“H01L35/16”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果259个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种温差发电材料的制备方法-CN202110383573.7有效
发明人：帅永;邱杭宇;倪晨旭;陈钊;李玲;高俊雄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：一种温差发电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。本发明要解决现有碲化铋温差发电材料热导率高，电导率低，热电转换效率低的问题。方法：一、称取；二、球磨；三、热处理；四、热压烧结。本发明用于温差发电材料的制备。
一种温差发电材料制备方法

[发明专利]化合物、热电转换材料及化合物的制造方法-CN201780020714.0有效
发明人：岛野哲;田口康二郎;十仓好纪 -专利权人：住友化学株式会社;国立研究开发法人理化学研究所
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物，其特征在于，作为构成的元素至少包含锗、碲、铋及铜，遍布的铋及铜的最长直径小于2.0μm。
化合物热电转换材料制造方法

[发明专利]一种可连续精确控温的冷链医药保温箱、及热电材料、真空隔热板材料及其制备方法-CN202111514211.3在审
发明人：施翊璇;熊成龙;叶明海;汤弢 -专利权人：纯钧新材料（深圳）有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开一种可连续精确控温的冷链医药保温箱、及热电材料、真空隔热板材料及其制备方法，该冷链医药保温箱包括：外箱体保温层、冰排、内箱保温层、以及安装于内箱保温层上的半导体热电元器件、电源、温度传感器、控制面板、温控开关，所述半导体热电元器件的热端与冷端分别连接散热片、导冷片；所述温度传感器置于内箱保温层内侧实时检测内箱温度，所述锂电池、控制面板、温控开关均设置在外箱体保温层上。本发明半导体热电元器件和相变材料相结合的方式可以通过给半导体热电元器件热端一个更低的环境温度从而降低热电降温所需要的功率，提高制冷效率，降低耗电量；可以通过热电元器件来改变内箱温度，达到一箱多用的目的。
一种连续精确医药保温箱热电材料真空隔热板及其制备方法

[发明专利]一种碲化铋基N型热电材料及其制备方法-CN201610981665.4有效
发明人：刘宏;施毅;刘晓晗 -专利权人：苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化铋基N型热电材料及其制备方法。采用熔混、区熔两步法进行合成。合成方法：将可选用单质原料按Bi2(Te1‑xSex)3，0.02≤x≤0.1，化学式含量称重,在所称重量基础上添加重量百分比为0.01％‑0.03％的金属锑(Sb)和重量百分比为0.03％‑0.06％的非金属碘(I)；装入底部烧结较平的石英管中进行抽真空封管，然后装入电阻加热的摇摆炉，将石英管放置到竖直位置后通过熔混合成烧结。烧结完成并自然冷却到室温后，取出石英管放置到垂直区熔炉上进行脉冲区熔。本发明的优点是：制备方法简单，可得到具有高致密度的、结构近单晶、并有少量纳米晶粒镶嵌的体材料。
一种碲化铋基热电材料及其制备方法

[发明专利]一种基于碲纳米线垂直结构的热电-压电器件及制作方法-CN202111429164.2在审
发明人：邰凯平;向征;赵洋;喻海龙;胡振清;徐明;聂鹏程;何娟 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明属于传感器以及材料制备领域，涉及一种基于碲纳米线垂直结构的热电‑压电器件及制备方法，该方法在柔性导电基底上，通过物理气相沉积方法制备长几百纳米到十几微米长度的碲纳米线，且长径比可控。在生长有碲纳米线的柔性导电基底进行PDMS旋涂，控制旋涂时间和转速，可以使碲纳米线部分被PDMS包覆，在加热台上使PDMS固化，在固化后的PDMS上层贴上柔性电极板，形成上电极。该垂直结构器件同时具有热电与压电双传感效应，相较于传统的压电和热电传感器，双集成器件更适用于智能可穿戴电子设备。且制备的碲纳米线工艺方法简单，成本低廉，不通过复杂的化学反应方法，具有有绿色环保，环境友好型的特点，可实现大规模制备。
一种基于纳米垂直结构热电压电器件制作方法

[发明专利]原位共格复合热电材料及其制备方法与应用-CN202111530297.9在审
发明人：林元华;周志方;杨岳洋;许于帅;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位共格复合热电材料及其制备方法与应用，其中，所述原位共格复合热电材料化学式为(1‑y)Cu2+xSe‑yBi1‑(a+b)PbaCabCuSeO，其中，0≤x≤0.02，0.05≤y≤0.3，0a≤0.1，0b≤0.1。由此，该原位共格复合热电材料同时具备优异的热电性能和高稳定性。
原位复合热电材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硫化银基无机热电材料及其制备方法和应用-CN201811435457.X有效
发明人：史迅;仇鹏飞;杨世琪;梁佳晟;王拓;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化银基无机热电材料及其制备方法和应用，所述硫化银基无机热电材料的化学式Ag2(S1‑xMx)，其中M为Se元素和Te元素中的至少一种，0.001≤x≤0.9。
一种硫化无机热电材料及其制备方法应用

[发明专利]N型PbTe基多晶热电材料及其制备方法-CN202111419139.6在审
发明人：何佳清;王江舵;贾宝海 -专利权人：深圳热电新能源科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了N型PbTe基多晶热电材料及其制备方法。该热电材料包括：硫元素和碘元素掺杂的PbTe基体；以及单质铅，所述单质铅与所述PbTe基体中的铅的摩尔比为(0.01～0.05)：1。该N型PbTe基多晶热电材料在400‑850K的温度范围内具有很好的稳定性和优异的热电性能，例如，该热电材料的功率因子可高达29μW/(cm K2)，热电优值在800K时可高达1.6，在400‑800K之间的平均热电优值可高达1.2，与P型PbTe基多晶热电材料的高热电优值区间相符合，从而使得该N型PbTe基多晶热电材料与P型PbTe热电材料组合形成的热电模块的性能更好。
pbte 基多热电材料及其制备方法

[发明专利]一种中温段热电材料及其制备方法-CN202010452940.X有效
发明人：姜晶;牛夷;杨铖铖;王超 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：该发明公开了一种中温段热电材料及其制备方法,涉及热电材料领域，具体涉及中温段热电材料及其制备方法。通过简单的机械合金法合成性能优异的中温段热电材料，该材料在573‑723K之间具有优异的热电性能，该材料在673K时ZT大于2，在723K时ZT高达2.5；该工艺简单，适合大规模生产；该温度段ZT值远高于同类S族化合物热电材料，并优于目前商业化的典型中温段热电材料PbTe。
一种中温段热电材料及其制备方法

[发明专利]一种Cu1.8S基多晶-非晶金属复合热电材料及其制备方法-CN202010064635.3有效
发明人：葛振华;张益欣;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种Cu1.8S基多晶‑非晶金属复合热电材料，包括基体相Cu1.8S和非晶第二相M，M为Fe基非晶金属，非晶第二相以纳米析出物的形式弥散分布在基体相Cu1.8S中；其制备方法包括以下步骤，将单质Cu粉体和单质S粉体利用球磨罐球磨，得到Cu1.8S粉体；再将Cu1.8S粉体与Fe基非晶金属粉体进行球磨，得到混合粉体，再将混合粉体进行烧结，得到块状的Cu1.8S基多晶‑非晶金属复合热电材料。本发明解决了现有的热电材料的热电性能不佳的问题。
一种 cu1 基多金属复合热电材料及其制备方法

[发明专利]一种p型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用-CN202111081747.0在审
发明人：苏紫珊;蔡新志;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型碲化铋基热电材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括如下步骤：(1)将原料Bi、Te和Sb按BixSb2‑xTe3，0.4≤x≤0.7配料加入玻璃管中抽真空；(2)将玻璃管放入摇摆炉中熔炼，然后将玻璃管取出竖直放置冷却，得到碲化铋基合金锭；(3)将碲化铋基合金锭放入气雾化设备中，将雾化室抽真空后通入雾化气体洗炉；(4)升温熔炼，待碲化铋基合金锭完全熔化成熔体，保温精炼至雾化温度，将喷嘴加热，启动雾化气体，达到气雾化压力时，开始进行雾化；(5)雾化结束后，冷却至室温得到所述p型碲化铋基热电材料。通过本发明所述方法制备的p型碲化铋基热电材料粒径小于10μm、球形度好可用于3D打印的碲化铋基热电材料，无需经过筛分，材料利用率高。
一种型碲化铋基热电材料及其制备方法应用

[发明专利]一种碲化铋基P型热电材料及其制备方法-CN201611000402.7有效
发明人：刘宏;王银峰;刘斌 -专利权人：苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化铋基P型热电材料(Bi1‑xSbx)2Te3的制备方法：将单质原料按(Bi1‑xSbx)2Te3，0.7≤x≤0.75，化学式含量称重；装入底部烧结较平的石英管中进行抽真空封管，装入电阻加热的摇摆炉，将石英管竖直放置，在780℃±10℃反应36至48h，反应中不定时的对炉体进行摇摆，反应结束将石英管放置到竖直位置，以3℃/h±1℃/h的速率降温至600℃±5℃，保温1‑2h后以1.5℃/h±0.3℃/h的速率降温到585℃±5℃，保温1‑1.5h后以3℃/h±0.5℃/h降温到550℃±3℃，在该温度退火48h，得到的P型热电材料的ZT值在360K时达到1.3。
一种碲化铋基热电材料及其制备方法

[发明专利]一种n型碲化锡热电材料及其制备方法-CN202110308534.0有效
发明人：赵立东;张潇;庞慧梅 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种n型碲化锡热电材料及其制备方法，所述制备方法包括：将Sn、Te、Pb和SnI2按摩尔配比为：(1‑x‑y)、(1‑2y)、x和y进行混合，得到混合物料；将所述混合物料放入石英管中，并进行抽真空处理；将装有混合物料的石英管置于热处理炉中进行合成反应，得到n型SnTe铸锭；将n型SnTe铸锭磨成粉末，并装入石墨模具中，将装有n型SnTe铸锭粉末的石墨模具放入烧结炉中进行烧结，得到n型SnTe样品。本发明通过引入Pb元素，使其完全固溶到SnTe基体中，从而弥补本征Sn空位，降低SnTe的空穴浓度，为实现SnTe的p型到n型的转变目的提供先决条件，同时，I取代Te元素，进行电子掺杂，进而成功合成n型SnTe热电材料。
一种型碲化锡热电材料及其制备方法

[发明专利]p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法-CN201811030998.4有效
发明人：刘少辉;王娇;丁俊;郝好山;赵利敏;夏思怡 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法，采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜，碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm，所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能，可用于便携式的无线传感器供电，集成电路芯片的制冷，发光二极管和光探测器的制冷等领域，具有简单易行、成本低、方便快速等优点，可规模化生产。
型碲化铅吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种铜基硫属化合物热电复合材料及其制备方法-CN202110886088.1在审
发明人：娄路遥;张益欣;杨添驭;葛振华;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种铜基硫属化合物热电复合材料及其制备方法。该材料的化学通式为Cu1.8S‑CuO，该材料包括主相Cu1.8S以及第二相CuO，第二相CuO均匀地分布在主相Cu1.8S中；还包括气孔，气孔亦均匀分布在主相Cu1.8S中。制备方法包括三个步骤，分别为Cu单质粉体和S单质粉体的固相烧结，得到Cu1.8S铸锭；Cu1.8S铸锭和碱式碳酸铜的球磨混合；Cu1.8S‑Cu2(OH)2CO3混合粉体的放电等离子烧结。本发明提供的材料服役稳定性强、热电性能优。
一种铜基硫属化合物热电复合材料及其制备方法