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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]化学合成装置、以及化学合成装置的制造方法-CN201580011824.1在审
发明人： 世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：提供了一种能够检测流体从流路泄漏的化学合成装置、以及这样的化学合成装置的制造方法。本发明的化学合成装置的一个方式的特征在于，具有：基板，形成有用于将多个流体进行化学合成的流路；以及配线部，埋设于基板，通过配线部与流体接触，配线部的电阻值发生变化。
化学合成装置以及制造方法

[发明专利]导电图案形成方法、半导体装置、以及电子设备-CN201510397652.8在审
发明人： 世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供能抑制因钕成分的再附着而导致的异常形状的导电图案形成方法、半导体装置、以及电子设备。本发明的导电图案形成方法的一方式的特征在于，具有：在基材上形成铝钕合金膜的工序；在铝钕合金膜上形成具有铝钕合金膜的厚度的1/4倍以上的厚度的导电膜的工序；以及采用干法蚀刻对铝钕合金膜和导电膜进行图案化的工序。
导电图案形成方法半导体装置以及电子设备

[发明专利]感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备-CN201510174089.8在审
发明人： 世良博;中岛嘉树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明涉及感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备。提供形状精度高地设置膜厚薄的区域的抗蚀膜的方法。该感光膜的设置方法具有：在基板主体(10)上设置光致抗蚀膜(15)，使用光透过率为3灰度以上的半色调掩膜(30)进行曝光，使光致抗蚀膜(15)显影的工序，显影后的光致抗蚀膜(15)具有第一光致抗蚀膜(16)和比第一光致抗蚀膜(16)厚的第二光致抗蚀膜(17)，在显影后的基板主体(10)上，在不除去光致抗蚀膜(15)而可以设置第二光致抗蚀膜(17)的位置设置第二光致抗蚀膜(17)。
感光设置方法半导体装置制造电子设备

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910145588.9无效
发明人： 世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。在以往的半导体装置的制造方法中，存在难以进一步效率化的课题。本发明的半导体装置的制造方法具有：在设置于第一基板(41)上的第一半导体层(51)的显示面侧，形成俯视下与第一半导体层(51)的一部分重叠的第一导电图案(107)的工序；第一注入工序，以第一导电图案为掩模向第一半导体层(51)注入杂质；缩小工序，在所述第一注入工序之后除去第一导电图案(107)的一部分，缩小作为第一导电图案(107)与第一半导体层(51)俯视下重叠的区域的第一重叠区域(113a)；和第二注入工序，在所述缩小工序后，以栅电极部(57)为掩模向第一半导体层(51)注入所述杂质。
半导体装置制造方法

[发明专利]光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200810177618.X无效
发明人： 世良博;宫田崇 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供可提高半导体元件的特性的光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法。半色调掩模(11)具有：掩模基材(12)；在掩模基材(12)上形成的、对来自曝光装置的曝光光的透过率进行调整的半透过膜(13)；和在半透过膜(13)上形成的、几乎完全遮住光的遮光膜(14)。遮光膜设置在与沟道区域相当的部分，并设置在与源极/漏极区域相当的半透过膜的周围。半导体装置的制造方法利用上述半色调掩模，将曝光光向抗蚀前体膜照射。然后，通过进行显影处理完成抗蚀膜(25)，该抗蚀膜具有：大致残留有曝光前的抗蚀前体膜的厚度的与遮光区域相当的部分(25a)、和残留有薄的抗蚀前体膜的与半透过区域相当的部分(25b)。
光掩模半导体装置制造方法

[发明专利]液晶装置和电子设备-CN200810081393.8无效
发明人： 世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种具有触键功能且可靠性高的液晶装置。由于隔离物(151a)和(151b)具有互不相同的长宽比，例如在液晶装置随着温度降低发生收缩时，即便无法通过隔离物(151a)来维持基板间间隙，也可以通过隔离物(151b)来维持基板间间隙。因此，例如即便在根据环境温度液晶装置(1)发生收缩的情况下，可以通过具有互不相同的长宽比的隔离物(151a)和(151b)的任意来确保基板间间隙，由此可以提高液晶装置(1)的可靠性。
液晶装置电子设备

[发明专利]发光装置的制造方法以及发光装置-CN200610128090.8无效
发明人： 世良博;石黑英人 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种发光装置的制造方法及发光装置。该发光装置具有密封在基板(10)与密封体(32)之间的发光体(16)。该发光装置的制造方法包括：在基板(10)的表面上形成由发光材料构成的发光层(L)的工序；形成局部覆盖发光层(L)的密封体(32)的工序；和通过将密封体(32)作为掩模的等离子体处理除去发光层(L)中未被该密封体(32)覆盖的部分，来形成发光体(16)的工序。这样，能够有效地除去发光层的不要部分。
发光装置制造方法以及

[发明专利]薄膜半导体装置、电光学装置、以及电子仪器-CN200510106361.5有效
发明人：江口司;世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提供对于在同一基板上形成的TFT和电容元件，可以确保高的耐电压的同时可以提高电容元件的静电电容的薄膜半导体装置、电光学装置和电子仪器。在TFT阵列基板(10)中，由于电介质膜(2c)在第1区域(1c)的外侧区域备有比第1区域(201c)膜厚更厚的第2区域(202c)，所以存储电容(70)的耐电压高。从而，电容元件(70)可以得到高的耐电压，同时可以将为增高耐电压而增厚电介质膜(2c)的膜厚导致的静电电容的降低限制在最小限度内。这样，对于在同一基板上形成的TFT(30)和电容元件(70)，可以确保高的耐电压，同时可以提高电容元件(70)的静电电容。
薄膜半导体装置光学以及电子仪器

[发明专利]薄膜半导体装置及其制造方法、电光装置和电子机器-CN200510089401.X有效
发明人：江口司;世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜半导体装置的制造方法、薄膜半导体装置、其电光装置和其电子机器，无需增加制造工序，就能使电容元件的电介质膜的膜厚薄于TFT的栅极绝缘膜的膜厚。在TFT阵列基板(10)上构成积蓄电容(70)时，从抗蚀掩模(401)的开口(401a)向半导体膜(1a)的延伸部分(1f)中导入杂质，同时从该抗蚀掩模(401)的开口(401a)蚀刻电介质膜(2c)的表面。因此，无需增加制造工序，就能够使积蓄电容(70)的电介质膜(2c)的膜厚薄于(TFT30)的栅极绝缘膜(2a)的膜厚。
薄膜半导体装置及其制造方法电光电子机器

[发明专利]薄膜半导体器件、电光装置及其制造方法和电子设备-CN200410033873.9无效
发明人： 世良博 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-04-15 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的课题是提供可与栅电极的形状或LDD长度无关地高精度地控制LDD长度的薄膜半导体器件的制造方法。首先，在基板10A上依次形成预定的图形的半导体膜1、栅绝缘膜2、和锥形形状的栅电极3c，以栅电极3c为掩模在半导体膜1中注入低浓度的杂质。其次，在形成了栅电极3c的透光性基板10A上形成了由2种以上的绝缘膜构成的层叠绝缘膜后，进行全面刻蚀，形成层叠绝缘膜8x，使至少1层的绝缘膜成为其宽度比栅电极3c的宽度宽且比半导体膜1的宽度窄的预定的图形。其次，以层叠绝缘膜8x为掩模在半导体膜1中注入高浓度的杂质。
薄膜半导体器件电光装置及其制造方法电子设备

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