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[发明专利]一种薄晶圆散热片及其制作工艺-CN202010478956.8有效
发明人： 严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄晶圆散热片及其制作工艺，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S1：在完成晶圆正面工艺之后，使用粘合剂将晶圆正面与玻璃载板键合；S2：在晶圆背面进行研磨和刻蚀；S3：涂布光阻剂，进行黄光工艺和离子注入工艺；S4：生成附着层和阻挡层；S5：在阻挡层上生成铜种子层；S6：进行黄光工艺，显影生成掩膜板图案；S7：进行电化学电镀工艺，在铜种子层上电镀上厚铜膜；S8：去除光阻层；S9：刻去除晶粒间切割道上的铜、镍、钛的金属层；S10：蚀刻晶粒间的切割道；S11：清洗残留物及聚合物；S12：附着在蓝膜框架上；S13：将玻璃载板从晶圆上移除；S14：清洗粘合剂；本方案解决了现有技术中无法在薄晶圆上布置足够厚度的散热片的问题。
一种薄晶圆散热片及其制作工艺

[发明专利]一种可均匀释放应力的超薄晶圆制作工艺-CN202211730416.X在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及超薄晶圆制作技术领域，具体的是一种可均匀释放应力的超薄晶圆制作工艺，本发明包括以下步骤：S1、取一个完成正面可耐高温工艺的晶圆，然后将晶圆的正面键合在玻璃载板上，然后对晶圆背面进行减薄，完成晶圆背面减薄后，采用激光切割晶圆的背面，在晶圆背面形成切割道，对切割道处剩余晶圆进行隐形激光切割；通过在对晶圆的高温回火以及沉积Ti、Ni、Ag金属等相关工艺前，先在晶圆表面激光切割形成凹槽状的切割道，使得后续加工晶圆时，由于切割道的存在，晶圆可以产生小角度的弯曲，以消除晶圆因为加工产生的应力，使得对厚度低于60μm的晶圆进行制作时，晶圆不易因为应力产生损伤。
一种均匀释放应力超薄制作工艺

[发明专利]一种用于晶圆加工的玻璃载板-CN202010148395.5有效
发明人： 严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆加工的玻璃载板，属于晶圆加工领域。一种用于晶圆加工的玻璃载板，所述玻璃载板一端面上形成环形保护玻璃，其中，玻璃载板的最薄处厚度为20～200微米。本申请的玻璃载板具有薄化区域，在方便载取晶圆的同时，更利于光学定位，并且在薄化区域开设窗口后，可进行晶圆的双面加工。
一种用于加工玻璃

[发明专利]一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺-CN202011120980.0有效
发明人： 严立巍;符德荣;文锺 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆双面加工工艺，使用飞秒激光扫描玻璃载板的一端面，解构所述玻璃载板的一端面形成多条沟槽，每个所述沟槽围成封闭区域，多个所述封闭区域同心布置；将所述玻璃载板的另一端面与晶圆的一端面键合，并对晶圆的另一端面进行减薄；蚀刻去除所述封闭区域部分的玻璃载板，通过镭射将所述封闭区域的玻璃载板与所述晶圆解键合；使用氧电浆清洗所述封闭区域内的键合剂；进行晶圆的双面工艺；将所述晶圆的一端面固定在切割模框上，切割所述晶圆。
一种玻璃双面加工工艺

[发明专利]一种氮化镓晶圆加工工艺-CN202211507735.4在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶圆加工工艺，属于半导体领域。一种氮化镓晶圆加工工艺，包括以下步骤：在陶瓷载板上形成沉积层；将氮化镓晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得氮化镓晶圆固定连接在沉积层上；在晶圆的另一端面进行金属离子注入与离子活化制程；在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板；通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板。
一种氮化镓晶圆加工工艺

[发明专利]一种IGBT晶圆加工工艺-CN202211106038.8在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT晶圆加工工艺，属于半导体领域。包括以下步骤：在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面沉积ILD层；将做好ILD层的晶圆正面贴合第一载板，在第一载板与所述的晶圆的衔接处涂布第一封堵层，使得晶圆与第一载板固定，然后在晶圆背面植入离子，并通过高温回火使植入的离子活化；在回火处理后的晶圆背面制作反面金属镀膜；在晶圆的背面贴合第二载板，断开第一封堵，移除第一载板，并涂布第二封堵，使得所述的第二载板与晶圆固定；蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，并通过溅镀厚膜Al，在接触孔中填充，形成IGBT的Emittor结构；在晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻，形成正面金属图形及PAD键合区；断开第二封堵，解除第二载板与晶圆的固定，完成IGBT晶圆加工。
一种 igbt 加工工艺

[发明专利]一种碳化硅IGBT晶圆的加工工艺-CN202310025257.1在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅IGBT晶圆的加工工艺，本发明包括以下步骤：S1、首先在碳化硅晶圆正面进行离子植入，并且进行高温回火，然后在碳化硅晶圆正面蚀刻出沟槽，并且对碳化硅晶圆进行氧化，在碳化硅晶圆正面和沟槽内部生产二氧化硅层；S2、翻转碳化硅晶圆，通过第一次碳沉积将碳化硅晶圆正面固定到石墨载板上，通过在步骤S1中先进行碳化硅晶圆正面的高温工艺，最后进行步骤S7中无需进行高温的工艺，使得碳化硅IGBT晶圆的加工能够从高温至低温依次进行，避免提前完成单面工艺使得后续进行另一面高温工艺时，碳化硅晶圆上已经完成的工艺无法承受后续的高温工艺，影响到所制作的碳化硅IGBT晶圆的品质。
一种碳化硅 igbt 加工工艺

[发明专利]电镀装置及晶圆的电镀方法-CN202310028122.0在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种电镀装置及晶圆的电镀方法，电镀装置包括：外腔组件和内腔组件，外腔组件具有容置腔，内腔组件可拆卸地设于容置腔内，内腔组件具有多个电镀区域，每个电镀区域内均具有间隔设置的阳极板和待电镀部件，待电镀部件水平放置，且待电镀部件在水平面内可转动。根据本发明的电镀装置，采用可组装的内腔组件和外腔组件，在待电镀部件进行电镀时，可以将内腔组件从外腔组件中取出，以便于待电镀部件的放置。电镀装置采用水平电镀的方式，待电镀部件电镀过程中，在水平面内转动，从而可以去除待电镀部件表面产生的气泡，从而提高电镀质量。而且，该电镀装置，可以同时进行多片待电镀部件的电镀，提高了电镀效率。
电镀装置方法

[发明专利]一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺-CN202011119885.9有效
发明人： 严立巍;符德荣;文锺 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺，包括以下步骤：S1、将晶圆正面键合玻璃载板，晶圆背面减薄，并进行微影工艺及离子注入等工艺；S2、对玻璃载板进行开窗；S3、在玻璃载板的窗口处进行晶圆正面的厚膜金属连线及PAD光刻及蚀刻的加工；S4、玻璃载板解键合，清洗移除黏着层；S5、切割切断超薄晶圆及切割道上残留的金属，完成制作晶圆的厚膜金属连线、PAD金属图案。本发明以镭射及蚀刻结合在玻璃载板上加工开窗，可在最薄厚度为30‑35um的晶圆上制作5‑25um厚的金属连线、PAD金属图案。
一种晶圆厚膜金属 pad 图案制作工艺

[发明专利]一种用于基板的电镀装置及电镀方法-CN202111412286.0有效
发明人： 严立巍;符德荣;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于基板的电镀装置及电镀方法，电镀装置用于进行基板的电镀，电镀装置具有盛放电解液的电镀腔，待电镀基板置于电镀腔的电解液中并与电源正极连接，待电镀基板的至少一侧具有连接电源负极的阳极板，阳极板与待电镀基板之间具有绝缘板，绝缘板上具有多个通孔。在对基板进行电镀时，绝缘板在电解液中摆动，电镀离子穿过通孔流向基板，并电镀至基板表面。根据本发明提出的用于基板的电镀装置及电镀方法，可以在基板表面产生从整体到局部均处于均匀状态的电场分布，并最终提高基板表面的电镀质量。
一种用于电镀装置方法

[发明专利]一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法-CN202110203793.7有效
发明人：符德荣;严立巍;陈政勋;文锺;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法，包括以下步骤：S1、将化合物半导体基板永久键合在硅基载板上，完成正面的晶圆制程；S2、采用有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3、通过机械研磨硅基载板至键结层前，再通过蚀刻完全除去硅基载板并对化合物半导体基板减薄；S4、完成背面晶圆制程后解键合，移除玻璃载板，清洗去除黏着层，完成化合物半导体元件。本发明运用将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。
一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工方法

[发明专利]一种中央部分去除的玻璃载板-CN202010148379.6有效
发明人： 严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开一种中央部分去除的玻璃载板，所述玻璃载板中央部分去除后形成凹面，去除的方法包括腐蚀或减料加工，凹面外侧端形成边缘保护环。所述玻璃载板侧端设置有晶圆，玻璃载板和晶圆之间设置有键合层。本发明在玻璃载板和晶圆之间设置有键合层，玻璃载板和晶圆之间通过键合层键合固定连接，固定牢固；同时，本发明能一次同时进行正面及背面的工艺，以节省数小时的工艺时间，一个边缘保护环玻璃载板可支撑传送晶片，中央去除的玻璃载板结构，使得晶圆的双面都可接触电镀化学液，即可以一次同时进行正面及背面的金属沉积工艺，提高了工作效率。
一种中央部分去除玻璃

[发明专利]晶圆的标识部位的加工方法及晶圆的制备方法-CN202211097560.4在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶圆的标识部位的加工方法及晶圆的制备方法，晶圆的标识部位的加工方法，包括：S100，将晶圆键合至玻璃载板；S200，采用隐形激光工艺对晶圆的预设部位进行激光改质，形成改质区域，改质区域与标识部位相对应；S300，至少保留改质区域与玻璃载板之间的键合连接，对晶圆与玻璃载板间的其余部分位置进行解键合；S400，分离晶圆和玻璃载板，使晶圆的改质区域部位滞留于玻璃载板，以在晶圆形成标识部位。本发明制备的晶圆的标识部位体积小，不会对晶圆的有效利用面积造成浪费。而且，较小的标识部位，不会影响晶圆后续加工过程中的平稳性，利于后续晶圆电镀层、沉积层等制备的均匀性，从而提高了晶圆的质量。而且，工艺简单、可靠。
标识部位加工方法制备

[发明专利]一种可均匀释放应力的超薄晶圆制作工艺-CN202211728552.5在审
发明人： 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及超薄晶圆制作技术领域，具体的是一种可均匀释放应力的超薄晶圆制作工艺，本发明包括以下步骤：S1、先完成晶圆的正面高温部分工艺，将晶圆正面键合在玻璃载板上，然后对晶圆背面进行减薄，接着将晶圆背面键合在环形载板上；S2、将晶圆正面的玻璃载板取下，对晶圆进行高温回火，并在晶圆的背面用激光进行隐形切割；S3、通过在晶圆的两面同时进行电镀金属层；S4、将晶圆贴附到切割模框上，沿着隐形切割道切割呈晶粒状；本发明通过在晶圆表面激光切割形成凹槽状的切割道，由于切割道的存在，晶圆可以产生小角度的弯曲，以消除晶圆因为加工产生的应力，晶圆不易因为应力产生损伤，不产生晶圆的多余损失。
一种均匀释放应力超薄制作工艺

[发明专利]一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺-CN202010708050.0有效
发明人： 严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，包括以下步骤：在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；研磨所述晶圆的正面，通过研磨或蚀刻减薄所述晶圆的背面的中部，在所述晶圆的背面涂布第一聚酰亚胺涂层；对所述晶圆的正面进行涂布光阻、曝光与显影，在所述晶圆的正面形成需要布置铜柱的区域；在所述区域上镀铜，形成铜柱。在所述晶圆的正面涂布聚酰亚胺涂层；通过金属蒸镀或金属溅镀形成所述晶圆背面的金属镀膜。与现有技术相比，本申请的制造工艺能形成更好的应力缓冲，且晶圆的正反面皆可焊接或打线连接封装散热片。
一种镀铜结构制造工艺

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