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[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202310136430.5在审
发明人：佐藤寿朗;上村俊也;神谷真央;天野浩;加地彻;新田州吾;出来真斗;田中敦之;本田善央 -专利权人：丰田合成株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件以及装置-CN202180088463.6在审
发明人：佐藤寿朗;奥野浩司;篠田大辅;上村俊也;成井启修;河合弘治;八木修一 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社POWDEC
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(S1)、漏极电极(D1)及栅极电极(G1)。第二半导体层(120)的带隙大于第一半导体层(110)及第三半导体层(130)的带隙。夹着第二半导体层(120)的第一中间层(150)及第二中间层(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。
半导体元件以及装置

[发明专利]半导体元件以及装置-CN202180022947.0在审
发明人：佐藤寿朗;竹中靖博;篠田大辅;上村俊也;河合弘治;八木修一 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社POWDEC
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。源极电极(S1)形成在凹部(X1)之上。漏极电极(D1)形成在凹部(X2)之上。漏极电极接触区域(DC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ld)大于源极电极接触区域(SC1)与第三半导体层(130)之间的距离(Ls)。
半导体元件以及装置

[发明专利]半导体元件以及装置-CN202180022787.X在审
发明人：佐藤寿朗;竹中靖博;篠田大辅;上村俊也;河合弘治;八木修一 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社POWDEC
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。将栅极电极(G1)与第四半导体层(140)接触的栅极电极接触区域(GC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域包围将源极电极(S1)与第二半导体层(120)接触的源极电极接触区域(SC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域的周围。
半导体元件以及装置

[发明专利]半导体元件以及装置-CN202180022782.7在审
发明人：佐藤寿朗;竹中靖博;神谷真央;篠田大辅;上村俊也;河合弘治;八木修一 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社POWDEC
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
半导体元件以及装置

[发明专利]半导体元件以及装置-CN202180022817.7在审
发明人：佐藤寿朗;竹中靖博;奥野浩司;篠田大辅;上村俊也;河合弘治;八木修一 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社POWDEC
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。
半导体元件以及装置

[发明专利]第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201410051573.7有效
发明人： 上村俊也 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种第III族氮化物半导体发光元件，包括包括发光层、p型半导体层和n型半导体层的半导体层；接触p型半导体层的p接触电极；接触n型半导体层的n接触电极；以及支承半导体层的支承衬底。p接触电极和n接触电极设置在半导体层与支承衬底之间的位置处。在p接触电极和n接触电极被正投影在支承衬底的板表面上的情况下，p接触电极和n接触电极形成为所正投影的p接触电极和所正投影的n接触电极彼此不重叠的形状。
iii 氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]III族氮化物类化合物半导体元件及其制造方法-CN201010615087.5无效
发明人： 上村俊也;荒添直棋 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物类化合物半导体元件的制造方法，通过在结晶成长基板上结晶成长外延成长层，利用金属层把外延成长层的最终成长层与支撑基板接合，除去结晶成长基板，把外延成长层的初期成长层的基底层作为支撑基板上的外延成长层的最上层。从最终成长层的一侧，形成由具有氮反应性的金属构成的第1层、由对氯等离子体蚀刻具有耐性的可进行湿式蚀刻的金属构成的第2层、由具有氮反应性的对湿式蚀刻具有耐性的金属构成的第3层。从半导体元件的基底层使用氯等离子体进行蚀刻露出第2层的表面而形成元件分离槽。通过湿式蚀刻除去露出在元件分离槽的底面上的第2层，使第3层露出在元件分离槽的底面上，在元件分离槽上覆盖绝缘性保护膜。
iii 氮化物类化合物半导体元件及其制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体发光器件-CN201010285753.3有效
发明人： 上村俊也;伊藤润 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光提取性能改善的III族氮化物半导体发光器件，包括导电基底；设置在基底上的p-电极；由III族氮化物半导体形成并依次设置在p-电极上的p-型层、有源层和n-型层；和连接n-型层的n-电极。根据一个实施方案，发光器件包括从p-型层在p-电极侧上的表面延伸到n-型层的第一沟槽；与用作第一沟槽底部的n-型层表面接触但不接触第一沟槽侧壁的辅助电极；和具有透光性并覆盖辅助电极和第一沟槽的底部和侧壁的绝缘膜。根据另一实施方案，发光器件包括第二沟槽，其设置在沿垂直于器件主表面的方向面对部分辅助电极的区域中并从n-型层在p-电极侧的相反侧上的表面延伸到辅助电极；并且n-电极仅由焊盘部分形成并设置在辅助电极的通过第二沟槽暴露的部分上。
iii 氮化物半导体发光器件

[发明专利]发光装置-CN200910133163.6有效
发明人：新田康一;押尾博明;下村健二;北岛知和;高桥望;高桥祐次;上村俊也;太田光一 -专利权人：株式会社东芝;丰田合成株式会社
申请日： 2002-04-09 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光装置，它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110)，即使发光元件波长偏移，色调也不变化。
发光装置

[发明专利]氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法-CN03158766.6无效
发明人： 上村俊也;柴田直树;野杁静代;伊藤润;村上正纪;小出康夫 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 1997-11-29 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。
氮化化合物半导体器件及其制作方法

[发明专利]发光装置-CN200410005369.8无效
发明人： 上村俊也 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2004-02-11 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光装置，具有：半导体发光元件，该半导体发光元件从设置在与其电极形成表面相对一侧上的其发光表面发射光；引线框，该引线框通过导线与形成在电极形成表面上的电极电连接；透明结构，该透明结构与发光表面光连接，并具有基于其三维形状的光分布特性；以及光传输树脂，该光传输树脂密封半导体发光元件和透明结构。
发光装置

[发明专利]第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件-CN02811199.0有效
发明人： 上村俊也;堀内茂美 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2002-06-03 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在倒装晶片型第III族氮化物化合物半导体发光元件中，在p侧电极表面和n侧电极表面的每一个上配置一个Au层，并插入有Ti层。
氮化物化合物半导体发光元件

[发明专利]生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法-CN02811198.2无效
发明人： 上村俊也 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2002-06-03 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：p座电极层压到透光电极形成层后，进行第一个加热步骤和第二个加热步骤以合金化这两层。在第一个加热步骤中，在含氧气氛中在相当低的温度下进行热处理。在第二个加热步骤中，在不含氧的气氛中在相当高的温度下进行热处理。
生产氮化物化合物半导体器件方法

[发明专利]有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法-CN97122567.2有效
发明人： 上村俊也;柴田直树 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 1997-10-03 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种有关GaN的材料的化合物半导体器件及其制造方法，其中在n型GaN化合物半导体层上，用选自V、Nb、Zr和Cr中的至少一种金属或含这些金属的合金制成基层。并在基层上形成由其它金属构成的主电极层。之后，将半导体层、基层和主电极层经热处理以制成n电极。
有关氮化化合物半导体器件及其制造方法

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