“井上智己”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN201910037872.8有效
发明人：徐浩;内田丈滋;中元茂;福地功祐;井上智己 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法，即使不改变所期望的工艺条件也能提升等离子点火性，抑制给被处理物的处理后尺寸带来影响。等离子处理装置(100)具备：处理室(114)；产生微波并投射到处理室(114)内的磁控管(105)；配置于处理室(114)内并放置晶片(300)的电极；产生用于使所述电极静电吸附晶片(300)的电位的静电吸附电源(112)；将工艺气体提供到处理室(114)内的工艺气体提供源(118)；和等离子点火促进装置，所述等离子点火促进装置是将经过脉冲调制的紫外线照射到处理室(114)内的紫外线光源(102、115)。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN201911074499.X在审
发明人：臼井建人;广田侯然;井上智己;中元茂;福地功祐 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，等离子处理方法针对预先形成在真空容器的内部的处理室内所载置的晶片的上表面、且包含处理对象的膜以及配置于该膜的下方的基底膜的膜构造，利用形成于处理室内的等离子来进行处理，其具备：在任意的晶片上的膜构造的处理中所得到的干涉光的以波长为参数的强度的实际图案与在任意的晶片的处理前预先对具有处理对象的膜以及基底膜的三个以上不同厚度的基底膜的膜构造进行处理所获得的干涉光的以波长为参数的强度的图案之中，对将两个图案合成后的检测用图案的数据和实际图案的数据进行比较，并利用比较的结果来计算任意的晶片的处理中的时刻的处理对象的膜的蚀刻量的步骤。
晶片处理对象基底膜膜构造等离子处理实际图案干涉光波长等离子处理装置室内图案图案合成预先形成真空容器等离子上表面蚀刻量载置检测配置

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN201510559637.9有效
发明人：臼井建人;广田侯然;井上智己;中元茂;福地功祐 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，等离子处理方法针对预先形成在真空容器的内部的处理室内所载置的晶片的上表面、且包含处理对象的膜以及配置于该膜的下方的基底膜的膜构造，利用形成于处理室内的等离子来进行处理，其具备：在任意的晶片上的膜构造的处理中所得到的干涉光的以波长为参数的强度的实际图案与在任意的晶片的处理前预先对具有处理对象的膜以及基底膜的三个以上不同厚度的基底膜的膜构造进行处理所获得的干涉光的以波长为参数的强度的图案之中，对将两个图案合成后的检测用图案的数据和实际图案的数据进行比较，并利用比较的结果来计算任意的晶片的处理中的时刻的处理对象的膜的蚀刻量的步骤。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN201880010962.1在审
发明人：广田侯然;角屋诚浩;中宇祢功一;玉利南菜子;井上智己;中元茂 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。
等离子体等离子体处理等离子体蚀刻金属除去堆积蚀刻堆积物室内晶片试料等离子体清洗半导体基板非金属元素金属元素蚀刻处理异物复合金属重复

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理装置的运行方法-CN201410341799.0有效
发明人：户上真人;臼井建人;广田侯然;井上智己;中元茂 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供提高了处理的成品率的等离子体处理装置或等离子体处理装置的运行方法。该等离子体处理装置包括检测来自在处理室内形成的等离子体的发光强度的变化的检测器，使用来自该检测器的输出来调节形成上述等离子体或处理配置于该处理室内的晶片的条件，上述检测器检测上述处理中的任意时刻以前的多个时刻下的上述发光强度的信号，从该检测出的信号中去除上述发光强度的长周期的时间变化的分量，从而检测上述发光强度的短时间变化的分量，并且上述检测器基于检测出的上述发光强度的短时间变化来调节形成上述等离子体或处理配置于该处理室内的晶片的条件。
等离子体处理装置运行方法

[发明专利]真空处理装置的运转方法-CN201310363018.3有效
发明人：川口道则;井上智己;末光芳郎;野木慶太 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提高吞吐率或者试样的处理效率。具备张数判定工序，判定在任意的一张晶片从所述盒搬出之前在搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的张数是否为规定的值以下；剩余处理时间判定工序，判定在所处理的预定的真空搬送容器内存在的所述晶片的剩余处理时间与在所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的处理时间的合计是否为规定的值以下；以及搬送顺序跳过工序，在不满足所述张数判定工序或者所述剩余处理时间判定工序的条件的情况下，针对沿着所述搬送顺序比所述任意的一张晶片后面的所述晶片实施所述张数判定工序以及所述剩余处理时间判定工序，将最初满足了这些工序的条件的所述晶片替换所述任意的一张晶片而重新决定为接下来从所述盒搬出的晶片。
真空处理装置运转方法

[发明专利]列车控制系统-CN201410144292.6有效
发明人：梁竞;井上智己 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： B61C17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在列车联结时无需在联结车、被联结车中设置传送线缆就能够进行各列车的车载控制装置间的通信以降低设备成本以及提高运用性的列车控制系统。在联结了2个列车时，将在通常1个列车行驶时用于与地面装置之间的通信中的列车的头部以及尾部的列车天线以及车载无线机的一方，切换为联结车与被联结车的车载控制装置间的通信。
列车控制系统

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN201310363078.5有效
发明人：中元茂;臼井建人;井上智己;广田侯然;福地功祐 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种在蚀刻处理中精密地检测处理对象的膜的剩余厚度的等离子处理装置或者方法。检测在处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度，从在上述处理中的任意时刻检测到的上述多个波长的干涉光的强度检测它们的时间微分的时间系列数据，使用与上述多个波长有关的上述时间序列数据检测将波长作为参数的实微分波形图案数据，使用比较了该实微分波形图案数据、和使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成的检测用微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用该剩余膜厚度判定达到上述处理的目标。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]压板和射线照相成像装置-CN201310728335.0有效
发明人：乙训伸次;高田健治;井上智己 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本发明涉及压板和射线照相成像装置。压板包括：板状挤压部，该挤压部能够弹性变形；第一狭缝，该第一狭缝设置到支持本体的第一壁部，该第一狭缝的长度方向沿着挤压部的第一边缘部，并且第一狭缝贯穿第一壁部；第二狭缝，该第二狭缝设置到支持本体的第二壁部，第二狭缝的长度方向沿着挤压部的第二边缘部，并且第二狭缝贯穿第二壁部；和第一角部狭缝，该第一角部狭缝设置成跨过在第一壁部和第二壁部之间的角部并且贯穿角部，第一角部狭缝连接到第一狭缝，并且第一角部狭缝布置成与第二狭缝间隔开。
压板射线照相成像装置

[发明专利]真空处理装置-CN201280038556.9无效
发明人：南繁治;井上智己 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种真空处理装置(100)，其能够抑制处理的吞吐量的下降，为此，真空处理装置具备：多个真空搬运室(41，42)，其配置在大气搬运室(21)的后方，搬运被处理晶片，在真空搬运室的周围连结真空处理室(61，62，63)，真空处理室对所述被处理晶片使用等离子体实施处理；中间室(32)，其在所述真空搬运室(41，42)之间搬运的期间，载置并收纳所述被处理晶片；以及锁止室(31)，其在所述真空搬运室与所述大气搬运室(21)的背面之间配置，真空处理装置将在载置于处理盒台上的处理盒内收纳的所述被处理晶片经所述锁止室(31)向所述多个真空处理室(61，62，63)的任一个搬运而实施处理，在所述中间室(32)内配置有假晶片的收纳部，所述假晶片的收纳部当在所述处理室(61，62，63)内形成等离子体并在与所述处理不同的条件下，在各处理室(61，62，63)使用假晶片进行的处理时配置在所述处理室(61，62，63)内。
真空处理装置

[发明专利]处理室分配设定装置和处理室分配设定程序-CN201310124313.3有效
发明人：仲田辉男;野木庆太;井上智己 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体处理装置中对多种晶片并行地实施处理的情况下，能够迅速且简便地选择生产性高的向各处理室进行的晶片种类的分配的方法，上述半导体处理装置是在连接有处理室的搬运机构中配置多个搬运机器人，并在多个搬运机器人之间进行被处理体的交接的线型设备的半导体处理装置。根据线型设备的半导体处理装置的处理室配置与输入的处理对象的晶片种类的信息，不遗漏地生成所有处理室分配的候选，对各处理室分配候选执行制造所有处理对象的模拟，并计算生产效率，按生产效率高的顺序显示候选，辅助用户采用。
处理分配设定装置程序

[发明专利]真空处理装置以及真空处理方法-CN201210166842.5有效
发明人：仲田辉男;野木庆太;井上智己;川口道则 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种真空处理装置以及真空处理方法。在连结了处理室的搬运机构部配置了多个搬运机器人，在多个搬运机器人之间进行被处理体的交接的线性工具的真空处理装置中，提供在处理所需要的时间不稳定的状况下高效率的搬运的控制方法。针对每个处理室，对处理过程中以及向该处理室搬运过程中的未处理晶圆的枚数进行计数，若该未处理晶圆的枚数与投入限制数相同或者在投入限制数以上，则在决定晶圆的搬运目的地时除去该处理室来决定搬运目的地。另外，对在到达处理室之前的路径上存在的晶圆保持机构进行预约，根据预约的状况决定接下来要搬运的被处理体的搬运目的地。
真空处理装置以及方法

[发明专利]蚀刻装置、分析装置、蚀刻处理方法、以及蚀刻处理程序-CN200980154428.9有效
发明人：森泽利浩;白石大辅;井上智己 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种无需设定物质、化学反应的信息，而可以从大量的波长下的波形，选定代表性的少数的波长，可以削减花费大量的工时的蚀刻数据的解析，而高效地进行蚀刻的监视/测定的设定的蚀刻装置。在蚀刻装置中，具备：按批量晶片阶段的OES数据检索/取得功能(511)，取得多个沿着蚀刻处理时间轴的发光强度波形；波形变化有无判定功能(521)，判定在多个发光强度波形中有无变化；波形相关矩阵计算功能(522)，计算发光强度波形间的相关矩阵；波形分类功能(523)，将发光强度波形分类为组；代表波形选定功能(524)，从组选定代表性的发光强度波形。
蚀刻装置分析处理方法以及程序

[发明专利]列车控制装置-CN200910006474.6有效
发明人：杉田洋一;渡部悌;井上智己 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： B61F5/44 文献下载
摘要：本发明提供一种不用追加安全余量距离，且能够减少地面装置的设置数量、乘坐的感觉良好的安全的列车控制方法。在与地面列车控制部传送信息来控制列车的列车控制装置中，包括车内控制部，该车内控制部具有预先存储有车轮直径可能变动的最大车轮直径和最小车轮直径以及速度防护模式的车内存储部，基于最大车轮直径和被检测出的车轮的转数和从地面装置接收到的车辆的位置信息，生成车辆现在的位置信息和速度信息，基于现在的位置信息和从地面列车控制部接收到的停止位置目标信息，从车内存储部抽出对应的速度防护模式，基于被抽出的速度防护模式，以及生成的现在的位置信息和速度信息，输出制动器输出。
列车控制装置

1
共 14 条