专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺-CN202111680194.0有效
  • 王宇;冯德伸;刘宁;王博;李燕;雷同光;林泉 - 中国有研科技集团有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-06-27 - C30B29/08
  • 本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器,在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶,在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖,相邻的两层保温盖之间用石英块隔开;热屏悬挂在保温盖上,并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置;热屏采用多层结构设计,热屏的主体结构为喇叭形,靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构,两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中,在籽晶前端浸入熔体前,需要分为四个烤晶悬停位置,使籽晶缓慢地从冷区浸入热区;调整热场的温度梯度,保证单晶生长环境的稳定性。
  • 一种直拉法生长无位错锗单晶热场工艺
  • [发明专利]一种NOx传感器陶瓷芯片进气口流导的调控方法-CN202211713720.3在审
  • 崔建东;李硕;张晓;徐瑶华 - 中国有研科技集团有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-06-09 - G01N27/407
  • 本发明公开了一种NOx传感器陶瓷芯片进气口流导的调控方法,属于气体传感器制造技术领域。该方法包括以下步骤:(1)在特定NOx浓度的测试气氛下,测试出NOx传感器陶瓷芯片的E2‑IP2曲线,获得该芯片的极限电流平台值IP2T;(2)根据所测试出的极限电流平台值IP2T与目标极限电流平台值IP2g之间的差,计算出所需的多孔扩散障材料厚度;(3)通过丝网印刷工艺在传感器陶瓷芯片的进气口印刷扩散障材料至所需厚度;(4)通过高温热处理固化扩散障材料。本发明方法可以实现对NOx传感器陶瓷芯片的进气口流导的调控,使芯片的极限电流平台值调至所需目标范围,具有操作简单、调控效果好的特点。
  • 一种nox传感器陶瓷芯片进气口调控方法

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