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[发明专利]一种复合图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN201911373514.0有效
发明人：王子荣;陆前军;张剑桥;张能 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种复合图形化衬底、制备方法及LED外延片。该复合图形化衬底的制备方法包括：提供一平片蓝宝石衬底；在所述平片蓝宝石衬底上形成至少一层介质层，所述至少一层介质层包括位于底层且与所述平片蓝宝石衬底接触的第一介质层；图案化所述至少一层介质层，形成多个异质微结构；其中包括：采用刻蚀液对所述第一介质层进行湿法刻蚀；所述平片蓝宝石衬底与所述刻蚀液的化学反应速率低于所述第一介质层与所述刻蚀液的化学反应速率。本发明实施例解决了现有图形化衬底制备过程中平片蓝宝石衬底C面容易严重受损的问题，可以保证复合图形化衬底中生长外延材料的C面的质量，从而有助于减少外延生长缺陷，改善外延层质量。
一种复合图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片-CN202010979348.5在审
发明人：谢鹏程;张剑桥;陆前军;康凯;肖桂明 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底的制备方法包括：在衬底基板上形成第一异质层；在第一异质层上形成第二异质层，第二异质层中掺杂有硼、磷或锗中的至少一种元素；对第二异质层进行高温退火平坦化处理；在第二异质层表面形成光刻胶层；通过图形转移技术，使光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜；根据光刻胶胶柱掩膜，对第二异质层、第一异质层和衬底基板进行图形化，形成图形化复合衬底。本发明实施例解决了现有的异质层表面平坦度低和粗糙度差的问题，能够制备形成符合标准的图形化复合衬底，有利于改善外延层生长质量，同时保证图形化复合衬底对光线路径的改善，提高LED芯片的光出射效率。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种包裹式图形化复合衬底、制备方法及LED外延片-CN202010947179.7在审
发明人：肖桂明;张剑桥;刘凤仪;康凯;陆前军;张能 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种包裹式图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该包裹式图形化复合衬底包括衬底基板以及形成于衬底基板上的多个复合图形微结构；复合图形微结构包括中心凸起微结构和火山口型环状凸起微结构，中心凸起微结构的底部与衬底基板一体连接，火山口型凸起微结构采用异质材料制成；火山口型环状凸起微结构围绕中心凸起微结构设置，且包裹中心凸起微结构的底部，露出中心凸起微结构的顶部。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且光出射效率较低的问题，可以提高复合图形化微结构中存在折射率差的界面面积及其倾斜角度，提升光的出射几率；同时可以降低外延生长时外延材料的位错密度，提高外延材料结晶质量。
一种包裹图形复合衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种图形化衬底的制备方法和匀胶系统-CN202010849930.X在审
发明人：向炯;肖桂明;康凯;陆前军;刘凤仪 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化衬底的制备方法和匀胶系统。该图形化衬底的制备方法包括：依次在多个平片衬底上匀胶光刻胶层；对多个平片衬底上的光刻胶层进行膜厚检测，获得膜厚参数；根据光刻胶层的膜厚参数，对多个平片衬底进行分类；采用匀胶后的平片衬底所属类型对应的曝光参数，对每片平片衬底的光刻胶层进行曝光显影，和/或，采用匀胶后的平片衬底所属类型对应的刻蚀参数，对黄光制程后的平片衬底进行刻蚀。本发明实施例解决了现有制备工艺所制备的不同成品片微结构图形差异较大的问题，能够避免光刻胶层厚度差异对图形结构的影响，保证成品片各片间的微结构图形的底径、高度、侧壁弧度等存在较小误差，实现同类规格成品片的高集中度。
一种图形衬底制备方法系统

[发明专利]一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法-CN202010636320.1在审
发明人：张剑桥;吴伟;康凯;肖桂明;杨锤 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、LED外延片及其制备方法。该图形化复合衬底包括衬底基板、位于所述衬底基板上的多个复合微结构，所述复合微结构包括上下层叠的异质层和衬底层，所述衬底层与所述衬底基板为一体结构；所述衬底层与所述异质层相交界的表面设置有至少一个凹洞和/或至少一个凸起，所述异质层与所述衬底层构成复合微结构凸起。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底内量子效率和光提取效率仍较低的问题，一方面能够改善外延材料的晶体质量，提升内量子效率，另一方面可以增大光反射角，提升光的提取效率，有助于改善对应制备的LED芯片的出光效率。
一种图形复合衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片-CN201911296325.8在审
发明人：康凯;陆前军;向炯 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底包括：图形化基底；图形化外延缓冲层，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部。本发明实施例解决了图形化蓝宝石衬底在生长氮化镓外延层时仍存在晶格失配，外量子效率小，发光亮度低的问题，实现了增强光提取效率，改善外延生长质量的效果，有助于提高LED的外量子效率。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片-CN201911005180.1在审
发明人：张剑桥;陆前军;康凯 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底包括：图形化基板，所述图形化基板表面蚀刻有微结构；单晶三氧化二铝薄膜，所述单晶三氧化二铝薄膜均匀覆盖在所述微结构上；所述图形化基板的蚀刻速率高于三氧化二铝的蚀刻速率，和/或所述图形化基板的热导率高于三氧化二铝的热导率。本发明实施例解决了现有蓝宝石衬底刻蚀效率低、导热性能较差的问题，可以改善蚀刻效率，使制备工艺简单化，优化散热能力，同时能够保证外延生长质量，有助于制备性能优异的LED芯片。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片-CN201910951286.4在审
发明人：陆前军;张剑桥;康凯;肖桂明;王子荣;吴伟;曾广艺 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[实用新型]一种微形变压力传感器及装置-CN202021065587.1有效
发明人：吕垒;陆前军;吴先燕;何志强 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种微形变压力传感器及装置。该微形变压力传感器包括第一刚性衬底、第二刚性衬底、导电薄膜和两个电极；所述导电薄膜位于所述第一刚性衬底和所述第二刚性衬底之间；所述两个电极位于所述导电薄膜的两端，且分别与所述导电薄膜电连接。本实用新型实施例利用导电薄膜的微形变进行压力测量，解决了现有压力传感器形变量过大而导致压力测量存在误差的问题，使微形变过程实现为压力测量过程，保证了压力测量的准确度和精度，改善了压力测量的灵敏度。
一种形变压力传感器装置

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN201810012156.X有效
发明人：康凯;付星星;陆前军 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一，对蓝宝石衬底进行清洗；步骤二，在蓝宝石衬底表面形成一层光刻胶掩膜图形；步骤三，将带有光刻胶掩膜图形的蓝宝石衬底放入ICP干法刻蚀设备内进行刻蚀操作，往ICP干法刻蚀设备分别通入由BCl3气体和CHF3气体形成混合气体，该混合气体中CHF3气体的输入流量与BCl3气体的输入流量的比例值小于40%大于0，刻蚀操作由主刻蚀阶段和过刻蚀阶段构成，主刻蚀时间大于过刻蚀时间，制备得到图形化蓝宝石衬底。本发明有效的解决了ICP设备产能低的问题，降低了图形化蓝宝石衬底的制备成本，提升了图形化蓝宝石衬底的制程良率。
一种图形蓝宝石衬底制备方法

[实用新型]一种图形化复合衬底及LED外延片-CN201922254470.1有效
发明人：康凯;陆前军;向炯 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种图形化复合衬底及LED外延片。该图形化复合衬底包括：图形化基底；图形化外延缓冲层，所述图形化外延缓冲层覆盖所述图形化基底，所述图形化外延缓冲层背离所述图形化基底的一侧形成有多个第一微结构，所述第一微结构包括第一异质材料结构，所述第一异质材料结构至少位于所述第一微结构的顶部。本实用新型实施例解决了图形化蓝宝石衬底在生长氮化镓外延层时仍存在晶格失配，外量子效率小，发光亮度低的问题，实现了增强光提取效率，改善外延生长质量的效果，有助于提高LED的外量子效率。
一种图形复合衬底 led 外延

[实用新型]一种酸清洗装置-CN201922157239.0有效
发明人：张剑桥;陆前军 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种酸清洗装置。该酸清洗装置包括：酸洗槽，所述酸洗槽具有平整底面，超声结构，所述超声结构包括超声变幅杆，所述超声变幅杆设置在所述酸洗槽的开口上方，所述超声变幅杆可活动调节以伸入所述酸洗槽中的酸洗液中，加热装置，设置在所述酸洗槽的下方。本实用新型实施例解决了对化学性质稳定、附着力强的杂质清除困难的问题，实现了增加体系中化学反应速率、缩短酸洗时间、有效去除衬底表面顽固的杂质的效果，并且能够充分利用酸洗液，减少成本的浪费，降低环境保护的负担。
一种清洗装置

[实用新型]一种图形化复合衬底和LED外延片-CN201921668027.2有效
发明人：肖桂明;张剑桥;康凯;刘凤仪;陆前军;张能 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种图形化复合衬底和LED外延片。该图形化复合衬底包括：蓝宝石基板；阵列排布的多个台状微结构，所述台状微结构位于所述蓝宝石基板上，所述台状微结构的侧壁具有内凹弧度，且所述台状微结构中至少远离所述蓝宝石基板一侧的部分由异质材料制成。本实用新型实施例解决了现有图形化衬底出光效率仍较低的问题，降低了入射至衬底上的光线发生全反射的概率，增加了光出射的几率，保证了衬底的光提取效率；同时可以有效释放外延材料生长过程中产生的应力，减少外延层中的缺陷，保证外延层质量，有利于改善出光率和增加LED的亮度。
一种图形复合衬底 led 外延

[实用新型]一种图形化复合衬底和LED外延片-CN201921684854.0有效
发明人：陆前军;张剑桥;康凯;肖桂明;王子荣;吴伟;曾广艺 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种图形化复合衬底和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本实用新型实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。
一种图形复合衬底 led 外延

[发明专利]一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法-CN201810798676.8有效
发明人：康凯;杨志伟;陆前军;张剑桥;王子荣 -专利权人： 东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：制备具有微纳米级结构的图形化衬底；在图形化衬底上通过旋涂法、喷涂法以及旋涂与喷涂结合的方式制备银纳米线基透明导电薄膜，然后在50℃—100℃之间的温度的环境下干燥5min‑30min；在银纳米线基透明导电薄膜制备氧化锌保护层；进行高温热处理，完成制备。本发明具有工艺简单、成本低、可量产化、尺寸可控等优点，更重要的是，制备在图形化衬底上的透明电极具有高散射，更高比表面积等优势，并能在性能上保持高的光透过率，高导电性以及良好的稳定性等特点。
一种图形衬底制备纳米透明导电薄膜方法

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