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[发明专利]光谱芯片-CN202210073871.0在审
发明人：范策;丛培沛;黄志雷;王宇 -专利权人：北京与光科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本申请涉及一种光谱芯片，其中，所述光谱芯片包括图像传感器和被设置于所述图像传感器的感光路径上的至少一调制层。相应地，所述图像传感器包括多个物理像素，每一所述调制层包括多个结构单元，其中，每一所述结构单元至少对应于一个所述物理像素。所述光谱芯片通过在图像传感器上设置调制层以使得所述光谱芯片既能够用于光谱恢复又可以用于光谱成像。特别地，在一些示例中，所述调制层包括调制区域和非调制区域，所述调制区域能够对抵达图像传感器的光线进行调制，而非调制区域则不对光线进行调制。
光谱芯片

[发明专利]光谱芯片及其制备方法、光谱分析装置-CN202110996321.1在审
发明人：覃秋军;丛培沛;黄志雷;王宇 -专利权人：北京与光科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种光谱芯片及其制备方法、光谱分析装置。所述光谱芯片包括：包括至少一物理像素的传感单元；位于所述传感单元的感光路径上的滤光结构，所述滤光结构包括至少一滤光结构单元，其中，每一个所述滤光结构单元对应于至少一个所述物理像素以通过相互匹配的一个所述滤光结构单元和至少一个所述物理像素形成一个像素单元；以及，形成于所述像素单元之间以用于防止相邻的所述像素单元之间发生串扰的栅格。这样，所述光谱芯片通过所述栅格来避免进入像素单元之间的入射光之间发生串扰。
光谱芯片及其制备方法光谱分析装置

[实用新型]光谱芯片和光谱分析装置-CN202122044326.2有效
发明人：覃秋军;丛培沛;黄志雷;王宇 -专利权人：北京与光科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种光谱芯片和光谱分析装置，其中，所述光谱芯片包括：包括至少一物理像素的传感单元；位于所述传感单元的感光路径上的滤光结构，所述滤光结构包括至少一滤光结构单元，其中，每一个所述滤光结构单元对应于至少一个所述物理像素以通过相互匹配的一个所述滤光结构单元和至少一个所述物理像素形成一个像素单元；以及，形成于所述像素单元之间以用于防止相邻的所述像素单元之间发生串扰的栅格。这样，所述光谱芯片通过所述栅格来避免进入像素单元之间的入射光之间发生串扰。
光谱芯片光谱分析装置

[发明专利]氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法-CN201410056782.0无效
发明人：闫建昌;王军喜;张韵;丛培沛;孙莉莉;董鹏;田迎冬;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法。该氮化物发光二极管外延片包括：衬底；以及依次沉积于衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，p型层中掺杂元素至少包括Mg；载流子阻挡层为含有Al元素的氮化物材料，且除后期由p型层渗入的Mg元素之外，其前期沉积工艺中未掺入Mg元素。本发明通过在量子阱有源区和p型层之间插入合适厚度的非有意掺杂载流子阻挡层，可以有效减少p型层中掺杂剂Mg往量子阱有源区中的扩散效应，从而提高量子阱的辐射复合效率，即有效提高氮化物LED的内量子效率。
氮化物半导体发光二极管外延器件及其制备方法

[发明专利]紫外共振腔发光二极管-CN201310141880.X无效
发明人：曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置，该装置包括：一种共振腔紫外发光二极管装置，其包括：第一腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反射器反射的电磁波；第二腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向下辐射和经过第二反射器反射的电磁波；其中第一腔和第二腔共同构成的共振通道，电磁波在其中来回传播。第一反射器和第二反射器，分别连接到该第一腔和第二腔，分别用于反射从第一腔和第二腔中经过并射向反射器的电磁波。
紫外共振发光二极管

[发明专利]一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法-CN201310118141.9有效
发明人：曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。
一种具有 dbr 反射结构紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法-CN201310117217.6无效
发明人：曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法，其涉及微电子技术领域，主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有高反射薄膜，用于将光反射后从器件底部发射出去。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过高反射薄膜的反射，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域中。
一种具有反射薄膜紫外发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片-CN201210162775.X无效
发明人：董鹏;闫建昌;王军喜;孙莉莉;曾建平;丛培沛;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有源区上；一P型过渡层，其生长在电子阻挡层上；一P型接触层，其生长在P型过渡层上；一反射欧姆接触电极，其制作在P型接触层上；采用所述基片制备的紫外发光二极管的发光波长范围在200nm-365nm之间。具有较高的紫外反射率，从而提高了紫外发光二极管的光提取效率。
具有反射欧姆接触电极紫外发光二极管

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