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[发明专利]一种驱动电路和芯片-CN202310416944.6在审
发明人：徐涵;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明提供了一种驱动电路及芯片，驱动电路包括漏电保护路径和自控制调整电路，用于驱动功率晶体管。通过自控制调整电路以第一控制方式或第二控制方式确定漏电保护路径的开启时间和钳位电压的大小，一方面减少振荡引起的电压应力，另一方面缓解由静电放电造成的威胁，即在保持功率晶体管栅极的栅极电压在有效工作范围的同时，保证漏电保护路径不被误开启，并减少栅极电压达到钳位电压的时间，提高驱动电路的开关响应速度。
一种驱动电路芯片

[发明专利]一种氮化镓半导体器件及芯片-CN202310346971.0在审
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓半导体器件及芯片，其中，该氮化镓半导体器件包括：半导体基材、多层半导体层、源极、栅极结构、漏极以及金属阳极；其中，多层半导体层设置在半导体基材上，且半导体层远离半导体基材的表面开设有至少一沟槽结构；源极、栅极结构和漏极彼此间隔的设置在半导体层表面，栅极结构设置在源极和漏极之间；金属阳极设置在栅极结构和漏极之间；沟槽结构设置在栅极结构和漏极之间，且金属阳极设置在至少一沟槽结构靠近栅极结构的一侧，金属阳极通过半导体层分别与源极、漏极接触，以形成反向续流二极管；本申请在氮化镓半导体器件上形成反向续流二极管，能有效提升器件耐压，同时减小器件的泄露电流，提升氮化镓半导体器件性能。
一种氮化半导体器件芯片

[发明专利]一种GaN HEMT器件-CN202310342327.6在审
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN HEMT器件，包括沿第一方向层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，势垒层远离GaN沟道层的表面设有相互间隔的源极、栅极结构和漏极；还包括反向续流二极管，设于势垒层远离GaN沟道层的表面且位于栅极结构与漏极之间，包括金属阳极和多个第一P‑GaN结构，每个第一P‑GaN结构至少部分位于金属阳极靠近漏极的一侧，多个第一P‑GaN结构与金属阳极接触设置且呈梳齿状排列。第一P‑GaN结构设置于势垒层远离GaN沟道层的表面，多个第一P‑GaN结构在第二方向上相互平行且间隔设置，金属阳极与势垒层形成肖特基接触，与第一P‑GaN结构形成欧姆接触。通过上述设置，解决了现有技术中集成肖特基二极管反向泄漏电流大、耐压能力差的问题。
一种 gan hemt 器件

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202320729088.5有效
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，本申请的肖特基二极管，包括衬底以及设置于衬底上的异质结，异质结内形成有二维电子气，异质结上间隔设置有阳极电极和阴极电极，阳极电极和阴极电极之间的异质结上设置有应力调节结构，应力调节结构能够通过向阳极电极附近的异质结表面施加压应力增加异质结表面的压应力，以及，通过向阴极电极附近的异质结表面施加张应力增大异质结表面的张应力。本申请提供的肖特基二极管，能够改善现有技术中肖特基二极管的反向泄露电流大、耐压能力差的问题。
一种肖特基二极管

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202310228741.4在审
发明人：陈东坡;严丹妮;徐涵;张辉;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括第一半导体结构、第二半导体结构和导电石墨烯层。第一半导体结构位于栅极金属靠近衬底的一侧并与栅极金属连接。第二半导体结构位于漏极金属与第二半导体层之间并与漏极金属连接。导电石墨烯层设置于栅极金属与第一半导体结构之间且与栅极金属相对设置，和/或设置于第二半导体结构和第二半导体层之间且与第二半导体结构相对设置。通过设置导电石墨烯层，可抑制第一半导体结构的活性镁离子扩散至栅极金属，从而降低栅极金属的漏电，提升栅极金属的稳定性；或者抑制第二半导体结构的活性镁离子扩散至第二半导体层，从而提高漏极金属的正向导通和反向截断特性。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[外观设计]黑板支架(经济学教学用)-CN202130122947.0有效
发明人： 严丹妮 -专利权人： 严丹妮
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： 19-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：黑板支架(经济学教学用)。2.本外观设计产品的用途：作为可移动搬运的黑板支架使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
黑板支架经济学教学

[实用新型]一种便于携带的人力资源招聘用展示装置-CN202020440657.0有效
发明人： 严丹妮 -专利权人： 严丹妮
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G09F15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于携带的人力资源招聘用展示装置，属于展示装置技术领域，其包括第一展示板，所述第一展示板的左右两侧面通过销轴分别与两个第二展示板的相对面活动连接，且两个第二展示板的上表面均设置有限位块，所述第一展示板的上表面固定连接有两个放置块，两个所述放置块内均设置有限位杆，两个所述限位杆相远离的一端分别卡接在两个限位块内。该便于携带的人力资源招聘用展示装置，通过设置第一展示板、放置块、限位杆和弹簧，当工作人员折叠完毕后，磁块就会接触并相互吸附，使得第二展示板不易发生翻转，使得工作人员可以方便的对该展示装置的体积进行折叠缩减，方便了工作人员对该展示装置进行运输。
一种便于携带人力资源聘用展示装置

[发明专利]一种新型氨基酸螯合铁晶体的制备方法-CN201811323403.4在审
发明人：谢如玥;严丹妮;程凡;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C07D233/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氨基酸螯合铁晶体的制备方法，包括以下步骤：1)、制备组氨酸氯化亚铁混合溶液；2)、向组氨酸氯化亚铁混合溶液中加入无水乙醇，混合均匀，得到乙醇溶液；3)、将步骤2)得到的乙醇溶液置于恒温环境中密封反应，直到试管底部出现黄色结晶状沉淀物；4)、移去上清液，将步骤3)得到的黄色结晶状沉淀物进行干燥，得到产物。本发明的新型氨基酸螯合铁晶体得制备方法简单可控，氨基酸铁螯合物在乙醇溶液中的溶解度远小于在水中的溶解度，更有利于产物的析出，提高了产率；乙醇溶液较水更易挥发，可有效降低干燥温度以及减少干燥时间；所用试剂均为安全无毒的绿色试剂，对环境无污染，对生物体无毒无害。
乙醇溶液制备氨基酸螯合铁黄色结晶状氯化亚铁晶体的溶解度组氨酸环境无污染混合溶液中生物体析出氨基酸铁恒温环境混合溶液绿色试剂无毒无害无水乙醇上清液中密封螯合物试管产率挥发可控移去无毒安全

[实用新型]一种真空干燥箱-CN201520790471.7有效
发明人： 严丹妮 -专利权人： 严丹妮
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型适用于化学设备领域，提供一种真空干燥箱，包括箱体以及与所述箱体转轴连接的密封门，所述箱体内设置有加热腔，所述加热腔的内表面向内均匀设置有若干突起条，每条突起条内设置有加热丝。本实用新型提供的真空干燥箱，其内部加热腔的内表面为波纹突起条结构，每条突起条内设置加热丝，因此加热丝在加热腔内均匀分布，并且加热腔的加热受热面积更大，使得加热腔内的温度分布更为均匀，保证了待干燥物质均匀受热。
一种真空干燥箱

[实用新型]一种高稳定离心机-CN201520788569.9有效
发明人： 严丹妮 -专利权人： 严丹妮
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： B04B5/00 文献下载
摘要：本实用新型适用于化学仪器技术领域，提供一种高稳定离心机，包括设备壳体以及设置在所述设备壳体内的离心腔，所述离心腔与壳体之间还设有驱动电机，所述驱动电机的输出轴穿过所述离心腔后通过固定件固定有承载盘，所述承载盘上表面设有若干通孔，所述承载盘下表面与离心腔之间还固定有环形轴承，所述环形轴承包括上凹槽、下凹槽以及设置在所述上下凹槽之间的圆柱滚珠。本实用新型在承载盘下表面与离心腔之间设置环形轴承，所述环形轴承可以支撑住承载盘，即使承载盘整体的质量分布不均匀，在环形轴承的支撑下，承载盘也不会震动，稳定性非常高，保证了离心机的使用寿命。
一种稳定离心机

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