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[发明专利]一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法-CN202310460205.7在审
发明人：李昕;杨迎香;胡龙;耿莉;杨向红;李明;文章;童仁皓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法，该光导开关包括SI‑GaAs衬底，SI‑GaAs衬底的两侧相对的表面均设有n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上设有欧姆金属电极，两处欧姆金属电极分别作为砷化镓光导开关的阳极和阴极，两处欧姆金属电极的表面均设有外接电极；SI‑GaAs衬底的表面设有钝化层，钝化层在欧姆金属电极正对的位置设有裸露区域，欧姆金属电极的表面钝化层的裸露区域处设有外接电极；欧姆金属电极包括依次堆叠设置的Pd层、Ge层、Ti层、Pt层和Au层，其中，Pd层设置于n+‑GaAs层的表面。本发明能够提高GaAs PCSS寿命和可靠性，能够解决现有GaAs PCSS由电极边缘电场集中、热累积引起电极烧蚀、脱落，最终导致器件失效的问题。
一种可靠性砷化镓光导开关及其制备方法

[发明专利]一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件-CN202010364664.1有效
发明人：王曦;蒲红斌;杨迎香;胡继超;张萌;钟艺文 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件，n型4H‑SiC衬底上表面依次设有缓冲层、漂移区及电流扩展层，电流扩展层中间隔嵌有p阱区，每个p阱区中嵌有一个n+源区，每个n+源区中嵌有一个p+接触区；相邻p阱区的上端面共同覆盖有一个栅氧化层，该栅氧化层同时覆盖在部分n+源区以及n+源区之间电流扩展层上表面，栅氧化层上表面设有多晶硅栅，栅氧化层和多晶硅栅的外表面共同包裹有隔离介质层；在p+接触区、n+源区以及隔离介质层之上共同覆盖有源极；n型4H‑SiC衬底下表面设有漏极；栅极覆盖于隔离介质层上表面并与多晶硅栅相连。本发明的结构，显著提升了SiC MOSFET器件的可靠性。
一种具有均匀二极管 sic mosfet 器件

[发明专利]鸟巢烷二萜类化合物用于制备治疗神经炎症的应用-CN202210050406.5在审
发明人：高锦明;杨迎香;曾一琴;魏景;曹琛彧 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： A61K31/11 文献下载
摘要：本发明公开了鸟巢烷二萜类化合物用于制备治疗神经炎症药物的应用，具体涉及7个鸟巢烷二萜类化合物能够显著抑制LPS诱导的BV‑2小胶质细胞NO的产生，其中化合物6的活性显著，能够抑制MAPK(ERK1/2和JNK)/NF‑κB信号通路来抑制下游炎症蛋白iNOS和COX‑2，通过逆转小胶质细胞M1/M2极化而发挥抗神经炎活性，具有治疗神经退行性疾病的应用前景。
鸟巢烷二萜类化合物用于制备治疗神经炎症应用

[发明专利]一种SiC沟槽MPS二极管及其制造方法-CN202010806648.3在审
发明人：王曦;杨迎香;蒲红斌;封先锋;陈春兰;许蓓 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC沟槽MPS二极管，包括衬底上表面向上依次外延有n型缓冲层、n型漂移区、p型轻掺杂区，p型轻掺杂区上表面靠近内侧设置有多个p型发射区；相邻p型发射区之间设置有矩形沟槽，每个矩形沟槽的底面均嵌入p型轻掺杂区中，矩形沟槽的底面、矩形沟槽的侧壁、p型发射区单元的上表面及p型发射区单元的四个侧面共同覆盖有一体连接的欧姆接触阳极，p型发射区与p型轻掺杂区靠近外侧边缘设置有终端台面；衬底下表面覆盖连接有欧姆接触阴极。本发明还公开了该种SiC沟槽MPS二极管的制造方法。本发明的SiC沟槽MPS二极管，终端保护效率更好、工艺鲁棒性更优；简化了制造工艺，节约了成本。
一种 sic 沟槽 mps 二极管及其制造方法

[发明专利]一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管-CN202010546031.2在审
发明人：王曦;张萌;蒲红斌;杨迎香;钟艺文 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，包括材料为n型SiC的衬底，衬底一面依次外延有缓冲层、漂移区、沟道扩展区，沟道扩展区上开设多个剖面呈矩形的阳极沟槽，每个阳极沟槽侧壁和底端均外延p+结区，沟道扩展区上最高面外延p型接触区，p+结区、p型接触区上覆盖连接欧姆接触阳极，衬底另一面覆盖连接欧姆接触阴极；本发明一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管通过在沟道区与阳极之间设置超薄p型接触区，避免了传统碳化硅单极二极管需要同时兼顾阳极与p型、n型碳化硅之间的接触问题，简化了电极制作工艺，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。
一种 sic 高压浪涌 pn 单极二极管