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[发明专利]一种激光器的脉冲功率控制电路、控制系统及控制方法-CN202310947212.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：广东舜元激光科技有限公司;广东利元亨智能装备股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S3/091 文献下载
摘要：本申请提供了一种激光器的脉冲功率控制电路、控制系统及控制方法，其中，脉冲功率控制电路形成有第一连接端、第二连接端和第三连接端，第一连接端为功率控制信号输入端；第二连接端为模拟量信号输入端，第三连接端为模拟量信号输出端；第二连接端和第三连接端之间的阻值，根据第一连接端和第二连接端输入的信号变化，以改变第三连接端在目标设置时段内每个有效时段的至少一个子设置时段的输出电压值，以使激光器进行激光加工时工艺效果更佳。
一种激光器脉冲功率控制电路控制系统控制方法

[发明专利]一种高功率窄线宽外腔半导体激光器-CN202310964969.X在审
发明人：田震;王文亭;付孟博;牛嘉琪;管爽;祝宁华 -专利权人：雄安创新研究院
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种高功率窄线宽外腔半导体激光器。其结构包括激光器增益芯片、两个模斑转换器、光栅波导结构、半导体光放大器、半导体制冷器、热沉和热敏电阻。激光器增益芯片产生光信号经过模斑转换器进入光栅波导结构，光栅波导结构将满足特定模式的光反射回激光器增益芯片进行放大，完成多次往返后激光经半导体光放大器进行功率放大并输出。本发明所提供的高功率窄线宽外腔半导体激光器，采用了柱状阵列的光栅波导结构，具有极低的腔损耗，可以提高有效腔长来压窄线宽；采用脊波导楔形渐变结构的模斑转换器，提高光耦合效率，从而减少能量损耗；集成了半导体光放大器，实现了激光器的大功率输出，为高功率窄线宽激光器的设计提供了思路。
一种功率窄线宽外腔半导体激光器

[发明专利]半导体激光二极管-CN202310680100.2在审
发明人：斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
半导体激光二极管

[发明专利]多程放大薄片激光器-CN202310682679.6在审
发明人：方聪;王思博;韩昌昊;陈国;魏磊;王克强;韩隆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提出了一种多程放大薄片激光器，包括：热沉、泵浦光巴条阵列，整形透镜、激光增益晶体及多个全反射镜，泵浦光巴条阵列和整形透镜均设于热沉的外周面，整形透镜位于泵浦光巴条阵列的光路下游；激光增益晶体设于热沉的端面，激光增益晶体包括键合连接的无掺杂基质和薄片增益介质，激光增益晶体的底面与侧面之间具有预设倾角，泵浦光巴条阵列发出的泵浦光经整形透镜，由底面进入激光增益晶体；进入激光增益晶体的种子光在激光增益晶体和多个全反射镜之间多次反射，进行多程放大后输出激光。本发明具有泵浦高效吸收、转化效率高、结构紧凑和激光热畸变小的优势，有利于单薄片激光器的高功率、高效率及高光束质量输出。
放大薄片激光器

[发明专利]一种具有载流子浓度匹配层的半导体发光元件-CN202310741342.8在审
发明人：蔡鑫;王星河;陈婉君;张江勇;胡志勇;张会康;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有载流子浓度匹配层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一n型半导体，第二n型半导体，第三n型半导体，第一量子阱，第二量子阱，电子阻挡层，p型半导体，所述第一n型半导体和第二n型半导体之间具有第一载流子浓度匹配层，第二n型半导体和第三n型半导体层之间具有第二载流子浓度匹配层，第一量子阱和第二量子阱之间具有第三载流子浓度匹配层，第二量子阱和电子阻挡层之间具有第四载流子浓度匹配层；控制注入第一量子阱和第二量子阱的电子浓度和空穴浓度的匹配度，使第二量子阱的电子和空穴的匹配度从约70％提升至90％以上，提升第二量子阱的电子和空穴复合效率，使半导体发光元件的外量子效率EQE从约60％提升至约75％。
一种具有载流子浓度匹配半导体发光元件

[发明专利]一种多偏振时分再生放大器与再生放大方法-CN202310631529.2在审
发明人：曾和平;郭政儒;王霄;钱小伟;姚天军;刘婷婷;胡梦云 -专利权人：上海朗研光电科技有限公司;重庆华谱信息技术有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;重庆华谱新能源有限公司;重庆勐禾生物科技有限公司;云南华谱量子材料有限公司;广东朗研科技有限公司;华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多偏振时分再生放大器，包含分离脉冲模块和再生放大模块；所述分离脉冲模块用于将导入的种子脉冲激光形成子脉冲序列激光，传输子脉冲序列激光至再生放大模块；所述分离脉冲模块还用于将再生放大模块传回的再生放大子脉冲激光合成为一个脉冲激光，并输出脉冲激光；所述再生放大模块对所述子脉冲序列激光进行再生放大，形成再生放大子脉冲激光并传回分离脉冲模块。本发明还提供了一种偏振时分脉冲再生放大方法。本发明可以实现对放大脉冲峰值功率和非线性效应的操控管理，避免了高功率放大导致的非线性时频畸变和元器件损伤，实现60dB的高效激光放大。
一种偏振时分再生放大器放大方法

[发明专利]用于长距离光纤传输的激光器芯片及其制备方法-CN202310791691.0在审
发明人：王中和 -专利权人：欧润光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于长距离光纤传输的高速直接调制激光器芯片，包括由左向右依次排列的一半导体激光器、一电隔离区、一啁啾补偿二极管，第一电极连接所述激光器，所述激光器通过所述第一电极通过直接调制产生高速调制光信号；第二电极连接所述啁啾补偿二极管，所述啁啾补偿二极管通过所述第二电极直流驱动；一电隔离区位于所述激光器与所述啁啾补偿二极管之间；所述激光器、所述啁啾补偿二极管以及所述电隔离区位于同一半导体衬底上。本发明能够实现对来自调制器的高速调制光信号的啁啾补偿，实现高速光信号在光纤中的长距离传输。本发明还公开了一种用于长距离光纤传输的高速直接调制激光器芯片的制备方法。
用于长距离光纤传输激光器芯片及其制备方法

[发明专利]一种可控模态垂直腔面发射激光器-CN202310987114.9在审
发明人：李加伟;向宇;严磊 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控模态垂直腔面发射激光器。其包括自上而下的上DBR层、有源层、下DBR层以及夹设于上DBR层内且中间形成有氧化孔的氧化层，在上DBR层顶面形成有用于激光出射的光窗；所述光窗表面被分为位于中间的第一区域和包围所述第一区域的第二区域，在所述第二区域之上设置有至少一层模态调节复合层，所述模态调节复合层由下层的光取出层和上层的多晶硅吸光层组成，光取出层和多晶硅吸光层的厚度均为所述垂直腔面发射激光器四分之一发射波长的奇数倍，所述光取出层的材料折射率小于上DBR层的材料折射率。相比现有技术，本发明具有更好的模态控制能力和稳定性。
一种可控垂直发射激光器

[发明专利]一种850纳米波段VCSEL激光二极管集成的二维介质透镜-CN202310637372.4在审
发明人：裴赢洲;刘卫峰 -专利权人：边际科技（珠海）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种850纳米波段VCSEL激光二极管集成的二维介质透镜，用于单模偏振发射器，单模偏振发射器包括由上至下依次连接的顶部欧姆连接层、二维介质透镜层、顶部布拉格反射镜、氧化层、量子阱层、底部布拉格反射镜、衬底以及底部欧姆连接层，其中，二维介质透镜层包括多个不同尺寸的介质单元，多个介质单元按照一定的规律排列组合成能使光子增益的谐振阵列。二维介质透镜层与VCSEL的单片集成，具有优异的光束质量，通过不同尺寸的介质单元，按照不同的规律进行排列组合，来调整外部扰动参量，可以影响VCSEL的偏振特性和偏振双稳特性，能够高效地对相位、偏振状态和光束轮廓进行显著的任意控制。
一种 850 纳米波段 vcsel 激光二极管集成二维介质透镜

[发明专利]一种具有层间热激子转换层的半导体激光元件-CN202310741353.6在审
发明人：胡志勇;王星河;蒙磊;黄军;张会康;季徐芳;陈三喜;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有层间热激子转换层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层与电子阻挡层之间和下限制层与下波导层之间设有层间热激子转换层，层间热激子转换层在激光元件的电荷输运过程中，形成不匹配的动量，产生极大量的层间热激子，并在额外能量释放后转换为紧束缚层间激子，提升激光元件有源层的峰值增益和改善热退化，减少非辐射复合中心，同时，改善激光元件的折射率色散，提升激光元件的限制因子，提升模式增益，从而提升激光元件有源层的辐射复合效率，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。
一种具有层间热激子转换半导体激光元件

[发明专利]激光器风机振动干扰信号提取方法、装置及激光器-CN202310798189.2在审
发明人：梁赛;刘锴锋;冯泽斌;徐向宇;江锐 -专利权人：北京科益虹源光电技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S3/134 文献下载
摘要：本发明涉及光刻机光源技术领域，具体涉及激光器风机振动干扰信号提取方法、装置及激光器，所述方法包括：根据风机振动干扰信号特性，构建陷波滤波器；根据陷波滤波器，设置滤波参数，针对每个burst的每个脉冲，进行滤波：当前脉冲为所属burst的首脉冲时，利用首脉冲对应的输出能量初始化陷波滤波器输入参数，得到对应的输出结果；当前脉冲为所属burst的非首脉冲时，利用当前脉冲对应的输出能量、同一burst内上一个脉冲的输出结果及输出能量，设置陷波滤波器输入参数，得到对应的输出结果；根据陷波滤波器的输出结果提取对应的干扰信号幅值。本发明能够直接提取激光器风机的干扰信号，为干扰补偿控制算法提供基础。
激光器风机振动干扰信号提取方法装置

[发明专利]一种多芯多通棒状光子晶体光纤放大器-CN202310837644.5在审
发明人：何飞;邹锶;万威;罗鹏飞;陈抗抗 -专利权人：武汉安扬激光技术股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯多通棒状光子晶体光纤放大器，包括沿光路依次设置的双色镜、耦合透镜、多芯棒状光子晶体光纤和折返式端帽，双色镜与耦合透镜呈45°倾斜设置，信号光源设于双色镜的正上方，泵浦光源设于双色镜的前方，双色镜用于反射信号光和透射泵浦光，反射的信号光和透射的泵浦光经过耦合透镜聚焦后进入多芯棒状光子晶体光纤，折返式端帽用于反射信号。通过多芯棒状光子晶体光纤将信号放大一次后，再由折返式端帽将信号折返进行第二次放大，通过多芯棒状光子晶体光纤内设置多个纤芯，利用折返式端帽使信号在多个纤芯内往返放大，有效的增加了信号的增益长度，在相同泵浦功率的条件下提高了信号增益，增加了泵浦光的吸收，提高泵浦效率。
一种多芯多通棒状光子晶体光纤放大器

[发明专利]一种窄脉冲激光发射电路-CN202311036997.1在审
发明人：何子祥;张鹏泉 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种窄脉冲激光发射电路，包括：mos管驱动单元、储能单元、滤波单元和激光二极管，所述mos管驱动单元的第一输入端连接一个脉冲信号源，所述储能单元的输出端连接滤波单元后接入mos管驱动单元的第二输入端，所述mos管驱动单元的输出端连接激光二极管；所述mos管驱动单元根据脉冲信号源的高低电平来导通或关闭，mos管驱动单元在关闭状态下，所述储能单元进行充电储能；mos管驱动单元在导通状态下，储能单元的输出滤波后经mos管驱动单元向激光二极管提供能量，使得激光二极管发射激光。本发明能够高效稳定的驱动激光二极管，从而延长激光二极管的使用寿命。
一种脉冲激光发射电路

[发明专利]一种双模式叠加调控的激光器-CN202311127022.X在审
发明人：陈薪羽;刘景良;张晓雷;邱基斯;李小宁;于永吉;金光勇;周文杰;赵灵敏;李超 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：一种双模式叠加调控的激光器。属于激光调制技术领域，具体涉及双模式叠加激光调制技术领域。其解决了实现中红外2μm波段多奇点OAM可调谐涡旋光束输出比较困难的问题。所述激光器包括泵浦光输入模块、45度反射镜、激光晶体、半反半透镜、高阶LG模式光生成模块、高阶HG模式光生成模块和输出镜。本发明所述激光器可以应用在可调谐涡旋光束输出技术领域、多奇点OAM光束输出技术领域以及其他需要可调谐激光输出技术的领域。
一种双模叠加调控激光器

[发明专利]发光元件及其阵列、发光部件、光学装置及光测量装置-CN202211354535.X在审
发明人：近藤崇;村田道昭;樋口贵史 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种发光元件及其阵列、发光部件、光学装置及光测量装置，所述发光元件具备：基板；发光部，层叠在所述基板上；及晶闸管，层叠在所述发光部上，设定为通过成为导通状态，使所述发光部发光或增加发光量，在来自与所述晶闸管相接的电极的电流流过的位置设置有低电阻层，所述低电阻层具有不使所述晶闸管电分离的电阻。
发光元件及其阵列部件光学装置测量