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[实用新型]一种具有预埋电极的磁敏器件-CN201521137508.2有效
发明人：马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有预埋电极的磁敏器件，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
一种具有电极器件

[实用新型]一种具有延伸电极的磁敏器件-CN201521137548.7有效
发明人：马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有延伸电极的磁敏器件，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
一种具有延伸电极器件

[发明专利]一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺-CN201511028781.6在审
发明人：马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
一种具有电极器件制造工艺

[发明专利]一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺-CN201511028597.1在审
发明人：马可军;俞振中;郑律 -专利权人：江苏森尼克电子科技有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
一种具有延伸电极器件制造工艺

[实用新型]AMR传感器-CN201520748582.1有效
发明人：蒋乐跃;沈佳;顾文斌 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种AMR传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。
amr 传感器

[发明专利]一种基于双势垒结构的磁存储器件-CN201510507427.5在审
发明人：王梦醒;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：一种基于双势垒结构的磁存储器件，它是使用双势垒结构增强磁隧道结的垂直磁各向异性或隧穿磁阻比率，同时结合底部金属导线形成基于自旋轨道矩的三端口器件；该磁存储器件的双势垒结构包含金属氧化物势垒层、铁磁金属构成的自由层和另一层金属氧化物势垒层，该结构顶部依次沉积铁磁金属构成的参考层及非磁性金属构成的覆盖层，并通过金属电极与外围电路相连，底部导线由具有较高霍尔角的金属材料构成，用于数据写入。本发明通过将双势垒结构引入基于自旋轨道矩的磁存储器件，能够有效避免电阻过大对数据写入造成的负面影响，并提高器件的热稳定性或隧穿磁阻比率；它保持了STT-MRAM的良好性质，同时十分适合于产业化生产。
一种基于双势垒结构磁存储器

[发明专利]高速进动切换磁性逻辑-CN201380054209.X在审
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明描述了高速进动开关磁性逻辑器件和架构。在第一示例中，磁性逻辑器件包括具有第一纳米磁体的输入电极和具有第二纳米磁体的输出电极。所述第二纳米磁体的自旋与所述第一纳米磁体的自旋非共线。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。在第二示例中，磁性逻辑器件包括具有平面内纳米磁体的输入电极和具有垂直磁各向异性(PMA)磁体的输出电极。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。
高速切换磁性逻辑

[发明专利]一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法-CN201410148982.9有效
发明人：宋成;王钰言;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法，磁场探测器的制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射或电子束蒸镀方法，在基片上依次沉积底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，得到多层膜结构；采用紫外曝光和氩离子刻蚀工艺，将得到的多层膜结构加工成一十字形结构。本发明制备得到的磁场探测器包括基片、底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，基片采用十字形结构，底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极依次沉积在基片上，且形状均与基片的形状呈匹配设置；铁磁层由垂直磁化膜构成，非磁性层由反铁磁层或氧化层构成，底电极和顶电极均采用Pt电极。本发明可以广泛应用于磁场探测过程中。
一种基于垂直交换耦合磁场探测器及其制备使用方法

[发明专利]磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器-CN201310644182.1在审
发明人： D.阿帕尔科夫;V.尼基丁;M.T.克朗比 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（J_c0）的梯度使得自由层的第一部分的第一J_c0比自由层的第二部分的第二J_c0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。
磁性及其提供方法以及包含磁存储器

[发明专利]一种基于电压控制的磁存储器-CN201410072318.0有效
发明人：张雨;赵巍胜;张博宇;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：一种基于电压控制的磁存储器，该磁存储器的MTJ结构基于垂直磁各向异性即PMA，在经典MTJ结构即自由层、参考层和隧道势垒层的三层结构基础上，添加了一层隧穿势垒层；该磁存储器的MTJ结构从下到上由底电极，反铁磁金属混合层，铁磁金属一，氧化物一，铁磁金属二，氧化物二及顶电极共七层构成。本发明具有稳定的非易失性、高读写速度和无限读写次数等特点，由于其基于电压控制改变储存单元的磁化状态，改变存储单元的状态所需的电流较低，在保持高读写速度的同时，实现了低功耗以及高的功耗利用率。
一种基于电压控制磁存储器

[发明专利]一种纵向驱动式磁阻抗元件-CN201410024746.6无效
发明人：满其奎;强健;常春涛;王新敏;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纵向驱动式磁阻抗元件。该元件将磁性非晶芯体材料插入激励线圈内组成一个等效阻抗元件，交流电流流经激励线圈产生平行于该芯体样品长轴方向的交流驱动磁场。与现有的将交流电流直接流经该磁性非晶芯体材料的横向驱动式阻抗元件相比，该元件一方面大大提高了阻抗随外磁场的变化率，并且提高了其线性度，另一方面简化了制作工艺、提高了元件性能稳定性与一致性，因此在高灵敏微弱磁场的检测，例如用于地磁场、生物磁场等弱磁场检测方面具有良好的应用前景。
一种纵向驱动磁阻元件

[发明专利]各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法-CN201310728928.7有效
发明人：闻永祥;季锋;刘琛;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与该磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本发明的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。
各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法

[实用新型]一种柔性多铁性器件-CN201320268807.4有效
发明人：谢亚丽;刘宜伟;李润伟;詹清峰 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种柔性多铁性器件。该器件包括柔性多铁材料与支撑体；其中，支撑体与柔性多铁材料的接触面分布在柔性多铁材料的底部边缘，并且柔性多铁材料以该接触面为支撑呈悬空状。实验证实，这种结构一方面保证了该器件的“自支撑性”，从而能够避免柔性多铁材料底面直接置于其他刚性支撑体等表面而导致受到钉扎束缚作用大大减弱磁电耦合效应；另一方面保证了该器件的“柔性”，由于柔性多铁材料大部分呈悬空状，使磁电耦合过程中产生的震动被尽可能放大，从而能够实现较大的磁电耦合效应，因此，该器件在磁传感器和能量收集等领域具有广泛的应用前景。
一种柔性性器

[发明专利]一种柔性多铁性器件-CN201310182434.3有效
发明人：谢亚丽;刘宜伟;李润伟;詹清峰 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型结构的柔性多铁性器件。该器件包括柔性多铁材料与支撑体；其中，支撑体与柔性多铁材料的接触面分布在柔性多铁材料的底部边缘，并且柔性多铁材料以该接触面为支撑呈悬空状。实验证实，这种结构一方面保证了该器件的“自支撑性”，从而能够避免柔性多铁材料底面直接置于其他刚性支撑体等表面而导致受到钉扎束缚作用大大减弱磁电耦合效应；另一方面保证了该器件的“柔性”，由于柔性多铁材料大部分呈悬空状，使磁电耦合过程中产生的震动被尽可能放大，从而能够实现较大的磁电耦合效应，因此，该器件在磁传感器和能量收集等领域具有广泛的应用前景。
一种柔性性器

[发明专利]一种可控多谐振频率的磁电复合材料结构及其制备方法-CN201210549404.7有效
发明人：周济;毕科 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种可控多谐振频率的磁电复合材料结构及其制备方法，属于多铁性磁电材料技术领域。本发明由不同直径的具有同心圆结构的圆环层状磁电复合材料组成，不同直径的圆环层状磁电复合材料之间有圆环状间隙；圆环状压电材料内侧和外侧分别与一层圆环状磁致伸缩材料相连；不同直径的圆环层状磁电复合材料通过导线相连，形成串联或并联结构；本发明圆环层状磁电复合材料通过镀膜工艺在不同直径的圆环状压电材料的内外表面分别沉积一层圆环状磁致伸缩材料，制备得到。本发明实现了在一定的交变磁场频率范围内的多谐振频率及谐振峰，而且可以通过改变每个圆环层状磁电复合材料的直径来调控相对应谐振频率的大小。
一种可控谐振频率磁电复合材料结构及其制备方法