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[发明专利]压电层叠体及压电元件-CN202310240096.8在审
发明人： 中村诚吾 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及压电层叠体及压电元件，其获得兼具高压电常数和高耐电压。所述压电层叠体及压电元件是在基板上依次具备下部电极层及压电膜的压电层叠体及压电元件，其中，压电膜包含钙钛矿型氧化物，压电膜具备：第1区域，钙钛矿型氧化物以(100)面取向或(001)面取向与基板面的法线方向形成的第1角度为5°以上且30°以下的第1钙钛矿晶体为主成分；及第2区域，设置于第1区域与下部电极层之间，钙钛矿型氧化物以(100)面取向或(001)面取向与法线方向形成的第2角度小于5°的第2钙钛矿晶体为主成分，且第2区域的厚度为30nm以上。
压电层叠元件

[发明专利]带压电膜基板及压电元件-CN202180065894.0在审
发明人： 中村诚吾 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供一种带压电膜基板及压电元件，该带压电膜基板在基板上依次具备下部电极层及压电膜，其中，在将B设为钙钛矿型结构中的B位元素的情况下，压电膜包含：第1区域，包含由下述通式PbδBO3，1≤δ≤1.5表示的钙钛矿型氧化物；及第2区域，包含由与第1区域相同的元素构成的由下述通式PbαBO3，δ/3≤α＜δ表示的氧化物，第2区域设置于压电膜的与下部电极层相反的一侧的最表层。
压电膜基板元件

[发明专利]压电层叠体及压电元件-CN202211004492.2在审
发明人：小林宏之;中村诚吾 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：本申请涉及压电层叠体及压电元件。本发明获得一种无需增加工艺负荷便可提高压电特性及驱动稳定性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、以及包含钙钛矿型氧化物的压电膜。下部电极层包括：第1层，以与基板相接的状态配置；及第2层，以与压电膜相接的状态配置，第1层以Ti或TiW为主成分，第2层是以Ir为主成分且(111)面取向的单轴取向膜，第2层的来自(111)面的X射线衍射峰的半峰半宽为0.3°以上。
压电层叠元件

[发明专利]压电层叠体及压电元件-CN202211009262.5在审
发明人： 中村诚吾;小林宏之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：本申请涉及压电层叠体及压电元件。本发明的目的在于提供一种与以往相比无需降低压电特性便可提高长期可靠性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、及包含钙钛矿型氧化物的压电膜。下部电极层包括：第2层，以与压电膜相接的状态配置；及第1层，比第2层更靠基板侧配置，第1层包含W、Mo、Nb及Ta中的一种以上作为主成分，第2层以Ir为主成分且第2层的厚度为50nm以下。
压电层叠元件

[发明专利]防反射膜及光学部件-CN201880091646.1有效
发明人： 中村诚吾;前原佳纪;吉弘达矢;梅田贤一;板井雄一郎;山中英生 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明提供一种环境耐久性优异的防反射膜及光学部件。防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成，电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层，阻挡层的密度为2.7g/cm3以上且厚度为15nm以上且150nm以下。
反射光学部件

[发明专利]光学薄膜、光学元件及光学系统-CN201880087849.3有效
发明人：梅田贤一;中村诚吾;吉弘达矢;板井雄一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、以及具备光学薄膜的光学元件、及具备其光学元件的光学系统。一种光学薄膜，其设置在基材上，所述光学薄膜中，从基材侧起依次具备中间层、含有银的含银金属层及电介质层，含银金属层的中间层侧的界面区域具备包含锚金属的氧化物的锚区域，含银金属层的电介质层侧的界面区域具备包含锚金属的氧化物的罩体区域，包含锚区域及罩体区域的含银金属层的膜厚为6nm以下，含银金属层含有标准电极电位高于银的金属即高标准电极电位金属，并且，在含银金属层的膜厚方向上，高标准电极电位金属的浓度分布的峰值位置比银的浓度分布的峰值位置更靠中间层侧。
光学薄膜光学元件光学系统

[发明专利]防反射膜、光学元件及光学系统-CN201880059995.5有效
发明人： 中村诚吾;吉弘达矢;梅田贤一;板井雄一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明提供一种耐久性高的防反射膜、具备防反射膜的光学元件及具备该光学元件的光学系统。在所述防反射膜中，从基材侧起，依次层叠有中间层、含有银的含银金属层及电介质层，中间层为具有相对高的折射率的高折射率层与具有相对低的折射率的低折射率层交替层叠的2层以上的多层膜，电介质层具有露出于空气的表面，电介质层为包含含硅的氧化物层、氟化镁层、设置于含硅的氧化物层及氟化镁层之间且提高含硅的氧化物层与氟化镁层的密合性的密合层的多层膜。
反射光学元件光学系统

[发明专利]光学薄膜、光学元件、光学系统及光学薄膜的制造方法-CN201880021859.7有效
发明人：梅田贤一;中村诚吾;园田慎一郎;板井雄一郎;吉弘达矢 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G02B1/116 文献下载
摘要：本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、及具备光学薄膜的光学元件、以及具备该光学元件的光学系统。设为如下光学薄膜：从基材侧依次层叠中间层、含有银的含银金属层及电介质层而成，在中间层与含银金属层之间具备Hamaker常数为7.3×10‑20J以上的锚金属扩散控制层，在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域，该锚金属具有小于含银金属层的表面能且比锚金属扩散控制层的表面能大的表面能，在含银金属层与电介质层之间具备包含锚金属的氧化物的罩体区域，含银金属层、锚区域及罩体区域的总计膜厚为6nm以下。
光学薄膜光学元件光学系统制造方法

[发明专利]透明光学膜的制造方法及透明多层膜的制造方法-CN201880018079.7有效
发明人： 中村诚吾;梅田贤一;板井雄一郎;园田慎一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供一种有效地制造包含透明且为极薄膜的银合金层的透明光学膜的透明光学膜的制造方法及使用了透明光学膜的制造方法的透明多层膜的制造方法。具有以下工序：成膜工序，包含将厚度为6nm以下的银层通过真空蒸镀进行成膜的银蒸镀工序、及将由标准电极电位大于银的高标准电极电位金属构成的高标准电极电位金属层通过真空蒸镀进行成膜的高标准电极电位金属蒸镀工序，并且在基材上至少将银层和高标准电极电位金属层进行层叠成膜；以及合金化工序，通过在50℃以上且400℃以下的温度下进行加热处理，在银层中使高标准电极电位金属扩散来形成银合金层。
透明光学制造方法多层

[发明专利]层叠膜及层叠膜的制造方法-CN201880055579.8在审
发明人：梅田贤一;板井雄一郎;中村诚吾 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在树脂基材上具备平坦的超薄膜的金属层的密合性高的层叠膜及其制造方法。本发明的层叠膜设为如下：依次层叠树脂基材、由有机层和无机层交替层叠而成的有机无机多层膜及厚度为20nm以下的含银金属层而成，有机无机多层膜的最靠含银金属层侧的层为无机层，在无机层的表面具备Hamaker常数为7.3×10‑20J以上的锚金属扩散控制层，在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域，该锚金属具有与锚金属扩散控制层相比，与含银金属层的表面能之差较小的表面能，在含银金属层的与锚金属扩散控制层侧的面相反的面侧具备包含锚金属的氧化物的罩体区域。
层叠制造方法

[发明专利]膜的制造方法-CN201780055274.2在审
发明人： 中村诚吾;八重樫裕之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B05D1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜且膜厚等的均匀性较高的优质的膜的制造方法。所述膜的制造方法为将包含形成膜的材料及溶剂的原料溶液供给到基板上，通过使溶剂干燥而将膜形成在基板上的膜的制造方法。使用在基板上保持原料溶液的涂布刮板，涂布刮板具有与基板的表面相对置的对置面、及设在对置面的周围的与原料溶液接触的至少1个侧面。使原料溶液的溶剂沿着特定方向干燥而形成膜。
原料溶液基板涂布刮板溶剂制造表面相对溶剂干燥对置面均匀性膜形成对置膜厚薄膜侧面

[发明专利]有机半导体膜的制造装置-CN201780007888.3在审
发明人： 中村诚吾;前原佳纪;板井雄一郎;宇佐美由久;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明提供一种使用有机半导体溶液来制造有机半导体膜的有机半导体膜的制造装置。制造装置具有：涂布部件，与形成有机半导体膜的基板的表面对向且分开而配置，在与基板之间形成有机半导体溶液的积液；供给部，向基板和涂布部件之间供给有机半导体溶液；以及罩部，至少覆盖有机半导体溶液的晶体生长部。罩部具备附着有机半导体溶液蒸发出的溶剂且将由有机半导体溶液蒸发出的溶剂形成的附着物导向有机半导体膜的未成膜区域的引导件。一边由供给部向与基板的表面之间供给有机半导体溶液，一边使涂布部件以接触有机半导体溶液的状态在与基板的表面平行的第1方向上移动，从而将晶体生长部作为起点而形成有机半导体膜。
有机半导体溶液有机半导体膜基板涂布部件制造装置晶体生长供给部罩部表面平行成膜区域溶剂形成附着物上移动引导件溶剂对向附着积液覆盖配置制造

[发明专利]有机半导体膜的制造方法-CN201780007011.4在审
发明人： 中村诚吾;前原佳纪;板井雄一郎;宇佐美由久;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体膜的制造方法，所述制造方法具有以下制造工序，即一边向与基板的基板表面对向且分开而配置的涂布刮板的刮板表面与基板表面之间供给有机半导体溶液，一边使刮板表面以与有机半导体溶液接触的状态向与基板表面平行的第1方向移动来使有机半导体膜沿第1方向形成。涂布刮板配置成在刮板表面和有机半导体溶液接触的区域具有相对于基板表面的分开间隙的大小不同的第1间隙和第2间隙，在第1方向的上游侧具有第1间隙，且在下游侧具有与第1间隙相比间隙的大小更小的第2间隙。第2间隙的大小为基板表面和刮板表面的最小距离，且为40μm以下。
基板表面刮板有机半导体溶液有机半导体膜涂布刮板制造方向移动分开间隙制造工序最小距离配置的对向基板平行上游配置

[发明专利]阻气膜及阻气膜的制造方法-CN201580013441.8有效
发明人： 中村诚吾;望月佳彦;向井厚史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。
阻气膜无机层均匀区域膜厚等离子体制造等离子体CVD法侧向界面方向界面接触膜厚方向变化量高频率基材膜中央部含氧

[发明专利]阻气膜-CN201380017358.9有效
发明人： 中村诚吾;铃木信也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：通过本发明，作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，提供一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。
阻气膜

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