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[发明专利]一种铜硒基高性能热电材料及其制备方法-CN201510058519.X有效
发明人：史迅;赵琨鹏;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜硒基高性能热电材料及其制备方法，所述铜硒基高性能热电材料的组成化学式为Cu2Se1‑xSX，其中0＜x≤0.16。本发明提供的材料能在一定程度上抑制铜的析出，从而降低体系的载流子浓度。
一种铜硒基高性能热电材料及其制备方法

[发明专利]复合掺Sr和Na的PbSe基热电材料及其制备方法-CN201510394036.7有效
发明人：骆军;陈晖;张继业;曾李骄开;张玉 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合掺Sr和Na的PbSe基热电材料及其制备方法，首先按照Pb0.98‑xSrxNa0.02Se的化学计量比称取Pb、Sr、Na和Se，混合后进行真空封管熔炼，完成物相的成相阶段。把热处理后的样品研磨并放入石墨模具中，采用快速热压烧结技术将粉末制成块状样品，即可得到Pb0.98‑xSrxNa0.02Se热电材料，本发明与传统的热压烧结相比，具有加热均匀，升温速度快，烧结时间短等优点，并且烧结样品的性能变化明显。在Sr和Na掺杂后大幅降低了材料的热导率、增大了Seebeck系数，得到了具有较高ZT值的热电材料。
热电材料制备复合热压烧结技术化学计量比热处理加热均匀块状样品热压烧结烧结样品石墨模具性能变化样品研磨烧结熔炼传统的热导率称取放入封管掺杂

[发明专利]一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料-CN201711194288.0在审
发明人：朱铁军;翟仁爽;吴业浩;赵新兵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于室温附近固态制冷和废热余热发电的P型碲化铋基热电材料，化学式组成为Bi2‑xSbxTe3‑ySey，其中0.1
碲化铋基热电材料多晶铸锭固态制冷余热发电废热制备化学式组成抽真空石英管熔炼称量取向热电装入密封切割生长

[发明专利]一种铁硫化合物热电材料的制备方法-CN201710007219.8有效
发明人：王超;牛夷;姜晶;陈乙德;夏峻峰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种低成本、易操作、安全性高的铁硫化合物热电材料的合成方法。该方法以简单硫盐和铁盐为原材料，在一定条件下进行水热反应，并对水热反应沉淀物进行反复清洗，真空干燥，得到二硫化亚铁粉末。然后通过严格控制退火条件得到不同物相及比例的铁硫化合物，最后进行热压烧结，即可得到铁硫化合物热电材料。该方法可以通过控制退火条件以获得不同物相和不同比例的铁硫化合物，从而改善材料的热电性能。目前，已成功制备出电导率高于文献值的铁硫化合物热电材料。
一种硫化热电材料制备方法

[发明专利]Cu2-CN201711233984.8在审
发明人：隋骁阳;詹宜泽 -专利权人：大连智讯科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供一种Cu2Se基热电材料及其制备方法。本发明Cu2Se基热电材料，Cu2Se衬底上生长了Bi2Te3/Sb2Te3掺杂量子点超晶格。所述Cu2Se基热电材料的制备方法包括以下步骤：在Cu2Se衬底上生长了Bi2Te3/Sb2Te3掺杂量子点超晶格。该材料可以有效地降低热导率，采用薄膜超晶格的方法提升材料性能。热电材料结构纳米化在超晶格、纳米线、量子点和薄膜体系中很有效，纳米结构材料的界面是降低晶格热导率的关键因素，退火可以提高纳米晶粒的不均匀性，从而增强声子散射降低热导率。
cu base sub

[发明专利]PbSnTe热电材料-CN201711233948.1在审
发明人：隋骁阳;詹宜泽 -专利权人：大连智讯科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供一种PbSnTe热电材料，将PbSnTe经高压注入多孔隙材料如阳极氧化铝或云母，形成纳米线。所述纳米线直径约5‑10nm，长度约8‑12。所述PbSnTe中掺杂有SiGe。该材料具有较高的ZT，研究发现用热电材料制成纳米线，使得ZT值难以提升这一困境,具有纳米结构的热电材料要比块材有更好的热电性质。采用本发明热电材料的热电制冷器件由于尺寸小、重量轻，制冷迅速、控制精度高、不污染环境等优点，在解决电子集成器件中“热点现象”上具有广泛的市场应用前。
pbsnte 热电材料

[发明专利]一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器-CN201610076294.5有效
发明人：董国义;王莲;闫国英;王淑芳 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜的光、热探测器。该探测器包括横向热电元件，在所述横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极作为电压信号的输出端，所述金属电极通过电极引线将横向热电元件的电压信号输出端与电压表输入端相连接；所述横向热电元件包括c轴倾斜的氧化物单晶基片及生长在所述氧化物单晶基片上c轴倾斜的掺杂铋铜硒氧薄膜，所述金属电极设置在所述掺杂铋铜硒氧薄膜的上表面；所述掺杂铋铜硒氧薄膜的化学式为Bi1‑xMxCuSeO，其中，M为Pb、Ba、Sr、Ca或Mg，0＜x＜0.2。本发明与基于本征铋铜硒氧薄膜探测器相比，可大幅提升探测灵敏度并缩短响应时间。
一种基于掺杂铋铜硒氧薄膜探测器

[发明专利]高效能钾掺杂碲化铅‑硫化铅合金热电材料及其制备方法-CN201410231522.2有效
发明人：何佳清;武海军 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了高效能钾掺杂碲化铅‑硫化铅合金热电材料及其制备方法，所述高效能钾掺杂碲化铅‑硫化铅合金热电材料具有如下式所示的组成KyPb1‑yTe1‑xSx，其中，0.1≤x≤0.9，0.005≤y≤0.05。本发明的高效能钾掺杂碲化铅‑硫化铅合金热电材料具有较高的塞贝克系数和电导率、非常低的热导率，因而，在300K到923K温度范围内具有非常高的热电性能优值和能量转换效率，其中，当x＝0.3，y＝0.025时，在673K至923K的较宽的温度范围内，热电性能优值(ZT)值均大于2，在300K到900K的温度梯度中，平均热电性能优值1.56，对应的能量转换效率达到20.7％。
高效能掺杂碲化铅硫化铅合金热电材料及其制备方法

[发明专利]热电材料以及包括其的热电元件、热电模块和热电装置-CN201310039686.0有效
发明人：安庆韩;金相壹;柳秉纪;李圭珩;黄成宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了热电材料以及包括该热电材料的热电元件、热电模块和热电装置。该热电材料通过替代或掺杂过渡金属而具有变形的电子态密度。由于具有电子态密度变形的热电材料的功率因素增大，该热电材料可以使用在各种领域诸如热电模块和热电装置中。
热电材料以及包括元件模块装置

[发明专利]热电元件-CN201380010723.3有效
发明人：格哈德·斯潘;阿尔韦德·西格洛赫;于尔根·哈费尔坎普;尼古拉·伊欧萨迪 -专利权人：欧-弗莱克斯科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高的热阻的热电元件，该热电元件相对于具有相同功率的传统的热电元件而言需要较少的半导体材料，该热电元件包括具有基底正面和与基底正面对置的基底背面的基底、作为层施布到基底正面上的第一接触部、作为层施布到基底正面上的第二接触部、第一与第二接触部之间的将第一和第二接触部彼此电分隔和热分隔的中断部以及具有通过侧向界定面彼此连接的上侧和下侧的热电作用层，其中，热电作用层以如下方式布置在中断部中，即，下侧平放在基底正面上，并且其中一个侧向界定面贴靠第一接触部并且其中一个侧向界定面贴靠第二接触部。此外，本发明还提供一种用于制造热电元件的方法。
热电元件

[发明专利]一种N型PbS热电材料的制备方法-CN201510287478.1有效
发明人：杜学丽;史荣娜 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型PbS热电材料的制备方法，将可溶性铅盐、可溶性硫源和可溶性施主掺杂离子溶于去离子水，混合均匀后倒入衬聚四氟乙烯的水热反应釜中，100‑140℃反应18‑24h；自然冷却至室温，抽滤洗涤，烘干；所得粉末冷等静压成型后在微波烧结炉内气体保护下400‑600℃烧结致密。该方法具有经济环保、能源利用率高、操作简便、工艺重复性和稳定性好等优点，可以获得细晶粒PbS块体材料，从而提高其热电性能。
一种 pbs 热电材料制备方法

[发明专利]一种Fe掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法-CN201710930222.7在审
发明人：樊希安;冯波;江程鹏;李光强;贺铸;李亚伟 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种Fe掺杂BiCuSeO热电材料及其制备方法。其技术方案是按照氧化铋粉∶铜粉∶硒粉∶铋粉∶铁粉的物质的量之比为1∶3∶3∶(1‑3y)∶3y配料，0.01≤3y＝x≤0.08，混匀，装入球磨罐中，在惰性气氛条件下球磨，制得单相FexBi1‑xCuSeO粉末，0.01≤x≤0.08。将所述单相FexBi1‑xCuSeO粉末装入模具，置于等离子体活化烧结炉内，同时匀速升温至500～700℃和匀速升压至30～100MPa，同时保温和保压，再同时匀速降温至常温和匀速降压至常压。取出烧结后的模具，脱模，即得Fe掺杂BiCuSeO热电材料。本发明工艺简单、生产周期短和生产效率高，所制备的制品纯度高、热导率低、电导率高、电传输性能好、功率因子高和无量纲热电优值ZT高。
一种 fe 掺杂 bicuseo 热电材料及其制备方法

[发明专利]成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置-CN201610539817.5在审
发明人：林宗宏;周庭楙;李璎纯;饶允婷 -专利权人：林宗宏
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明是提供成长碲及碲化物纳米线阵列的方法及碲及碲化物纳米线热电装置。碲及碲化物纳米线可表现出n‑型或p‑型热电特性。碲及碲化物纳米线热电装置包含有第一电极、于第一电极上所形成具热电特性的多个碲及碲化物纳米线阵列以及第二电极。另于碲及碲化物纳米线阵列及第二电极间可包含导电聚合物。借此，透过碲及碲化物纳米线热电材料的纳米尺度特性，可大幅提高热电转换效率。再者，此种热电装置不受大小规模限制，且具有轻薄体积以及可挠特性，具备在衣物、汽车、工厂废热等广大的应用性。
成长碲化物纳米阵列导电基材方法热电装置

[发明专利]一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法-CN201610070418.9有效
发明人：祖方遒;朱彬;吴展;张文进;王小宇;余愿 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法，其特征在于，将Bi，Te，Se颗粒按一定化学计量比配制母合金，并向所述母合金中加入0.3wt％KI，混合均匀,然后在950～1050℃下熔炼掺杂的母合金，随后浇铸到模具中冷却凝固，即得到高性能的BiTeSe基N型半导体块体热电材料。本发明首次将液液结构转变这个物理现象引入到热电材料制备领域，通过控制母系合金的熔体状态，直接操纵凝固组织，并结合KI掺杂，优化了BiTeSe基热电材料的性能。与现有方法相比，本发明在大幅度提升热电优值的基础上，具有清洁无污染，无需特种设备，操作简单，周期短，成本低等优点，特别适合于商业化大规模生产和应用。
一种提高 bitese 半导体热电材料性能方法

[发明专利]一种碲铋基热电材料的制备方法-CN201410528216.5有效
发明人：高远;朱刘;李坚;李德全;蒋和平 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲铋基热电材料的制备方法，包括将碲铋基晶体材料进行热压，得到碲铋基热电材料；所述碲铋基晶体材料具有Te3BixSb2‑x的通式，0.4≤x≤0.6；所述碲铋基晶体材料的晶粒尺寸为50微米～150微米；所述热压的温度为320℃～580℃，所述热压的保温时间为5分钟～180分钟。本发明提供了一种热压模具，包括上模头，模腔，下模头；所述上模头和下模头能够嵌入到所述模腔的内部；与所述模腔连接的冷却装置；设置在所述模腔上的加热装置。采用本发明提供的热压工艺对具有Te3BixSb2‑x通式的碲铋基晶体材料进行热压，制备得到的碲铋基热电材料同时具有较好的力学性能和热电性能。
一种碲铋基热电材料制备方法