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[发明专利]用于热电发电器或珀尔帖装置的Pb－Ge－Te化合物-CN200480012736.5无效
发明人： H－J·施特策尔;K·屈林;M·G·卡迪纳齐迪斯;D－Y·钟 -专利权人：巴斯福股份公司;密执安州大学
申请日： 2004-04-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：一种由一般分子式(Pb_1－xGe_x)Te的三元化合物构成的热电活性p型或n型导电半导体材料，其中x从0.16至0.5取值，其中0至10重量％的所述三元化合物可由其它金属或金属化合物代替，其中所述半导体材料在25℃的温度下具有至少±200μV/K的塞贝克系数。
用于热电电器珀尔帖装置 pb ge te 化合物

[发明专利]Ag－Pb－Sb－Te热电材料及其制备方法-CN200510114218.0有效
发明人：李敬锋;王衡;木太拓志 -专利权人：清华大学;日本丰田汽车株式会社
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了属于新能源材料及其制备技术领域，涉及具有高温差电效应的热电半导体化合物的一种Ag－Pb－Sb－Te热电材料及其制备方法。本发明采用机械合金化(MA)结合放电等离子烧结(SPS)的方法制备PbTe系高性能热电材料，该材料组成以Ag_1－XPb_18+YSbTe₂₀表示，其中x表示Ag偏离等量取代的量，y表示原料粉末中超过计量比的Pb的量。与传统的粉末冶金工艺相比，本发明的MA+SPS工艺具有流程短，效率高，耗能少，适于工业化大规模生产等优点，所得到的温差电材料具有更加优异的热电性能。利用MA和SPS制备的Ag_1－XPb_18+YSbTe₂₀热电材料的无量纲优值ZT在450℃达到1.37。
ag pb sb te 热电材料及其制备方法

[发明专利]热电器件及其制造方法-CN97191237.8有效
发明人：佐藤岳彦;镰田策雄 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 1997-12-22 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：一种热电器件在Bi-Sb-Te或Bi-Te-Se的半导体基体与沉积其上的扩散阻挡层之间具有增强的附着强度，用于阻止焊接材料扩散进半导体基体。在半导体基体与Mo、W、Nb及Ni的扩散阻挡层之间形成一Sn合金层用于增强附着强度。通过锡与半导体的至少一种元素的相互扩散；从而在与半导体基体的界面处形成Sn合金。可以看出当Sn扩散半导体基体时不会降低其热电性能并提供与扩散阻挡层的金属元素的足够的附着强度。该热电器件是通过以下步骤制成的：a)制备具有相对面的热电半导体；b)在热电半导体的每个所述相对面上沉积一锡层；c)将Sn与热电半导体的至少一种元素相互扩散，从而在每个相对面上形成Sn合金层；d)在每个Sn合金层上沉积一Mo、W、Nb或Ni的扩散阻挡层。
热电器件及其制造方法

[发明专利]可劈裂晶化热电材料制的铸板及其工艺,铸板切成的板条-CN98800020.2无效
发明人：前川展辉;贝洛·梅西姆维基 -专利权人：松下电工株式会社;克莱思特有限公司
申请日： 1998-01-08 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：由可劈裂热电材料制成的铸板呈现一种具有劈裂面的层状结构，所有的劈裂面都被设置在相对于上、下表面呈一小劈裂角的方位上。该铸板能沿基本垂直于劈裂面的破裂面被成功地切割成板条而不会引起实质性内层破裂。电极在由破裂面构成的板条的相对侧上形成。板条的一个电极固定在一衬底上，并被切割成数个独立芯片。因为切割是沿也是基本垂直于板条的劈裂面的平面方向进行的，所以板条可被成功地切割成相应的芯片而不会引起任何实质性破裂。铸板由具有一模制空室和从空室延展至模内一远端的槽的造型模制成。在熔融的材料充满空室也充满槽内后，材料从槽的远端沿槽开始晶化并沿基本相同方向发展，从而使铸板形成层状结构。
劈裂热电材料及其工艺切成板条