专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]硅基高效太阳能电池-CN201720682100.6有效
  • 吴波;秦崇德;周文远;方结彬 - 广东爱康太阳能科技有限公司
  • 2017-06-12 - 2018-04-13 - H01L31/0725
  • 本实用新型公开一种硅基高效太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,包括单晶硅P型电池、键合层和GaInP薄膜电池,所述GaInP薄膜电池通过键合层键合到单晶硅P型电池的正面;采用GaAs或Ge作为支撑衬底,通过MOCVD或MBE生长与GaAs晶格匹配的GaInP薄膜电池,键合到单晶硅P型电池上,剥离生长的GaInP薄膜电池,即得所述硅基高效太阳能电池。本实用新型通过点阵键合技术和隧道结技术可以实现多层电池的串联,从而通过提升电池开路电压来提升整个叠层电池的转换效率;且采用Si作为硅基电池的支撑基底大大提升了电池的机械性能。
  • 高效太阳能电池
  • [发明专利]一种太阳能电池制备方法-CN201710952196.8在审
  • 于天宝;王茜茜 - 南昌大学
  • 2017-10-13 - 2018-03-30 - H01L31/072
  • 本发明公开了一种太阳能电池制备方法,包括提供适用于制备太阳能电池的单晶硅片;将单晶硅片固定,在所述单晶硅片表面形成规则形状的阵列图形;将PEDOTPSS溶液与硅烷偶联剂进行混合得到混合溶液;将定量的混合溶液滴在阵列图形表面,旋涂均匀之后进行退火处理;进一步将定量的PEDOTPSS溶液滴在阵列图形表面,旋涂均匀之后进行退火处理;制备电极,完成太阳能电池的制备。其在单晶硅片表面制备正金字塔状的阵列图形,减少其表面缺陷,降低高宽比,便于后续PEDOTPSS溶液的包覆。
  • 一种太阳能电池制备方法
  • [发明专利]聚光型光电转换装置及其制造方法-CN201510082243.9有效
  • 后藤涉;塩原利夫 - 信越化学工业株式会社
  • 2015-02-15 - 2018-03-23 - H01L31/0725
  • 本发明的目的在于提供一种聚光型光电转换装置,无需重新进行带隙设计,使用非太阳能电池制造商也能够获得的既有的太阳能电池,可以容易地制造,散热设计容易,即便提高聚光倍率也能够抑制转换效率下降。本发明提供了一种聚光型光电转换装置,具备聚光镜;及,光电转换元件,其设置于与聚光镜相对向的位置,其特征在于,光电转换元件具有散射光用太阳能电池;绝缘层,其设置于散射光用太阳能电池的聚光镜侧表面上;电极层,其设置于绝缘层上;及,聚光用太阳能电池,其设置于电极层,与电极层电性连接;并且,聚光镜由透明热固性树脂所构成,光电转换元件载置于外部连接基板上,散射光用太阳能电池与聚光用太阳能电池电性分离。
  • 聚光光电转换装置及其制造方法
  • [发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510212562.7有效
  • 薛黎明;杨武保 - 中海阳能源集团股份有限公司
  • 2015-04-30 - 2018-03-02 - H01L31/072
  • 本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及其制备方法。一种高效异质结太阳能电池,其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区,所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层,所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层,在所述非晶硅层上,夹杂有热处理硅区。所述热处理硅区为薄片状,在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形。本发明还公开了该高效异质结太阳能电池的制备方法。本发明的高效异质结太阳能光伏电池,消除非晶硅的衰减,消除非晶硅中光生载流子的无效复合,大幅度提高光伏效率。
  • 一种高效异质结太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]全背型异质结太阳电池及其制备方法-CN201610028152.1有效
  • 包健;王栋良;舒欣;陈奕峰;杨阳;张学玲 - 常州天合光能有限公司
  • 2016-01-16 - 2018-02-02 - H01L31/072
  • 本发明公开了一种全背型异质结太阳电池,包括硅基体层,其特征在于在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层,在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层,在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层,P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上设置有电极,所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm,宽度为100‑1000μm,N型非晶硅层的厚度为5‑20nm,宽度为100‑1000μm,相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm,在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本发明还公开了一种全背型异质结太阳电池的制备方法。本发明可防止漏电流的产生,提升太阳电池的开路电压。
  • 接触异质结太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]多结太阳能电池外延结构-CN201410360867.8有效
  • 李华;颜建;吴文俊;王伟明;杨军 - 江苏宜兴德融科技有限公司
  • 2014-07-25 - 2017-12-19 - H01L31/0725
  • 公开了一种多结太阳能电池外延结构,包括下层子电池;缓冲层;和上层子电池,所述上层子电池的晶格常数与下层子电池的晶格常数不匹配,并且所述上层子电池以所述下层子电池为基底进行生长;其中,缓冲层位于下层子电池和上层子电池之间,被配置用于减小由下层子电池和上层子电池之间的晶格失配引起的缺陷;其中,所述缓冲层包括靠近下层子电池设置的反向缓冲区,所述反向缓冲区的晶格常数与下层子电池的晶格常数相匹配。本发明的多结太阳能电池外延结构能够减小在多结太阳能电池中由于上下层子电池之间晶格不匹配引起的在下层子电池中的缺陷,从而提高整个电池的效率。
  • 太阳能电池外延结构
  • [实用新型]GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池-CN201621473395.8有效
  • 尹晓雪 - 西安科锐盛创新科技有限公司
  • 2016-12-30 - 2017-11-17 - H01L31/0725
  • 本实用新型涉及一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池,所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池包括Si衬底层,依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层、接触层、减反膜,其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。本实用新型实施例采用LRC工艺制备GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池,采用LRC技术制备的Ge晶体制备Ge外延层,可以制备出很薄的Ge外延层,并且质量较高、热预算低。且LRC使Ge横向结晶生长,从而减少由于晶格失配引起的位错,制备出具有品质优良的Ge/Si衬底的GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池。
  • gainp2gaasge太阳能电池

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