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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]马达驱动设备-CN202010082007.8有效
发明人： 中岛基 -专利权人：双叶电子工业株式会社;小川精机株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02P1/26 文献下载
摘要：提供了一种马达驱动设备。所述马达驱动设备包括：驱动单元，其被配置为通过对用于驱动马达的桥式电路中的开关元件进行开/关控制，来驱动通过旋转轴直接连接至发动机的起动马达/发电机；以及驱动控制器，被配置为控制由驱动单元执行的用于所述起动马达/发电机的驱动操作。驱动单元通过改变桥式电路的开关元件的接通周期来控制用于所述起动马达/发电机的马达驱动电压，并且以预定的计时接通桥式电路的预定的开关元件，以进行有源续流操作，以提高由起动马达/发电机产生的再生电压。驱动控制器基于电池电压来指示驱动单元去控制马达驱动电压以及有源续流操作的开/关。
马达驱动设备

[发明专利]文档检索系统、文档检索方法-CN202080091469.4在审
发明人：桃纯平;东和树;中岛基 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F16/332 文献下载
摘要：提供一种考虑到文档的概念检索文档的文档检索系统。该文档检索系统包括处理部，在处理部中从检索文本形成检索图。检索图包括第一至第m(m为1以上的整数)检索局部图，检索局部图由两个节点及一个边构成。在处理部中对参考文档进行第一至第m句子的检索。第i(i为1以上且m以下的整数)句子具有：第i检索局部图的两个节点中的一方或者两个节点中的一方的相关词或下位词；第i检索局部图的两个节点中的另一方或者两个节点中的另一方的相关词或下位词；以及第i检索局部图的边或者边的相关词或下位词。然后，根据在第一至第m句子中参考文档所包括的句子数对参考文档的得分赋予分数。
文档检索系统检索方法

[发明专利]疲劳度评价系统及疲劳度评价装置-CN202080054430.5在审
发明人：秋元健吾;冈野达也;中岛基 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：提供一种疲劳度评价系统。疲劳度评价系统包括积累部、生成部、存储部、取得部及测定部，积累部具有积累多个第一图像及多个第二图像的功能，多个第一图像为从侧面或倾斜方向取得的眼睛及其周边的图像，多个第二图像为从正面取得的眼睛及其周边的图像，生成部具有进行监督学习而生成学习了的模型的功能，存储部具有储存学习了的模型的功能，取得部具有取得第三图像的功能，第三图像为从侧面或倾斜方向取得的眼睛及其周边的图像，测定部具有基于学习了的模型从第三图像测定疲劳度的功能。
疲劳评价系统装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710327978.2有效
发明人：山崎舜平;中岛基;高桥正弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物材料及半导体器件-CN201710165341.8有效
发明人：山崎舜平;中岛基;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。
氧化物材料半导体器件

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710327977.8有效
发明人：山崎舜平;中岛基;高桥正弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。
半导体装置制造方法

[发明专利]电源装置-CN201710371013.3有效
发明人： 中岛基 -专利权人：双叶电子工业株式会社;小川精机株式会社
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H02J7/14 文献下载
摘要：电源装置包括：整流单元，用于整流交流输入电压；包含开关元件的电压转换单元，其被配置为从所述整流单元接收整流的输入电压并获得经所述开关元件的开关操作进行电压转换的输出电压；电压比较单元，被配置为在所述输出电压和设定输出电压之间产生比较信号。所述电源装置还包括振荡单元，其被配置为输出具有振荡周期和振荡停止周期的控制信号，其作为用于控制所述开关元件的导通/断开的控制信号。通过从所述电压比较单元输出的比较信号控制所述控制信号的振荡周期和振荡停止周期，并根据输入电压可变地控制振荡周期内的控制信号的脉冲占空比。
电源装置

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201611206269.0有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

[发明专利]溅射靶材及该溅射靶材的制造方法-CN201780043223.8在审
发明人：山崎舜平;中岛基;马场晴之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种新颖的金属氧化物或新颖的溅射靶材。溅射靶材包含导电材料及绝缘材料。绝缘材料包含含有元素M1的氧化物、氮化物或氧氮化物。元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr、Be和B中的一种或多种的元素。导电材料包含含有铟及锌的氧化物、氮化物或氧氮化物。使用导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶材沉积金属氧化物膜。
溅射靶材导电材料绝缘材料氧氮化物氮化物氧化物沉积金属氧化物金属氧化物彼此分离制造

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210506180.1有效
发明人：山崎舜平;中岛基;高桥正弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物材料及半导体器件-CN201180060652.9有效
发明人：山崎舜平;中岛基;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。
氧化物材料半导体器件

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201280000715.6有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201310150088.0有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

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