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[发明专利]一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202310898432.8在审
发明人： 仪明东;李思成;沈筠皓;杨永豪;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自下而上依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明通过真空沉积的方式，在硅片与聚苯乙烯（PS）薄膜中间引入一层3,4,9,10‑苝四甲酸二酐（PTCDA）薄膜。3,4,9,10‑苝四甲酸二酐薄膜具有疏水属性，改善了聚苯乙烯薄膜形貌，提高了离子注入效率，器件的开启电压降低，迁移率、开关比均有提升。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层采用旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点，实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升。且价格低廉节约成本，便于推广及集成商业化应用。
一种基于聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用-CN202310780374.9在审
发明人： 仪明东;钱浩文;王宇;沈筠皓;赵赳;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用。多功能有机场效应晶体管，包括，栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的共混层；共混层由聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}、6,13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的混合溶液在所述栅绝缘层表面一步涂覆、干燥后制成；位于共混层表面的源电极和漏电极。本发明提供的多功能有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统具有巨大的应用潜力。
一种多功能有机场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法-CN202310908874.6在审
发明人： 仪明东;赵文齐;赵纠;钱浩文;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自上而下依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层是将P型有机半导体聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)与聚合物绝缘材料聚苯乙烯(PS)共混，采用旋涂共混溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升，稳定性也得到了很大的改善，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
一种有机半导体聚合物绝缘材料有机场效应晶体管存储器制备方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管、制备方法及应用-CN202310781543.0在审
发明人：沈筠皓;李雯;钱浩文;王宇;赵赳;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种有机场效应晶体管、制备方法及应用。有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
一种有机场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]一种基于蒸镀F4-TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及制备方法-CN202310434614.X在审
发明人： 仪明东;俞松城;沈筠皓;王宇;缪雨彤;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。
一种基于 f4 tcnq 改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法

[发明专利]一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用-CN202310357670.8在审
发明人：李雯;柯蕴芯;沈筠皓;王宇;刘恺洋;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用，属于信息技术与人工智能技术领域，包括由下至上依次连接的基底、底电极、功能层和顶电极，所述功能层为体异质结，所述体异质结包括聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]和[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯，所述体异质结采用混合溶液旋涂法制备而成，所述体异质结的厚度为70‑90nm；本发明能够实现光突触器件利用光信号进行光学习记忆行为模拟，这将进一步拓展在光作用下的神经形态网络、生物仿真和人工智能领域的应用。
一种基于体异质结突触器件及其制备方法应用

[发明专利]一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法-CN202310343274.X在审
发明人： 仪明东;李佳钰;钱扬周;明建宇;孙思毅;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K10/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机聚合物聚[2‑甲氧基‑5‑(3′,7′‑二甲基辛氧基)‑1,4‑亚苯基亚乙烯基](MDMO‑PPV)组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，有机活性层采用溶液旋涂法制备而成，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器件表现出优异的温度稳定性，在无封装的情况下，从低温‑196℃到高温300℃的超宽温度范围下仍保持忆阻性能，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能。
一种温度有机聚合物忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202310277624.7在审
发明人：李雯;吴春辉;王宇;赵赳;程元青;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层、有机半导体蒸镀层、可溶性半导体层、电荷存储层、自组装层和栅绝缘层，以及作为衬底的栅电极层，所述栅绝缘层位于所述栅电极层上面。本发明还公开一种有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够有效改善TIPS‑Pentacene和PS混合溶液相分离后的生长形貌，提高器件良品率和迁移率等性能。
一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用-CN202310406711.8在审
发明人：沈筠皓;仪明东;张韬;王宇;赵瑞彤;李雯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K10/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用，忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，有机功能层包括由聚(9‑乙烯基咔唑)与7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷构成的不同分子域分布的有机体异质结功能层。本发明所制得的忆阻器具有低操作电压和功率，稳定的读写循环与稳定的维持能力等优良忆阻性能。本发明的忆阻器的制备方法通过改变掺杂溶剂极性来调节7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的分子域分布，从而控制形成的导电丝尺寸来调节存储行为，实现多阶存储与阈值切换行为，并实现人工突触与神经元动态电位发放功能模拟。
一种分子调控离子迁移忆阻器制备方法应用

[发明专利]一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法-CN202310257896.0在审
发明人：李雯;陶奎;赵赳;沈筠皓;刘恺洋;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。
一种具有线性连续电导变化异质结忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种Cu/ZnO/Al2-CN202111238297.1在审
发明人：陈海波;范曲立;仪明东;李晓敏;于杨;王琼;毛春鹏;仇冬;檀结东 -专利权人：中石化南京化工研究院有限公司;中国石油化工股份有限公司;中国石化集团南京化学工业有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu/ZnO/Al2O3催化剂的分段焙烧方法。所述焙烧方法基于催化剂不同组分不同热分解步骤的温度范围差异，设定序列递增的恒温温度段，并逐级升高至最终的焙烧温度，所述焙烧方法，在干燥气流吹扫下或抽真空条件下进行。采用本发明所述的焙烧方法制备的催化剂，具有氧化物颗粒粒径均一、组分分布均匀、尤其载体Al2O3不会偏析聚集的特点，能有效提高催化剂的热稳定性。
一种 cu zno al base sub

[发明专利]一种打浆混合工艺-CN202310070519.6在审
发明人：王琼;范曲立;仪明东;王义成 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B01J37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种打浆混合工艺，包括：通过胶化反应使待混料浆中的其中至少一种料浆形成胶态料浆；将该胶态料浆与其他待混料浆混合得到共混料浆；将共混料浆通过超声分散‑胶体磨混合进行若干次循环处理，至共混料浆中的粒度呈单分布且粒径随该循环处理变化率小于10％为止。本发明结合胶化、超声分散和胶体磨混合的优势，并进行循环处理，有助于实现不同料浆粒子的纳米尺度的分散和结合，防止不同组合尤其是载体组分的偏析聚集。应用于甲醇合成催化剂制备过程中铜锌二元前驱体料浆和铝载体前驱体料浆的混合，制备的催化剂Cu/ZnO活性中心与Al2O3载体组分纳米尺度均匀分布，防止活性中心组分迁移团聚，提高催化剂稳定性。
一种打浆混合工艺

[发明专利]一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法-CN202210862520.8在审
发明人： 仪明东;李佳钰;李雯;钱扬周;钱浩文 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
一种湿度稳定型忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202010964464.X有效
发明人： 仪明东;郭云;李佳钰;陈叶;钱扬周 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
一种组装极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及制法-CN202010964466.9有效
发明人： 仪明东;曹克阳;李佳钰;陈叶;钱扬周 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
纳米阵列隧道结构共存有机场效应晶体管存储器制法

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