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[发明专利]全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法-CN202210275705.9有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。该全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区。该LDMOSFET结构有可调长度的漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区，并基于漏极轻掺杂区、源极轻掺杂区和栅氧化介质层实现漏极区和栅极区的全隔离，有效提高LDMOSFET开态击穿电压。
隔离横向扩散金属氧化物半导体场效应制作方法

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210276656.0有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底，衬底由上至下依次包括第一衬底层、第一氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层，第一衬底层和第一氧化层凸出于重掺杂层的表面，第一衬底层和第二衬底层具有第一导电类型，重掺杂层具有第二导电类型；第一衬底层内形成有阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极；氧化隔离层，形成于第一衬底层和第一氧化层的两侧，且氧化隔离层的底部与重掺杂层接触；氧化隔离层外侧形成有重掺杂多晶硅区，重掺杂多晶硅区的底部与重掺杂层接触，重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；重掺杂多晶硅区内形成有接电极。通过本发明提供的晶体管能够降低表面电场，提高击穿电压。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片-CN202210375514.X有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片。该方法包括：在表面为N型硅层的半导体衬底上方依次外延N型外延层和P型外延层；通过光刻及干法刻蚀形成贯穿N型外延层、P型外延层和N型硅层的沟槽；干法刻蚀去除两沟槽间预设区域内的P型外延层和N型外延层，以露出预设区域内的N型硅层作为漏极；沉积二氧化硅材料，通过光刻及刻蚀处理，在沟槽与所述N型外延层和N型硅层对应的内壁上形成场氧层；栅氧化形成氧化物材料层，通过离子刻蚀形成绝缘氧化层和覆盖沟槽与P型外延层对应处内壁和场氧层的栅氧化层；在沟槽中沉积多晶硅，形成多晶硅层；光刻及离子注入，在P型外延层中形成源极。该方法减少了离子注入和高温推结的步骤。
双栅 ldmosfet 器件制造方法芯片

[发明专利]车联网数据的处理方法和装置-CN202210260943.2在审
发明人：付振;王明月;李涵;张洪军;李振洋;邵天东;吕欢欢 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种车联网数据的处理方法和装置。其中，该方法可以包括：在至少一辆待监测车辆的行驶过程中，采集待监测车辆的车联网信息，其中，车联网信息至少包括：待监测车辆的行程信息；调用部署在车载边缘端的代驾行程识别模型；采用代驾行程识别模型分析车联网信息，获取待监测车辆的目标代驾行为特征；基于目标代驾行为特征获取代驾需求识别模型；采用代驾需求识别模型的代驾请求；将待监测车辆的代驾请求上传至云端平台，其中，允许至少一个用户端获取云端平台推送的待监测车辆的代驾请求。
联网数据处理方法装置

[发明专利]IGBT器件的制造方法及IGBT器件-CN202210515987.5在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;张泉;尹强;肖超;田俊;杨毓龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件领域，提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件。所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线。本申请采用金属钨材料作为栅极材料，由于金属钨材料的电阻率比多晶硅材料的电阻率低两个数量级，利用钨栅极和钨栅极总线替代多晶硅栅极和栅极总线，显著降低IGBT器件的栅极电阻，从而降低栅极总线的电阻延迟，避免IGBT器件开关不一致的问题。
igbt 器件制造方法

[发明专利]一种样本数据处理方法、装置及系统-CN202210265939.5在审
发明人：韩鹏;付振;王明月;丁聪敏;宫保伟;李涵;张弦 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种样本数据处理方法、装置及系统。该方法包括：获取车联网设备采集到的车辆源数据，其中，车辆源数据包括：采用车辆特征提取器提取到的车辆用户特征；获取至少一个第三方互联网设备传输的一组平台源数据，其中，平台源数据包括：采用平台特征提取器提取到的平台用户特征；将车辆源数据和任意一组平台源数据分发到目标设备，其中，目标设备包括如下至少之一：车联网设备和第三方互联网设备；将车辆源数据和至少一组平台源数据进行数据对齐处理，生成训练样本数据，其中，训练样本数据为车联网设备和至少一个第三方互联网平台共有的特征数据。本发明解决了相关技术中车联网设备中数据的获取效率较低的问题。
一种样本数据处理方法装置系统

[发明专利]基于总线型电磁阀的电液控制系统-CN202210295664.X在审
发明人：韦文术;吴会刚;卢德来;付振;徐龙;姚卓 -专利权人：北京天玛智控科技股份有限公司;北京煤科天玛自动化科技有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： E21D23/00 文献下载
摘要：本申请提出了一种基于总线型电磁阀的电液控制系统，其中，系统包括：主控机、多个支架控制器、总线型电磁阀，其中，多个支架控制器之间通过CAN总线相连，且多个支架控制器均通过CAN总线与主控机相连，每个支架控制器通过CAN总线与多个总线型电磁阀相连，且多个总线型电磁阀之间通过CAN总线相连，其中，支架控制器具体用于接收所述控制指令，并根据所述控制指令控制所述总线型电磁阀，以实现支架动作控制；所述总线型电磁阀，用于接收支架控制器的控制指令，控制对应的主阀芯动作，以实现支架液压缸动作控制。根据本申请的方案实现了多级分布式控制系统，可实现更加精确的控制和故障检测，以及实现简化布线、元件和功能扩展等功能。
基于线型电磁阀控制系统

[发明专利]一种矿用三维彩色点云重建系统及方法-CN202210142832.1在审
发明人：关士远;吴方朋;任伟;谷敏永;付振 -专利权人：北京天玛智控科技股份有限公司;北京煤科天玛自动化科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01S17/87 文献下载
摘要：本申请提出一种矿用三维彩色点云重建系统及方法，所述系统包括：第一多线激光雷达、第二多线激光雷达、激光雷达支架、全景相机、惯性导航装置和数据处理电脑；其中，所述第一多线激光雷达设置在所述激光雷达支架上且呈水平方向，所述第二多线激光雷达设置在所述激光雷达支架且其设置的位置与所述第一多线激光雷达呈直角互补结构；所述全景相机设置在所述第一多线激光雷达的上方；所述惯性导航装置设置在激光雷达支架的下方；所述数据处理电脑设置在所述激光雷达支架的下方。本申请提供的技术方案，使得构建点云的同时为点云增加RGB信息，还原被扫描环境的真实景象，解决了难以对煤矿工作面进行物体识别的问题。
一种三维彩色重建系统方法

[发明专利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片-CN202210375521.X有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片技术领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区；体区以及漂移区形成在半导体衬底内，栅极形成在半导体衬底的上方且一端与体区相连，另一端位于漂移区上方；栅极与半导体衬底上方覆盖有介质层，介质层开设有接触孔，源极区形成在体区上方的接触孔内与体区相接，且位于栅极的一侧；漏极区形成在漂移区上方的接触孔内与漂移区相接，且位于栅极的另一侧。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
ldmosfet 器件制作方法芯片

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210339389.7有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；上层硅被划分为体区和漂移区，体区具有第一导电类型，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法，能够提高栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210192181.7有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，该晶体管包括：衬底，形成有高压N型阱；紧邻设置的第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，形成于高压N型阱；第一张应变区，形成于第一N型漂移区；第二张应变区，形成于第二N型漂移区；第一漏极，形成于第一张应变区；第二漏极，形成于第二张应变区；第一源极和第二源极，形成于P型体区；衬底极，形成于第一源极与第二源极之间；第一栅极，形成于第一N型漂移区和P型体区的上表面；第二栅极，形成于P型体区和第二N型漂移区的上表面，第二栅极与第一栅极之间形成有间隔。通过本发明提供的晶体管能够提高沟道内载流子的迁移率，提升晶体管的驱动能力和速度。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210311019.2有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底；第一阱区，形成于衬底内，具有第一导电类型；第二阱区，形成于第一阱区两侧，具有第二导电类型；体区，体区一部分形成于第一阱区内，另一部分突出于第一阱区的上表面，体区具有第一导电类型；漂移区，形成于体区的两侧，包括靠近体区的第一台阶和远离体区的第二台阶，第一台阶的上表面突出于第一阱区的表面，第二台阶的上表面与第一阱区的表面齐平，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面；漏极，形成于第二台阶的上表面；栅极，形成于体区和第一台阶的上表面。通过本发明提供的晶体管能够增加耗尽区的面积，分担部分的表面电场，提高击穿电压。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]一种煤矿风井防爆帽自动提升系统-CN202210181040.5在审
发明人：康丹;王公华;刘楷;董军;王川;范守俊;王青玉;徐帅;付振;陈仰镇;韩向东;徐晓晓;王伟;张厚旺 -专利权人：兖矿能源集团股份有限公司兴隆庄煤矿;山东金科星机电股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： E21F17/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种煤矿风井防爆帽自动提升系统，属于煤矿技术领域，包括安装在煤矿风井上端的若干个立柱，立柱顶端设有两个安装板，两个安装板之间安装有两个滑轮，绕过两个滑轮上端设有牵引绳，牵引绳的一端安装有配重块，牵引绳的另一端与防爆帽相连，立柱内侧固定设有槽形钢，槽形钢内侧安装有油缸，油缸缸筒安装在槽形钢顶端，油缸活塞杆与防爆帽相连。本发明通过控制油缸的动作，实现远程自动开启防爆帽，更加安全、可靠、高效。
一种煤矿防爆自动提升系统

[发明专利]一种参数标定方法、装置、设备及存储介质-CN202011348597.0有效
发明人：彭凯;付振;梁小明;刘相超 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B60W40/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种参数标定方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：采集驾驶信息；根据所述驾驶信息确定用户对目标功能的使用偏好信息；根据所述用户对目标功能的使用偏好信息确定与目标功能对应的目标标定参数，并根据所述目标标定参数对所述目标功能的标定参数进行更新，通过本发明的技术方案，以实现能够在后台自动实现对驾驶员驾驶习惯和偏好的分析，不需要和驾驶员接触，不干扰驾驶员的正常驾驶，针对每一个驾驶员设定专属的标定参数，满足终端用户的多样化需求。
一种参数标定方法装置设备存储介质

[发明专利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片-CN202210270476.1有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，所述源极区形成在所述体区内且位于栅极的一侧；所述漏极区形成在所述栅极的另一侧，所述漏极区形成在所述半导体衬底上方与所述漂移区相接。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
ldmosfet 器件制作方法芯片