模;金周誾;朴美善;崔廷任;洪守珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种图像传感器，其可以包括：半导体衬底，具有表面并包括沟槽，所述沟槽从所述表面延伸到所述半导体衬底中；绝缘图案，设置在所述沟槽中；以及掺杂区域，在所述半导体衬底中且在所述绝缘图案上。所述掺杂区域包括：侧部，在所述绝缘图案的侧表面上；以及底部，在所述绝缘图案的底表面上。所述掺杂区域的侧部的厚度为所述掺杂区域的底部的厚度的85％至115％，所述掺杂区域的侧部中的每单位面积的掺杂剂数量是所述底部中的每单位面积的掺杂剂数量的85％至115％。
图像传感器

[发明专利]图像传感器、具有该图像传感器的成像装置及其操作方法-CN202011189259.7在审
发明人：徐珉雄;金大训;金升埴;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：一种图像传感器的操作方法，包括：在至少一个像素中执行对应于第一照度的第一采样操作；在所述至少一个像素中执行对应于第二照度的第二采样操作；以及在所述至少一个像素中，输出对应于所述第一采样操作的第一像素电压，或者输出对应于所述第二采样操作的第二像素电压。
图像传感器具有成像装置及其操作方法

[发明专利]电荷泵装置和包括该电荷泵装置的图像传感器-CN202010436533.X在审
发明人：徐珉雄;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：提供一种电荷泵装置和包括该电荷泵装置的图像传感器。所述电荷泵装置被配置为从方波产生输出电压，其中，所述电荷泵装置包括：半导体层；第一外部阱和第二外部阱；形成在所述第一外部阱中的第一内部阱；形成在所述第二外部阱中的第二内部阱；被施加所述输入信号并且连接到所述第一外部阱的第一电容器；以及连接到所述第一电容器和所述第二外部阱的第二电容器，其中，所述第一电压被施加到所述第一外部阱，并且低于所述第一电压的电压被施加到所述第二外部阱。
电荷装置包括图像传感器

[发明专利]图像传感器以及形成图像传感器的方法-CN201611154548.7有效
发明人：李光敏;罗敬远;任东模;林政昱;权锡镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了图像传感器以及形成图像传感器的方法。一种图像传感器包括滤色器层。图像传感器包括相邻于滤色器层的侧壁的金属结构。图像传感器包括在滤色器层上的绝缘层。而且，图像传感器包括在绝缘层上的电极层。
图像传感器以及形成方法

[发明专利]图像传感器-CN201911312886.2在审
发明人：李贵德;金政勳;金昶和;朴商秀;严祥训;李范硕;李泰渊;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
图像传感器

[发明专利]具有多个功能的图像传感器及包括其的图像传感器模块-CN201811502055.7在审
发明人：李泰渊;李贵德;石井胜;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
光电转换器发生电路像素图像传感器图像传感器模块双带通滤波器第二传感器第一传感器第二信号目标对象水平表面配置波长光源发射光竖直反射

[发明专利]图像传感器-CN201811286478.X在审
发明人： 任东模;李贵德;李泰渊;石井胜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
有机光电二极管导电图案绝缘间隔件滤色器衬底电容器第一电容器图像传感器延伸穿过侧壁包围第一表面上表面

[发明专利]图像传感器-CN201810661733.8在审
发明人：李贵德;金政勳;金昶和;朴商秀;严祥训;李范硕;李泰渊;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
第一电极电极绝缘层凹槽区滤色器有机光电二极管图像传感器第二电极衬底有机光电转换层角度延伸侧表面夹置接缝填充申请

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201810010650.2在审
发明人：李光敏;权锡镇;朴惠允;李范硕;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
图像传感器绝缘结构衬底浮置扩散区穿通电极底部电极第二表面第一表面光电转换层彼此相对顶部电极接触插塞电连接滤色器埋置制造穿透

[发明专利]光学生物传感器、包括该光学生物传感器的生物感测系统和制造光学生物传感器的方法-CN201310095254.1有效
发明人：朴允童;罗敬远;徐成东;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学生物传感器，包括生物感测单元，该生物感测单元被配置为接收输入光学信号并产生感测光学信号，该感测光学信号的波长根据检测生物材料的结果而变化；和光谱仪，该光谱仪包括多个环形谐振器，所述多个环形谐振器用于根据波长划分感测光学信号并分别产生多个输出光学信号。
光学生物传感器包括系统制造方法

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