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[发明专利]一种提高碳化硅晶圆激光打标良率的方法-CN202310649427.3在审
发明人：高建宁;陈晓伦;朱悦常;潘敏智 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高碳化硅晶圆激光打标良率的方法，包括以下步骤：S1，激光打标前，在碳化硅晶圆的待打标面制备保护膜；保护膜由钨或二氧化硅组成；S2，在碳化硅晶圆的待打标面进行激光打标；S3，采用清洗液去除保护膜。本发明的保护膜将待打标面全部覆盖后保护起来，在激光打标时，保护膜能承受碳化硅气化碎屑的高温，飞溅的气化碎屑在冷却后，形成细微的碳化硅颗粒落在保护膜上；打标完成后，保护膜能采用清洗液简单去除而不损伤碳化硅材料，同时清洗液可以将落在保护膜上的碳化硅细微颗粒一起带走，从而不影响晶圆质量，避免了良率损失，提高了晶圆产品的良率，采用本发明的碳化硅晶圆激光打标，良率可以达到99％以上。
一种提高碳化硅激光打标良率方法

[发明专利]一种电力电子用半导体器件及其制作方法-CN202110522555.2有效
发明人：周宏伟;潘敏智;孔梓玮 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种电力电子用半导体器件及其制作方法。该半导体器件包含第一半导体层；在所述第一半导体层上表面设有沟槽区域；包含若干沟槽；所述若干沟槽内均填充第一绝缘介质材料；排列方式为，沿远离器件有源区方向，沟槽的宽度递减，沟槽的间距递增，沟槽的深度逐渐变浅；所述沟槽区域下方设有终端扩展区；在远离器件有源区的边缘端设有截止环区域；所述第二介质层位于所述沟槽区域上侧；所述第一导电层位于所述第二介质层边缘上侧；所述第一导电层和所述截止环区域以及所述终端扩展区连接；所述阻挡层位于所述第二介质层上侧；所述钝化层位于所述阻挡层上侧并能够覆盖装置上表面。终端表面电场分布更加均匀，提高了装置的可靠性。
一种电力电子半导体器件及其制作方法

[实用新型]一种连接条及半导体零件-CN202222112504.5有效
发明人：庞一兵;邱志述;潘刚;王晓培 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工领域，特别涉及一种连接条，包括连接条本体和阻挡结构，所述阻挡结构设置于所述连接条本体，所述连接条本体与半导体底板框架焊接连接，所述阻挡结构限制所述连接条本体在半导体底板框架上的位移。本实用新型的一种连接条，通过连接条本体上设置的阻挡结构，限制焊接组件烧结时连接条相对底板框架的位移，从而保证连接条本体和晶粒连接良好，提高半导体零件压塑后的产品良率，保证产品性能。本实用新型还涉及一种使用所述连接条的半导体零件。
一种连接半导体零件

[实用新型]一种集成框架、SMA集成框架和二极管-CN202220931377.9有效
发明人：谭志伟;周杰;邱志述 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种集成框架、SMA集成框架和二极管。一种集成框架包括框架底板，所述框架底板上集成有跳线结构；以及框架顶板，安装于所述框架底板上；所述框架顶板上集成有焊盘结构，且所述跳线机构与所述焊盘结构对应设置。相对于一体式的框架结构而言，本集成框架通过在框架底板上集成跳线结构、在框架顶板上集成焊盘结构的方式，可以避免单独冲切框架的工序，进而能够简化生产的工序，降低生产成本。
一种集成框架 sma 二极管

[发明专利]一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法-CN202210225676.5在审
发明人：周宏伟;高建宁;何欢;潘敏智 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明一种碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，主要包括以下步骤：步骤1、在芯片上淀积PA钝化层；步骤2、在PA钝化层之上涂布PI钝化层，并进行曝光、显影处理；步骤3、将所述步骤2得到的物料进行烘干处理；步骤4、将步骤3烘干后的物料进行刻蚀处理，漏出金属层。本发明公开了碳化硅功率件中钝化结构的制备方法，简化了传统的两次光刻工艺过程，一次光刻工艺即可完成，且不需要使用额外的光刻胶，降低了原料成本，绿色环保；步骤简单，有效地减小了质量控制的难度，便于推广应用。
一种碳化硅功率钝化结构制备方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件及其制备方法-CN202210283714.2在审
发明人：何欢;周宏伟;高建宁;潘敏智 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及了一种碳化硅功率器件及其制备方法，包括芯片、PA钝化层和PI钝化层；所述芯片由下向上包括依次连接的N+衬底、N‑外延层以及金属层；所述金属层的面积小于所述N‑外延层的面积；所述PA钝化层淀积在金属层的表面上以及外露的N‑外延层的表面上，所述PA钝化层的中部设置有第一凹陷窗口，所述第一凹陷窗口的底面为金属层的表面；所述PA钝化层靠近碳化硅功率器件的边缘区域设置有第二凹陷窗口，所述第二凹陷窗口的底面为N‑外延层的表面；PI钝化层淀积在所述PA钝化层的材料表面并填充于所述第二凹陷窗口的内部。提高了器件阻止水汽进入器件内部侵蚀芯片的能力，增强了器件在极限应用场景下的可靠性。
一种碳化硅功率器件及其制备方法

[实用新型]一种沟槽型器件-CN202121392315.7有效
发明人：周宏伟;刘杰;潘敏智 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽型器件，包含第一导电类型漂移区衬底，所述第一导电类型漂移区衬底的上设有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区内设有介质层；栅极多晶层与发射极多晶层被介质层包裹构成等间距的三沟槽结构；所述阻挡层则位于发射极多晶层下方；在第二导电类型体区表面设有第一导电类型发射极与第二导电类型发射极；所述保护层位于第一导电类型漂移区衬底表面上方；所述金属导电层则位于保护层上方并与第一导电类型发射极、第二导电类型发射极和发射极多晶层相连。通过利用阻挡层，改变空穴流出路径，优化器件内部的载流子分布。增强了载流子注入效应，能够降低IGBT的导通损耗。
一种沟槽器件

[实用新型]一种新型打孔石墨舟-CN202121825904.X有效
发明人：陈跃;陈鹏;胡斌 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型打孔石墨舟，属于半导体功率器件制造技术领域。包括石墨板和销钉，所述石墨板上设置有框架定位销钉孔座和若干个产品槽，每个所述产品槽设置有若干个通孔，所述石墨板上还设置有叠层定位销钉孔座，所述通孔不会对框架和石墨板的贴合造成影响，加快了SMD产品烧结过程中助焊剂的挥发以及其他气体的排出，减少了烧结空洞，提高了SMD产品烧结后产品表面光洁度；减轻了石墨舟的重量，便于人工操作；能够便于工人区分石墨板的方向，防止出错；减小了所述石墨板堆叠之后的磨损，延长了使用寿命和石墨板堆叠之后的稳定性；具有耐磨耐高温耐腐蚀的优点，并且具有较好的高温一致性。
一种新型打孔石墨

[发明专利]一种防止银迁移的平面二极管芯片-CN202111007165.8在审
发明人：邱志述;谭志伟;陈鹏 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片，包括第一半导体层、设于第一半导体层表面的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层提供二极管结构；在第二半导体层外周的第一半导体层表面设有保护PN结的保护层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面设有第一金属层；所述第一金属层包括焊接层，所述焊接层位于所述第二半导体层中部。使得焊接层两端与半导体层两端的横向电场之间具有间隔，降低了横向电场的影响；同时焊接层表面到芯片侧面的距离加大，银电极到芯片侧面电极之间形成导电湿气薄膜的可能性降低，能够降低平面二极管芯片表面银迁移的风险。
一种防止迁移平面二极管芯片

[实用新型]一种TSS与双向TVS合封贴片二极管-CN202020953276.2有效
发明人：邱志述;潘刚;谭志伟;周杰 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，包括TVS叠装结构、TSS叠装结构、塑封体、框架及第一跳线、第二跳线，TVS叠装结构与TSS叠装结构并联在应用电路中，在不改变封装外形尺寸的情况下整合了TVS和TSS两种二极管，能够节约空间使设备小型化，利用了二极管并联分流原理，能够成倍数的提高器件承受的浪涌电流或脉冲电流能力，器件具有超高的通流能力和超大的电流上升率，在此条件下可小型化电路中的电感器件，达到防护电路整体节约空间使设备小型化。
一种 tss 双向 tvs 合封贴片二极管

[实用新型]一种双向贴片瞬态电压抑制二极管-CN202020951406.9有效
发明人：庞一兵;周杰;潘刚;张焰 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括TVS芯片组与两块散热板形成的叠装结构，以及塑封体、跳线和框架，在TVS芯片组能够成倍数的提高器件承受反向浪涌能量冲击能力的同时，仅使用两块散热板的叠装结构具有较少的厚度，从而使塑封体具有更少的厚度，达到超薄的要求，节约了空间，能够应用在小功率、小型化的设备中。通过将框架的引脚在塑封体内的部分设置弯折结构，能够使塑封体对弯折结构下方的空隙进行填充，弯折结构又与叠装结构连接，使得叠装结构上下侧的塑封体应力达到平衡，提高了最终产品可靠性水平。
一种双向瞬态电压抑制二极管

[实用新型]一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管-CN202020953272.4有效
发明人：潘刚;庞一兵;谭志伟;胡斌 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括N颗TVS芯片、N+1块散热板相互交错叠放而形成的叠装结构，所述叠装结构底面连接有铜块，所述叠装结构外侧有塑封体；所述塑封体从所述叠装结构顶面、侧面以及底面进行包裹；还包括跳线和框架，叠装结构顶端的散热板连接跳线的一端，跳线的另一端连接到框架；叠装结构底端连接铜块顶端，铜块底端连接到框架。在采用多层芯片及多层散热板的设计，能够成倍数的提高器件承受反向浪涌能量冲击能力的同时，还在叠装结构底面连接一个铜块，使塑封体能够从所述叠装结构顶面、侧面以及底面进行包裹，达到叠装结构顶、底两面的塑封体应力平衡，提高了最终产品可靠性水平。
一种大功率双向瞬态电压抑制二极管

[发明专利]一种TSS与双向TVS合封贴片二极管-CN202010478247.X在审
发明人：邱志述;潘刚;谭志伟;周杰 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，包括TVS叠装结构、TSS叠装结构、塑封体、框架及第一跳线、第二跳线，TVS叠装结构与TSS叠装结构并联在应用电路中，在不改变封装外形尺寸的情况下整合了TVS和TSS两种二极管，能够节约空间使设备小型化，利用了二极管并联分流原理，能够成倍数的提高器件承受的浪涌电流或脉冲电流能力，器件具有超高的通流能力和超大的电流上升率，在此条件下可小型化电路中的电感器件，达到防护电路整体节约空间使设备小型化。
一种 tss 双向 tvs 合封贴片二极管

[实用新型]一种用于贴片式功率器件的测试片及测试装置-CN201920091647.8有效
发明人：何健 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于贴片式功率器件的测试片及测试装置，测试装置包括测试基座、定位导模和两对测试片；定位导模通过一弹性部件设置在测试基座上，定位导模上具有一凹槽，用于限制贴片式功率器件的宽度方向；两对测试片安装在测试基座上，并在定位导模的两侧分别设置一对测试片，且每对测试头的长条形凸起相对设置，每对测试头的长条形凸起具有的阶梯结构靠近定位导模设置，当定位导模凹槽内放入功率器件且向靠近测试基座的方向对定向导模施加压力，使功率器件的引脚与两对测试片的阶梯结构的阶梯面紧密接触。该装置能够将功率器件固定牢固，提高产品的定位精度。采用绝缘塑料，具有较好的防潮功能，能够使产品的测试更精准。
功率器件测试片导模测试基座测试装置贴片式长条形凸起阶梯结构测试头本实用新型弹性部件定向导模防潮功能固定牢固绝缘塑料施加压力相对设置阶梯面放入引脚测试

[实用新型]一种低热阻大功率贴片整流桥-CN201920189055.X有效
发明人：谭志伟 -专利权人： 乐山无线电股份有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低热阻大功率贴片整流桥，包括：6颗GPP芯片、5个引脚、塑封体、框架和连接条；框架上具有5个引脚，每个GPP芯片分别与引脚的焊接部分连接在一起，并通过连接条相互连接；GPP芯片和连接条包覆于塑封体内，且引脚伸出塑封体。该过低热阻大功率贴片整流桥可靠性能提升，能够适应更恶劣的应用环境。整流桥整体厚度降低，在印制电路板上的安装高度降低；其散热性更好，热阻更低，同样的器件大小，可承受更大的功率；组装工艺简单，多片产品同时封装，人工效率大幅提升，降低人工成本。
引脚低热阻连接条整流桥贴片塑封体印制电路板高度降低厚度降低可靠性能人工成本人工效率应用环境组装工艺散热性包覆多片热阻塑封封装焊接体内伸出

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