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[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310899134.0在审
发明人：廖黎明;仇峰;张蔷;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。本发明通过在漂移区上增加覆盖场氧结构中未被栅极结构覆盖的裸露部分的阻挡结构，阻挡结构一方面减少刻蚀工艺对场氧结构的影响，另一方面可以作为场氧结构的保护层减少场氧结构的氧化物的损失，从而提高器件性能和可靠性。进一步通过采用SAB作为所述阻挡结构，可以采用常规的流片工艺实现，不会增加半导体结构的工艺难度，利于推广。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]具有PN结的半导体结构及其制备方法-CN202310756018.3在审
发明人：廖黎明;仇峰;胡林辉;张蔷 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本申请提供一种具有PN结的半导体结构及其制备方法。本申请具有PN结的半导体结构通过改变光阻层形貌，设置开口边缘处的光阻层的厚度小于其它区域的光阻层的厚度，使得在开口边缘处对应的局部区域由于光阻层的厚度较小从而离子注入浓度较小，开口中心区域离子注入正常从而获得正常的离子注入浓度，使得PN结的离子注入浓度较低、可有效提高PN结反向耐压，且不会增加PN结占用面积；同时阱区其它区域的离子注入浓度正常，避免了对其它器件的电性改变。
具有 pn 半导体结构及其制备方法

[发明专利]金属电容结构及其制备方法、集成电路芯片-CN202310680474.4在审
发明人：廖黎明;仇峰;张蔷;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请提供一种金属电容结构及其制备方法、集成电路芯片。本申请金属电容结构通过把后段金属结构工艺形成的层叠结构中的所有金属层中的相应金属结构及相应连接结构连接在一起形成两道金属侧墙，两道金属侧墙以及金属侧墙之间的介质层叠层形成纵向金属电容结构，由于其作为电极板的金属侧墙是纵向结构，且多层堆叠，因此可形成较大的纵向有效面积，提高容值，且电极板基本不额外占用芯片面积；通过增加更多金属侧墙，即可有效利用芯片面积，进一步提高容值。
金属电容结构及其制备方法集成电路芯片

[实用新型]一种保温效果好的户外直饮水水管-CN202320493455.6有效
发明人：仇峰 -专利权人：泗阳县区域供水有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： F16L23/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了种保温效果好的户外直饮水水管，包括水管的本体，水管本体的两端分别设有第一连接法兰和第二连接法兰，本体靠近第一连接法兰的一端还设有保温内管，本体的内壁上设有与保温内管外壁尺寸相匹配的沉孔，保温内管固定设置在本体的内壁上，且保温内管的一端延伸至本体的外部，保温内管上还设有真空保温腔。在使用本水管两个进行连接的时候将设有保温内管的一端查出到另一根水管的沉孔中，这样在两个水管的连接处通过具有真空保温腔结构的保温内管进行保温，提升了连接处的保温能力。同时通过第一连接法兰上设置的保温环进一步的提升了两个水管连接处的保温能力。
一种保温效果户外饮水水管

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN202310539511.X在审
发明人：廖黎明;仇峰;张蔷;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，本发明通过图案化覆盖衬底的高温氧化物材料层，形成具有覆盖所述漂移区的第一部分以及覆盖所述非漂移区的第二部分，且所述第一部分的膜层厚度大于所述第二部分的膜层厚度的高温氧化物层，所述高温氧化物层的第二部分可以代替牺牲氧化物层，用来隔离光阻与硅片接触、防止污染，以及用来作为离子注入时的散射层，减弱因离子注入方向和晶格的间隙方向相同而导致的穿通效应，同时还可以对浅沟槽隔离结构进行有效保护。本发明可以优化半导体结构中的氧化物层的制作工艺、降低成本、提高工艺平台的竞争力。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构的形成方法-CN202310159467.X在审
发明人：廖黎明;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构的形成方法，通过将深沟槽隔离光罩工艺集成到有源区反板光罩工艺中，通过一道光罩工艺，在基底上同时形成有源区反板区域和深沟槽隔离区域，在制作深沟槽隔离结构时，无需单独进行深沟槽隔离的硬掩膜层光罩工艺以及硬掩膜层刻蚀工艺，节省了一道光罩工艺以及相关刻蚀工艺；通过设置图形化硬掩膜层与第一缓冲层采用不同材料，从而在刻蚀工艺中可以通过控制不同材料的刻蚀速率实现有源区反板刻蚀和深沟槽刻蚀；本申请精简了工艺步骤，可以有效降低成本、提高工艺平台竞争力。
一种半导体结构形成方法

[发明专利]MOM电容结构及其制备方法、存储器-CN202310182628.7在审
发明人：廖黎明;仇峰;张蔷;王帅 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种MOM电容结构及其制备方法、存储器。所述MOM电容结构包括：至少一第一电极层，所述第一电极层包括沿第一方向相对设置的两插指结构电极板；至少一第二电极层，所述第二电极层能够与所述第一电极层产生寄生电容，所述第二电极层包括沿第二方向相对设置的两插指结构电极板，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。通过将所述第一电极层与所述第二电极层设置为互相垂直结构，减少金属层工艺时金属线的重叠度飘动带来的电容值影响，使电容值更加稳定，提高工艺良品率。
mom 电容结构及其制备方法存储器

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211517181.6在审
发明人：廖黎明;仇峰;张蔷;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构自衬底内向上延伸，具有凸出于衬底上的第一凸出部。局部氧化材料层位于有源区与浅沟槽隔离结构的交界处，具有凸出于有源区上表面的第二凸出部。牺牲氧化层位于有源区的上表面，并与局部氧化材料层相接触。去除牺牲氧化层和第二凸出部，以形成局部氧化层，并于第一凸出部朝向局部氧化层的侧壁形成凹槽。栅氧化层位于有源区的上表面，并与局部氧化层相接触。栅极至少位于栅氧化层的上表面，且填满凹槽。上述半导体结构的制备方法通过优化半导体结构，提高了半导体器件的可靠性，进而降低了半导体器件的失效率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211565474.1在审
发明人：廖黎明;仇峰;胡林辉;张蔷;王帅 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底、第一导电类型的第一阱区、第二导电类型的第一阱区、第一导电类型的深阱区、第一导电类型的第二阱区、栅极结构、阴极以及阳极。其中，第一导电类型的第一阱区为轻掺杂区。第二导电类型的第一阱区至少位于第一导电类型的第一阱区内。第一导电类型的深阱区位于第一导电类型的第一阱区内，且延伸至第一导电类型的第一阱区下方。第一导电类型的第二阱区位于第一导电类型的深阱区内。栅极结构位于衬底的上表面。上述半导体结构可以调节肖特基二极管的开启电压，并且提高其耐压能力。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种晶圆允收测试结构及制作方法-CN202211168014.5在审
发明人：张炜虎;王珊珊;仇峰 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆允收测试结构及制作方法，该方法包括：提供一半导体层，半导体层包括隔离层与有源区，于隔离层周围的有源区上形成栅氧化层，于栅氧化层上形成在X向排布的多晶硅栅和在Y向排布的多晶硅栅，于衬底上形成层间介质层，于层间介质层中形成接触通孔，第一部分接触通孔与有源区连接，第二部分接触通孔与多晶硅栅连接。本发明通过于有源区上形成X向排布的多晶硅栅和Y向排布的多晶硅栅，测量多晶硅栅与有源区之间的电容得到X向或Y向的套准偏移量，能够快速对所有晶圆片进行测试；并且工艺制程中各层图形尺寸的偏差对测试结果没有影响，图形套刻过程中的旋转对测试没有影响；同时，该结构工艺与所有含CMOS工艺的平台兼容。
一种晶圆允收测试结构制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211226211.8在审
发明人：廖黎明;仇峰;张蔷;张炜虎 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底的上表面形成有牺牲氧化层，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构自衬底内向上延伸，具有凸出于衬底上的凸出部；浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；去除牺牲氧化层；于凸出部的侧壁形成介质层；形成栅氧化层，栅氧化层覆盖有源区的上表面；形成栅极材料层，栅极材料层覆盖栅氧化层的上表面、介质层裸露的表面及凸出部的顶面。上述半导体结构的制备方法，在凸出部的侧壁形成介质层，以有效提高有源区角上的栅氧化层厚度，从而解决栅氧化层不均匀问题，进而提高半导体器件的可靠性，降低芯片的失效率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种基于LC-MS/MS技术检测血浆中叶酸及其衍生物浓度的方法-CN202210923639.1在审
发明人：仇峰;成永之;连增林 -专利权人：连云港金康和信药业有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LC‑MS/MS技术检测血浆中叶酸及其衍生物浓度的方法，包括：将叶酸、二氢叶酸、四氢叶酸和5‑甲基四氢叶酸配制混合标准溶液，将混合标准溶液加入到空白血浆中并加入稳定剂，再加入内标工作溶液，涡旋，离心，取上清液与稳定剂混合，进行LC‑MS/MS检测，以待测物与内标峰面积的比值对其浓度做线性回归，得到标准曲线；取待测血浆，加入甲醇，再加入内标工作溶液和稳定剂，涡旋、离心，取上清液与稳定剂混合，进行LC‑MS/MS检测，记录待测物与内标物对应的峰面积，计算峰浓度比，代入标准曲线，得到待测物的浓度。本发明解决了生物样品中叶酸类成分在分析中不稳定的问题，提高了准确性和可靠性。
一种基于 lc ms 技术检测血浆叶酸及其衍生物浓度方法

[发明专利]用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法-CN202210963411.5在审
发明人：王帅;廖黎明;庞洪荣;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法，在晶圆切割区中形成参比单元及检测单元，并结合介电层构成参比电容及检测电容，由于检测电容中的介电层上方具有介电层检测窗口，且检测焊盘与介电层具有较大的选择蚀刻比，从而在刻蚀的过程中，检测电容中的介电层被刻蚀，使得检测电容的容值发生变化，通过对检测电容及参比电容的电性能数据即电容值的变化的监控，即可反应出焊盘过刻蚀的情况，免于切片确认。
用于刻蚀检测结构制备方法

[发明专利]用于e-fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法-CN202210962171.7在审
发明人：王帅;廖黎明;庞洪荣;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种用于e‑fuse刻蚀的检测结构、制备及检测方法，在晶圆切割区中形成与位于晶圆有源区的e‑fuse同步构成的参比金属层及检测金属层，参比金属层包括参比金属连接件及参比金属电阻件，检测金属层包括检测金属连接件及检测金属电阻件，且参比金属连接件与检测金属连接件上方均对应设有相连接的、用以电性测试的金属柱及焊盘，从而在进行刻蚀工艺的过程中，由于检测金属电阻件的上方具有介电层检测窗口，检测金属电阻件被刻蚀，使得检测金属电阻件的电阻值发生变化，因此，通过对检测金属电阻件及参比金属电阻件的电性能数据即电阻值变化的监控，即可反应出e‑fuse刻蚀的情况，免于切片确认。
用于 fuse 刻蚀检测结构制备方法

[发明专利]一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法-CN202210805705.5在审
发明人：张炜虎;王珊珊;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种多元阵列双极型晶体管结构及制作方法，该结构包括第一导电类型衬底、第二导电类型基区、第一导电类型发射区、第二导电类型基区引出区及多个第一导电类型集电区，其中，基区位于衬底中，发射区位于基区中，基区引出区位于基区中，基区引出区环绕于发射区周围并与发射区间隔预设距离，多个集电区位于基区的上表层且分立设置于发射区与基区引出区之间。本发明的多元阵列双极型晶体管结构及制作方法中，通过设置分立的集电区，根据不同的连接方式可以实现不同的放大系数，提高器件的电路设计自由度。另外，可通过将发射区置于整个结构的中心，集电区对称分布于发射区的周围，能够提高版图的空间利用率。
一种多元阵列双极型晶体管结构制作方法

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