专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体膜、光电转换元件、光检测元件和电子装置-CN202310651016.8在审
  • 泷泽修一;塩见治典 - 索尼公司
  • 2017-06-06 - 2023-10-03 - H10K30/35
  • 一种半导体膜,包含:第一半导体纳米粒子、第二半导体纳米粒子、第一化合物和第二化合物,所述第一化合物由以下通式(1)表示:在所述通式(1)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH),A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O),并且n是1~3的整数,B1表示Li、Na或K,并且所述第二化合物由以下通式(2)表示:在所述通式(2)中,X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH),A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O),并且n是1~3的整数,B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物,其中由所述通式(1)表示的所述第一化合物与所述第一半导体纳米粒子配位,并且其中由所述通式(2)表示的所述第二化合物与所述第二半导体纳米粒子配位。#imgabs0#
  • 半导体光电转换元件检测电子装置
  • [发明专利]配体调控超晶格异质结红外探测器-CN202211150039.2在审
  • 陈振浚;刘霄;王创垒;郭钰东 - 华南师范大学
  • 2022-09-21 - 2023-01-17 - H10K30/35
  • 本发明公开一种配体调控超晶格异质结红外探测器,该红外探测器自下而上包括:衬底;金属电极层,包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成沟道;光敏层,其包括设置在所述衬底上的不同配体调控超晶格异质结;绝缘层。所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层,所述配体优化超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。所述绝缘层被配置为隔绝空气中的氧气以保护光敏层不被氧化。本发明提高了量子点超晶格载流子的迁移率,增强器件的电学性能,响应速度更快,比探测率更高。
  • 调控晶格异质结红外探测器

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top