专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体激光装置-CN202180095168.3在审
  • 鴫原君男 - 三菱电机株式会社
  • 2021-03-10 - 2023-10-17 - H01S5/22
  • 本公开的半导体激光装置具备在第1导电型的半导体基板(2)之上层叠的第1导电型的包覆层(3)、第1导电型侧的光导层(61)、活性层(7)、第2导电型侧的光导层(81)、第2导电型的包覆层(11)以及第2导电型的接触层(14)和长度为Lc的谐振器,谐振器由长度为Lf的电流限制区域和长度为Lc-Lf的电流注入区域构成,电流限制区域由脊内侧区域(Iai)、设置于脊内侧区域(Iai)的两侧并具有电流非注入构造的脊外侧区域(Iao)、和设置于脊外侧区域(Iao)的两侧并且至少被除去接触层(14)以及包覆层(11)的包覆区域(IIc)构成,电流注入区域由脊区域(Ia)和设置于脊区域的两侧的包覆区域(IIc)构成。
  • 半导体激光装置
  • [发明专利]氮化物系半导体发光元件-CN202280014555.4在审
  • 高山彻 - 新唐科技日本株式会社
  • 2022-01-31 - 2023-10-17 - H01S5/20
  • 氮化物系半导体发光元件(100)具备半导体层叠体(100S),半导体层叠体(100S)具有:N型第1包覆层(102)、N侧引导层(104)、活性层(105)、P侧第1引导层(106)、P侧第2引导层(107)、以及P型包覆层(110),P侧第2引导层(107)的带隙能量比N侧引导层(104)的带隙能量大,N侧引导层(104)的带隙能量为P侧第1引导层(106)的带隙能量以上,在将P侧第1引导层(106)的膜厚设为Tp1、将P侧第2引导层(107)的膜厚设为Tp2、将N侧引导层(104)的膜厚设为Tn1时,满足Tn1<Tp1+Tp2的关系。
  • 氮化物半导体发光元件
  • [发明专利]一种矢量孤子激光器-CN202111590354.2有效
  • 吴志超;华书浩;黄田野 - 中国地质大学(武汉)
  • 2021-12-23 - 2023-10-17 - H01S3/067
  • 本发明提供一种矢量孤子激光器,涉及激光器领域;矢量孤子激光器包括:泵浦源、光纤环形谐振腔、第二光纤耦合器、第二偏振控制器、第三偏振控制器和偏振合束器;光纤环形谐振腔由可饱和吸收体、第一偏振控制器、第一光纤耦合器、光隔离器、波分复用器和掺铒光纤依次连接形成,用于输出标量孤子;泵浦源与波分复用器连接;第二光纤耦合器分别与第一光纤耦合器、第二偏振控制器和第三偏振控制器连接;第二偏振控制器和第三偏振控制器分别通过保偏单模光纤与偏振合束器连接;第二光纤耦合器、第二偏振控制器、第三偏振控制器和偏振合束器配合,用于将标量孤子转化为矢量孤子;本发明能够在光纤环形谐振腔外产生矢量孤子。
  • 一种矢量孤子激光器
  • [发明专利]一种纵模交叉合成的钠信标激光器装置-CN202310300029.0有效
  • 薄勇;卞奇;彭钦军;左军卫 - 齐鲁中科光物理与工程技术研究院
  • 2023-03-26 - 2023-10-17 - H01S3/00
  • 本发明公开了一种纵膜交叉合成的钠信标激光器装置,包括第一钠信标激光模块、第二钠信标激光模块和合束模块;第一钠信标激光模块输出的第一钠信标激光与第二钠信标激光模块输出的第二钠信标激光经合束模块合束后输出第三钠信标激光,其中,第一钠信标激光与第二钠信标激光具有频率差和/或第一钠信标激光与第二钠信标激光的纵膜间隔不同。实现了在光谱线宽基本不变的情况下,有效增加钠信标激光器输出的纵模数量,光谱会出现纵模交叉叠加,充分匹配激发钠原子的辐射谱线,极大增加了双峰谱型匹配微秒脉冲钠导引星激光的回波效率,能够产生亮度更高的钠导引星。
  • 一种交叉合成信标激光器装置
  • [发明专利]激光器-CN202310875792.6在审
  • 田新团;李建军 - 青岛海信激光显示股份有限公司
  • 2019-11-19 - 2023-10-13 - H01S5/02253
  • 本申请公开了一种激光器,属于光电技术领域。所述激光器包括:底板;管壳;底板与管壳一体成型且形成容置空间,在容置空间内,多行多列激光器芯片和反射棱镜均贴装在底板上;光线依次经过反射棱镜、密封透光层、准直透镜结构后出射;其中,环状的上盖,固定于管壳上;支撑框,具有一个镂空区域,镂空区域远离底板的一侧覆盖有透光密封层;支撑框的四周边缘固定于上盖;准直透镜结构,包括多个一体成型的准直透镜;贯穿所述管壳的侧壁的导电引脚,所述管壳与所述导电引脚在底板上的正投影位于底板的四周边缘,底板的四周边缘与底板的中间区域的连接处至少形成一个台阶。本申请解决了激光器的底板平整度较低的问题。本申请用于发光。
  • 激光器
  • [发明专利]单频黄光脉冲光纤激光器-CN202310890578.8在审
  • 杨中民;陈梦婷;杨昌盛;唐国武;赵齐来;徐善辉 - 华南理工大学
  • 2023-07-19 - 2023-10-13 - H01S3/067
  • 本申请涉及一种单频黄光脉冲光纤激光器。该单频黄光脉冲光纤激光器包括:谐振腔、分段温控炉、保偏波分复用器、泵浦源和输出光路;谐振腔,用于依次存放可饱和吸收体、自拉曼晶体玻璃复合光纤组、倍频晶体光纤和窄带保偏光纤光栅;分段温控炉,用于控制自拉曼晶体玻璃复合光纤组的温度和倍频晶体光纤的温度;保偏波分复用器的公共端与窄带保偏光纤光栅连接;泵浦源的输出端与保偏波分复用器的输入端连接,用于激励自拉曼晶体玻璃复合光纤组,以使谐振腔生成单频黄光脉冲激光;输出光路的输入端与保偏波分复用器的输出端连接,用于输出单频黄光脉冲激光。采用该单频黄光脉冲光纤激光器能够提高单频黄光脉冲激光的生成效率。
  • 单频黄光脉冲光纤激光器
  • [发明专利]基于SBS的单环路宇称-时间对称可调谐光电振荡器-CN202310907763.3在审
  • 张家洪;王垚;丁奇红 - 昆明理工大学
  • 2023-07-24 - 2023-10-13 - H01S1/02
  • 本发明公开了一种基于SBS的单环路宇称‑时间对称可调谐光电振荡器,包括:用于产生光载波信号的激光器,光信号通过偏振控制器耦合到z‑cut铌酸锂相位调制器中,z‑cut铌酸锂相位调制器输出为两种模式的调制信号,调制光信号与泵浦光在高非线性光纤中发生受激布里渊散射(SBS),调制信号的正一阶边带得到SBS增益的放大,最后在光电探测器中进行光电转换后的两路微波信号合为一路后经过电放大器与功分器后一部分接入相位调制器形成闭环,一部分接入频谱仪观测输出信号质量。本发明通过微波光子滤波器提高了系统的调谐精度,通过调节泵浦光的波长实现输出信号的宽带可调,在单环路下实现了宇称‑时间对称结构,简化了系统结构。
  • 基于sbs环路时间对称调谐光电振荡器
  • [发明专利]一种光纤放大器的盘纤组件-CN202310809199.1在审
  • 李钢强 - 广州芯朋科技有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-13 - H01S3/067
  • 本发明提供一种光纤放大器的盘纤组件,属于盘纤技术领域,该光纤放大器的盘纤组件包括壳体,所述壳体的内部设置有腔体;盘纤部件,设置在壳体的腔体内,可用于将光纤收卷至壳体的内部,该盘纤部件还可用于光纤的收放,以调节光纤漏出壳体外的长度;在使用时,首先通过安装部将该盘纤组件进行固定,之后将光纤的一端和光纤放大器相连接,安装过后通过收卷部件可以将光纤收卷至壳体的内部,防止过长的光纤暴露在外壳的外部,同时也避免了光纤盘由于没有进行固定造成光纤断裂或者信号不良的问题,另外也可以对光纤进行保护,避免光纤损坏,以降低光纤的使用寿命。
  • 一种光纤放大器组件
  • [发明专利]VCSEL集成晶圆及其制造方法-CN202310811939.5在审
  • 林珊珊;李念宜;刘赤宇 - 浙江睿熙科技有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-10-13 - H01S5/026
  • 公开了一种VCSEL集成晶圆及其制造方法。所述VCSEL集成晶圆包括:至少一VCSEL芯片和与所述VCSEL芯片相间隔的至少一光电二极管芯片。每一VCSEL芯片包括至少一VCSEL发光点和在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光学调制部,每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体,以及,电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极,每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层,所述光学调制部对应于所述限制孔。每一所述光电二极管包括至少一二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极,每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层,所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
  • vcsel集成及其制造方法

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