专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种整流桥的封装工艺-CN202310716808.9在审
  • 邓华鲜 - 江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-10-03 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种整流桥的封装工艺,包括:先在铝基覆铜板上形成正极铜箔、负极铜箔、第一交流铜箔和第二交流铜箔;再分别在正极铜箔、第一交流铜箔和第二交流铜箔上点锡膏并固定铜粒,再将芯片分别固定在各铜粒上,再将连接片分别固定在各芯片与预设的各连接片固定位之间并构成半成品整流架,再通过载具将半成品整流架与引线框架组装在一起构成半成品框架;最后依次进行烧结、热压注塑、电镀、切筋和测试处理即得到整流桥产品。本发明利用铜箔设计线路直接焊接铝基覆铜板和芯片,并采用局部铜粒作为芯片与铝基覆铜板间的承接,再通过锡膏焊接消除铝基板与芯片之间的间隙,因此有效地解决了现有整流桥通电能力较弱和散热效果较差的技术问题。
  • 一种整流封装工艺
  • [发明专利]一种逆变驱动电路-CN202310687801.9在审
  • 邓华鲜 - 江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-09-05 - H02M1/088
  • 本发明公开了一种逆变驱动电路,包括两个信号控制单元和四颗IGBT芯片,信号控制单元包括输入控制电路和GE信号驱动控制电路,所述输入控制电路包括光耦隔离器和晶体三极管,光耦隔离器包括接地端、输出端和与信号地连接的电源端;所述GE信号驱动控制电路包括驱动芯片,驱动芯片包括高侧信号输入端、低侧信号输入端、低侧信号输出端、电源连接端、高侧浮动地端、高侧信号输出端和与电源连接的接地输入端。本发明采用驱动芯片集成电路代替了变压器,能够在保证稳定驱动的前提下进一步降低产品的成本和体积,解决了现有逆变驱动电路成本较高及体积较大的技术问题。
  • 一种驱动电路
  • [发明专利]测试一体机-CN201811639170.9有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司
  • 2018-12-29 - 2023-08-01 - B07C5/344
  • 本发明公开了一种测试一体机,包括耐压测试机构、分离机构、输送机构、电性测试机构和电性废品推出机构,所述耐压测试机构用于对半导体器件进行耐压测试,所述分离机构用于将耐压测试合格的半导体器件分离至输送机构,所述电性测试机构和电性废品推出机构均固定在输送机构上,所述输送机构用于将半导体器件依次输送至电性测试机构和电性废品推出机构,并输出电性测试合格的半导体器件。本发明能够一次性自动地完成方形半导体器件的耐压及电性测试,大幅度提高了测试效率。
  • 测试一体机
  • [实用新型]一种半导体功率器件的终端结构-CN202223377170.0有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-06-30 - H01L29/739
  • 本实用新型属于电力电子器件技术领域,尤其涉及一种半导体功率器件的终端结构,包括衬底;衬底的底部和顶部分别设置电极金属板和漂移区;漂移区的顶部嵌入设置有主结区、截止环和2~4个等宽的场限环;漂移区的顶部覆盖有等平面钝化层;等平面钝化层的顶部设置有金属场板,等平面钝化层上分别对应主结区、截止环和所有的场限环设置有穿孔,金属场板通过穿孔分别连接主结区、截止环和所有的场限环。本技术方案改进了场限环的个数,通过减少场限环的个数来优化电场在漂移区的分布均匀性和分布面积,进而有利于提高终端效率和阻断电压。
  • 一种半导体功率器件终端结构
  • [实用新型]一种横向竖向相结合的传导散热装置-CN202220743472.6有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-08-09 - H05K7/20
  • 本实用新型公开了一种横向竖向相结合的传导散热装置,包括循环换热管、增压件、横向散热器和用于安装待散热模块的竖向散热器,所述横向散热器通过循环换热管与竖向散热器连接,所述循环换热管内设有冷媒介质,所述增压件安装在循环换热管上,所述增压件通过循环换热管控制冷媒介质在横向散热器与竖向散热器之间循环换热。该装置将现有竖向传导散热方式调整为横向传导散热和竖向传导散热相结合的方式进行散热,一方面可大幅提高散热效果,另一方面可降低竖向散热方式所对应散热器的体积,更有利于智能化设备的深度集成化及小型化。
  • 一种横向竖向相结合传导散热装置
  • [发明专利]一种电子集成模块的散热方法-CN202210338550.9在审
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-07-15 - H05K7/20
  • 本发明公开了一种电子集成模块的散热方法,包括:A:使用内设冷却介质的横向循环换热组件分别连接横向辅助散热器和竖向散热器,将电子集成模块安装在竖向散热器上;B:控制冷却介质循环流动,电子集成模块产生的热量经竖向散热器持续地以竖向散热的方式进行散热,同时电子集成模块产生的热量也持续地与循环流动的冷却介质发生热交换;而吸热后的冷却介质则循环流动至横向辅助散热器,将热量横向传导至横向辅助散热器上进行散热;依此重复,直至电子集成模块的散热完成。该方法采用了横向传导散热和竖向传导散热相结合的方式对电子集成模块进行散热,解决了现有技术中散热性能差及不利于智能化设备深度集成化的技术问题。
  • 一种电子集成模块散热方法
  • [实用新型]一种PIM器件的产品内部结构-CN202121966271.4有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司
  • 2021-08-20 - 2022-04-12 - H02M1/00
  • 本实用新型涉及变频线路集成技术领域,具体涉及一种PIM器件的产品内部结构,包括覆铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件;三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片;三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片;制动单元包括二极管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip铜片、clip发射极铜片和clip控制极铜片。基于本技术方案的PIM器件产品应用时功率高,clip发射极铜片、clip控制极铜片以及clip铜片上的电流密度高,通电能力提升,电阻值低,降低通电时发热量。
  • 一种pim器件产品内部结构
  • [发明专利]一种PIM器件及其制造方法-CN202110960215.8有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司
  • 2021-08-20 - 2022-04-01 - H02M1/00
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种PIM器件及其制造方法,包括覆铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件;三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片;三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片;制动单元包括二极管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip铜片、clip发射极铜片和clip控制极铜片。本技术方案的PIM器件结构小巧、使用方便,将该PIM器件运用于相关电路中,可简化电路结构,基于PIM器件采用的clip工艺,PIM器件性能稳定,进一步使得使用该PIM器件的电路安全可靠。
  • 一种pim器件及其制造方法
  • [发明专利]一种基于转盘式测试机自动测试晶圆的方法-CN202110994936.0有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司
  • 2021-08-27 - 2022-01-11 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种基于转盘式测试机自动测试晶圆的方法,其中,转盘式测试机包括工控机、电控转盘、扫描目镜和多个测试站,电控转盘上设置有上料工位、取料工位和多个测试工位,且上料工位、取料工位和多个测试工位呈环形均匀布置;每个测试站具有探针,多个测试站的探针分别设置在多个测试工位的上方;扫描目镜设置在上料工位的正上方,工控机分别与电控转盘、扫描目镜和测试站连接。本发明基于该转盘式测试机能够同时对放置在转盘上的多个晶圆进行测试,但每个测试站上的探针仅测试晶圆上的其中部分芯片,这使得转盘每转动一次即能够完成一个晶圆的测试,不仅提高了测试效率,还减少了每根探针测试时的行程及控制方式。
  • 一种基于转盘测试自动方法
  • [实用新型]一种基于Clip结构的IGBT器件-CN202121218426.6有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-01-11 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种基于Clip结构的IGBT器件,封装外壳体、二极管芯片、IGBT芯片、发射极引脚、控制极引脚、集电极引脚、铜clipⅠ、铜clipⅡ和处于封装外壳体内部设置有框架;集电极引脚与框架直接连接,发射极引脚和控制极引脚分别与框架隔离设置,并通过封装外壳体固定;二极管芯片和IGBT芯片分别焊接于框架上,二极管芯片的阴极通过框架与IGBT芯片的集电极连接;IGBT芯片的控制极通过铜clipⅠ与控制极引脚连接,IGBT芯片的发射极和二极管芯片的阳极通过铜clipⅡ与发射极引脚连接。本技术方案在应用时功率高,铜clipⅠ和铜clipⅡ上的电流密度高,通电能力提升,电阻值低,降低通电时发热量;提升产品热疲劳寿命能力,提高产品的安全性与稳定性。
  • 一种基于clip结构igbt器件
  • [实用新型]一种基于单个高压硅堆的微波炉控制电路-CN202120781831.2有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司
  • 2021-04-16 - 2021-11-23 - H05B6/68
  • 本实用新型属于微波炉的控制技术领域,尤其涉及一种基于单个高压硅堆的微波炉控制电路。包括整流电路、变压器T、IGBT、升压电路和磁控管Mt;变压器T和IGBT连接于整流电路的输出端;磁控管Mt连接于变压器T的输出端,且磁控管Mt与变压器T之间接入升压电路;升压电路中设置有高压硅堆VS高压硅堆VS包括正极引脚、中间引脚、负极引脚和封装外壳,以及通过封装外壳压塑在一起的硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ。本技术方案中采用了一种集成化结构的高压硅堆VS,具有较低是生产成本、较高的连接效率,简化了整体结构,确保了运行精度,为磁控管Mt提供稳定可靠的工作电压,同时降低了故障发生率,进一步提高了微波炉的安全性和可靠性。
  • 一种基于单个高压微波炉控制电路
  • [实用新型]一种高压硅堆-CN202120781835.0有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司
  • 2021-04-16 - 2021-11-23 - H01L25/07
  • 本实用新型属于二极管技术领域,尤其涉及一种高压硅堆,包括引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ、硅堆本体和封装外壳;硅堆本体包括硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ,硅堆单元Ⅰ的负极与硅堆单元Ⅱ的正极连接;硅堆单元Ⅱ和硅堆单元Ⅱ硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ中分别包含有若干个芯片堆;引脚Ⅰ与硅堆单元Ⅰ的正极连接,引脚Ⅱ与硅堆单元Ⅱ的负极连接,引脚Ⅲ与硅堆单元Ⅰ的负极或硅堆单元Ⅱ的正极连接。本技术方案集成度高,单个产品即可代替两个现有高压硅堆产品的使用,具有使用方便和安装效率高等特点,同时使散热区域得以分散,提高了产品的散热能力。
  • 一种高压
  • [实用新型]一种整流桥用塑封体-CN201822134156.5有效
  • 邓华鲜 - 乐山希尔电子股份有限公司
  • 2018-12-19 - 2021-06-04 - H01L23/31
  • 本实用新型公开了一种整流桥用塑封体,所述塑封体的正面开设有安装孔,背面开设有与安装孔相通的加强孔,所述加强孔的轴心线与安装孔的轴心线位于同一直线,且加强孔的内径大于安装孔的内径。本实用新型一是能够大幅提升塑封体的扭力,并将塑封体安装时的点受力转变为面受力,提升塑封体的受力强度,避免塑封体在安装时出现损伤。二是能够增加安装孔区域导热硅脂的流动速度,减少因导热硅脂堆聚导致的杠杆力;三是能避免金属散热器安装孔的毛刺挤伤塑封体。
  • 一种整流塑封

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