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[发明专利]III族氮化物单晶的制造方法-CN201310072066.7无效
发明人：仓冈义孝;角谷茂明;三好实人;今枝美能留 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：通过气相生长法在基板（1）上形成由III族氮化物构成的基底膜（2）。通过在氢存在下加热处理基板（1）以及基底膜（2），除去基底膜（2）使基板（1）的表面粗面化。通过气相生长法在基板（1A）的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜（4）。在籽晶膜（4）上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶（5）。
iii 氮化物制造方法

[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法、以及半导体元件-CN201180043385.4无效
发明人： 三好实人;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种将硅基板作为基底基板、低位错且无裂纹的外延基板。一种外延基板，在（111）单晶硅基板上，以（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，所述外延基板具有由多个基底层层叠而成的基底层组，所述基底层分别包括由AlN构成的第一III族氮化物层、和在第一III族氮化物层上形成的、由AlyyGazzN构成的第二III族氮化物层构成。第一III族氮化物层为多结晶含有缺陷层，第一和第二III族氮化物层的界面呈三维凹凸面，并且，在多个基底层中，构成基底基板正上方以外的基底层的第一III族氮化物层的厚度为50nm以上且100nm以下，第二III族氮化物层满足0≦yy≦0.2。
半导体元件外延制造方法以及

[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件、半导体元件用外延基板的制作方法、以及半导体元件的制作方法-CN201180040401.4有效
发明人： 三好实人;市村干也;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种通态电阻低且常闭动作型的半导体元件。半导体元件用外延基板具备：基底基板；沟道层，其至少含有Al和Ga，且由Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1＝1）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，其至少含有In和Al，且由Inx2Aly2Gaz2N（x2+y2+z2＝1）组成的第二III族氮化物构成。第一III族氮化物的组成在由x1＝0，0≦y1≦0.3决定的范围内，第二III族氮化物的组成在以InN、AlN、GaN为顶点的三维图上，由根据第一III族氮化物的组成决定的、以下各式所表示的直线包围的范围内，势垒层的厚度为3nm以下，并且，在势垒层之上，进而具备有由氮化硅构成且具有3nm以下的厚度的低结晶性绝缘层。
半导体元件外延制作方法以及

[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件、PN接合二极管元件以及半导体元件用外延基板的制造方法-CN201180035034.9有效
发明人： 三好实人;杉山智彦;市村干也;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种恰当抑制从上覆层的元素扩散且特性优异的半导体元件用外延基板。在衬底上以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层群的半导体元件用外延基板，包括：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N组成的第一III族氮化物构成，其中x1＋y1＋z1＝1且z1＞0；势垒层，其由具有Inx2Aly2N组成的第二III族氮化物构成，其中x2＋y2＝1且x2＞0、y2＞0；扩散防止层，其由AlN构成且具有3nm以上的厚度；上覆层，其由具有Inx3Aly3Gaz3N组成的第三III族氮化物构成，其中x3＋y3＋z3＝1且z3＞0。
半导体元件外延 pn 接合二极管以及制造方法

[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法-CN201180020801.9无效
发明人： 三好实人;角谷茂名;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。该外延基板，在作为（111）取向的单晶硅基板上，以使（0001）结晶面与基底基板的基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，其中所述外延基板包括：缓冲层，具有交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而成的组分调制层，结晶层，形成在缓冲层上；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n（n为2以上的自然数），并将从基底基板侧的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，使其x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），并且x（1）＞x（n）的方式形成，从而具有越远离基底基板越变大压缩应变。
外延以及制造方法

[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法-CN201180021537.0无效
发明人： 三好实人;角谷茂明;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种将硅基板作为基底基板且无裂纹的外延基板。在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其特征在于，所述外延基板包括：缓冲层，其连续层叠多个层叠单位；结晶层，形成在缓冲层之上。所述层叠单位包括：组分调制层，其通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；末端层，其形成在组分调制层的最上部，用于维持组分调制层内部存在的压缩应变；应变强化层，形成在末端层之上，用于强化组分调制层内部存在的压缩应变。
外延以及制造方法

[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法-CN201180020720.9无效
发明人： 三好实人;角谷茂明;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。
外延以及制造方法

[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法-CN201180020582.4无效
发明人： 三好实人;角谷茂明;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板，其将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良。其在作为(111)取向的单晶硅的基底基板之上，以使(0001)结晶面与所述基底基板的基板面大致平行的方式形成有III族氮化物层组，其具有：缓冲层，其具备多个第一层叠单位，该第一层叠单位包括：组分调制层，其交替层叠由A1N构成的第一组分层和由AlxGa1-xN(0≤x＜1)组分的III族氮化物构成的第二组分层而成；第一中间层，其由AlyGa1-yN(0≤y＜1)组分的III族氮化物构成。当将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n(n为2以上的自然数)，且将从基底基板侧开始第i个第二组分层的x值设为x(i)时，如下：x(1)≥x(2)≥···≥x(n-1)≥x(n)且x(1)＞x(n)，且第二组分层相对于第一组分层呈共格状态，第一中间层相对于组分调制层呈共格状态。
外延以及制造方法

[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法-CN201180017652.0无效
发明人： 三好实人;角谷茂明;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种无裂纹的外延基板。该外延基板，在(111)取向的单晶Si的基底基板上，以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成；结晶层，形成在缓冲层之上，其中，第一层叠单位以交替组分不同的第一组分层和第二组分层的方式层叠，并且以越远离基底基板则第二组分层的厚度就越大的方式层叠，使得越远离基底基板就具有越大的压缩应变；所述第二层叠单位是以15nm以上且150nm以下的厚度形成的实质上无应变的中间层。
外延以及制造方法

[发明专利]半导体元件、HEMT元件以及半导体元件的制造方法-CN201180003806.0无效
发明人： 三好实人;角谷茂明;市村干也;杉山智彦;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制反向漏电流并充分强化栅极和外延基板的肖特基接合的半导体元件。该半导体元件具备：外延基板，在衬底上以使(0001)结晶面与基板面大致平行的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，其由具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1、z1＞0)；组成的第一III族氮化物构成，势垒层，其由具有Inx2Aly2N(x2+y2＝1、x2＞0、y2＞0)的组成的第二III族氮化物构成；接触层，其由具有绝缘性的第三III族氮化物构成且与势垒层相邻。肖特基电极接合在接触层上。进而，在形成栅极后在氮气氛围下进行热处理。
半导体元件 hemt 以及制造方法

[发明专利]外延基板以及外延基板的制造方法-CN201080041195.4有效
发明人： 三好实人;角谷茂明;市村干也;前原宗太;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且降低弯曲的外延基板。该外延基板，在(111)单晶Si基板之上以(0001)结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，并具有：缓冲层，交替层叠第一层叠单位和第二层叠单位而成，并且，最上部和最下部都由第一层叠单位构成，结晶层，形成在缓冲层之上；第一层叠单位包括：组分调制层，通过重复交替层叠组分不同的第一单位层和第二单位层而成，从而内部存在压缩应变；第一中间层，加强在组分调制层中存在的压缩应变；第二层叠单位是实质上无应变的第二中间层。
外延以及制造方法

[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法-CN200980110484.2有效
发明人： 三好实人;仓冈义孝;角谷茂明;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供一种外延基板，所述外延基板能够制作具有良好的二维电子气特性且能实现常闭动作的HEMT元件。以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成位于，在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的四条直线所围成的范围内，且使所述势垒层的厚度在5nm以下。
半导体元件外延制作方法

[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法-CN200980110483.8有效
发明人： 三好实人;仓冈义孝;角谷茂明;田中光浩 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种外延基板，所述外延基板具有良好的二维电子气特性且由应变产生的内部应力减小。采用的解决手段为，以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成是在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的五条直线所围成的范围内。
半导体元件外延制作方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物单晶的制造方法-CN200880024501.6有效
发明人：仓冈义孝;角谷茂明;三好实人;今枝美能留 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：通过气相生长法在基板(1)上形成由Ⅲ族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由Ⅲ族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养Ⅲ族氮化物单晶(5)。
氮化物制造方法

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