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[发明专利]用于能量流优化分布的溅射装置和方法-CN201680066326.1有效
发明人：西格弗里德·克拉斯尼策;丹尼尔·伦迪;徳尼斯·库拉珀夫 -专利权人：欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明涉及溅射装置、真空涂覆设备和执行HiPIMS涂覆方法的方法，其中，该溅射装置具有至少两种不同的布线连接可能性，其中，通过切换至第二种布线连接可能性，在两个子溅射装置中同时以高功率脉冲运行，获得生产能力提高。
用于能量优化分布溅射装置方法

[发明专利]物理气相沉积的腔室内电磁铁-CN201980024765.X在审
发明人：布赖恩·T·韦斯特;迈克尔·S·考克斯;米罗斯拉夫·盖洛;丁克什·索曼纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：物理气相沉积(PVD)腔室沉积具有高厚度均匀性的膜。PVD腔室包括电磁线圈，当用直流电力通电时，所述线圈可改变PVD腔室的处理区域的边缘部分中的等离子体。线圈设置在PVD腔室的真空容纳部分内并且位于PVD腔室的处理区域外部。
物理沉积室内电磁铁

[发明专利]具有增强靶材冷却设置的磁电管-CN201880078602.5在审
发明人： V·法恩;W·R·乔安森;K·N·萨万戴安 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本文提供磁电管组件以及并有该磁电管组件的处理系统的实施例。一些实施例中，一种磁电管组件包括：可旋转磁体组件，耦接至主体的底部且具有彼此间隔开的多个磁体；以及包覆主体，设置在该多个磁体之间的空间中。一些实施例中，该磁电管组件进一步包括主体，该主体沿着该磁电管组件的中心轴延伸且具有冷却剂馈通通道，以将冷却剂提供至该主体下方的区域。
具有增强冷却设置磁电

[发明专利]成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法-CN201911115834.6在审
发明人：菅原洋纪;松本行生;高桥悌二 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下也能抑制溅射的品质下降的技术。使用的成膜装置具有：在内部配置有成膜对象物及靶的腔室、以及使从靶产生溅射粒子的溅射区域在腔室内移动的移动机构，通过移动机构使溅射区域移动并使溅射粒子堆积于成膜对象物而进行成膜，其中，移动机构根据溅射区域附近的压力，使溅射区域与成膜对象物之间的距离变化。
装置方法电子器件制造

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法-CN201911124068.X在审
发明人：菅原洋纪;松本行生 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。在腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下，用于抑制由气体压力的不均匀引起的溅射的品质降低。成膜装置具有：在内部配置成膜对象物以及靶的腔室、使从靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动的移动机构、设置于腔室的多个排气口、以及对来自多个排气口的每一个排气口的排气量进行调节的排气量调节机构，利用移动机构使溅射区域移动并且使溅射粒子堆积于成膜对象物而成膜，排气量调节机构根据腔室内的溅射区域的位置对来自多个排气口的每一个排气口的排气量进行调节。
装置方法以及电子器件制造

[发明专利]磁控溅射装置的磁体集合体-CN201980005902.5在审
发明人：金正健;苏秉镐;高武昔;卞东范 -专利权人： ULVAC韩国股份有限公司
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：根据一实施例的磁控溅射装置的磁体集合体，其包括：磁轭；电磁体，配置在所述磁轭上，在垂直于所述磁轭的方向上具有不同的磁极；以及永久磁体，以与所述电磁体分隔的方式配置在所述磁轭上，并且，围绕所述电磁体的至少一部分。
磁控溅射装置磁体集合体

[发明专利]一种腔室和半导体设备-CN201611153582.2有效
发明人：张超;耿波;邱国庆;彭文芳;邓玉春 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括环绕基座外周壁设置的导通装置，并且基座外周壁接地。在工艺时，基座带动导通装置上升，当基座顶起遮蔽环时，遮蔽环与屏蔽环之间形成间隙，导通装置将屏蔽环与基座外周壁进行电连接导通。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过导通装置使得工艺时产生等离子的区域和基座下方腔室被接地回路完全阻隔，阻止了甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露至基座下方，防止了基座下方启辉。
一种半导体设备

[发明专利]管靶-CN201680026293.8有效
发明人：安德烈·德龙豪弗;克里斯汀·林克;伊丽莎白·艾登伯格 -专利权人：攀时奥地利公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：用于阴极溅镀设备的标靶(1a至1d)，具有来自一溅镀材料的管状标靶主体(2a至2d)；以及至少一连接件(6a至6d)，其连接至该标靶主体(2a至2d)并自该标靶主体突出，用以将该标靶主体(2a至2d)连接至一阴极溅镀设备，其中该标靶主体(2a至2d)以一真空密闭及防止扭转的方式连接至该至少一连接件(6a至6d)，特征在于至少一阻尼元件(4a至4d')被配置于该至少一连接件(6a至6d)与该标靶主体(2a至2d)之间。
管靶

[发明专利]用于管靶的连接件-CN201680026248.2有效
发明人：安德烈·德龙豪弗;克里斯汀·林克 -专利权人：攀时奥地利公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于管状标靶的连接件，该连接件具有一圆柱形内侧面和一圆柱形外侧面以及至少一磁性插件，其中该磁性插件的位置能够沿着该连接件的轴线方向在该连接件的至少一内侧面或外侧面上改变。
用于连接

[发明专利]一种腔室和半导体设备-CN201611153550.2有效
发明人：邓玉春;彭文芳;邱国庆;耿波;张超;陈鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括屏蔽装置，其中，屏蔽装置环绕基座设置、且位于屏蔽环下方，用于密封屏蔽环和遮蔽环之间的间隙，间隙在基座上升顶起遮蔽环后形成。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过屏蔽装置阻止了在工艺时甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露，防止了基座下方启辉，在不同靶基距进行工艺时充分利用了甚高频，提高了溅射薄膜的质量。
一种半导体设备

[发明专利]一种晶圆打点设备-CN201910998751.X在审
发明人：谭燕玲 -专利权人：谭燕玲
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆打点设备，其结构包括：机体、反应箱体、输送辊筒、动力轴、底脚，所述机体顶部位置设有反应箱体，本发明的有益效果：通过在结构上设有反应箱体来解决这个问题，利用反应箱体中的电场装置改变电子的物理性质，通过带动分子急速变化与粒子频率实现同步，同时借助粒子挡板独特的空心三角锥构造避免粒子弹起后撞到粒子挡板后再次下落对圆晶产生二次溅镀作用，并且配有粒子吸收器加速吸收反弹的粒子，最大化程度减少粒子对圆晶产生的二次不良反应影响。
反应箱体粒子挡板空心三角锥打点设备电场装置机体顶部急速变化粒子频率粒子吸收输送辊筒物理性质弹起动力轴最大化底脚溅镀种晶反弹吸收

[发明专利]反应腔室以及半导体加工设备-CN201610653139.5有效
发明人：郭浩;郑金果;赵梦欣;侯珏;陈鹏;杨敬山;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室以及半导体加工设备，其包括基座、基座升降机构、压环、预沉积内衬组件和接地机构，其中，基座用于承载晶片；基座升降机构用于驱动基座上升或下降；压环用于在基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且压环在基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与基座相分离；预沉积内衬组件环绕设置在基座和压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子沉积到反应腔室的底部；接地机构用于分别将预沉积内衬组件和基座接地。本发明提供的反应腔室，其可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。
反应以及半导体加工设备

[实用新型]反应腔室及半导体加工设备-CN201821792352.5有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种反应腔室，包括：基座，用于承载待加工工件；靶材，设置在所述反应腔的上部空间中；以及准直器，设置在所述靶材以下、所述待加工工件以上的空间中，以提高所述待加工工件深孔底部的覆盖率以及深孔侧壁覆盖率的对称性。本实用新型还提供了一种半导体加工设备。
待加工工件半导体加工设备本实用新型反应腔室靶材深孔覆盖率上部空间反应腔准直器侧壁承载

[发明专利]用于高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)的功率输送-CN201780064294.6在审
发明人：维加斯拉夫·巴巴扬;阿道夫·米勒·艾伦;迈克尔·斯托威尔;华忠强;卡尔·R·约翰逊;凡妮莎·法恩;刘菁菁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线，所述远程设置的高电压源产生高电压信号，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置，所述第一屏蔽缆线将高电压信号从远程设置的高电压源输送至脉冲发生器来加以脉冲，所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从脉冲发生器输送至处理腔室。一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：在远离处理腔室的位置处产生高电压信号，将高电压信号输送到相对更靠近处理腔室的位置来加以脉冲，对所输送的高电压信号加以脉冲，和将脉冲高电压信号输送到处理腔室。
处理腔室高电压信号脉冲发生器脉冲高电压高电压源屏蔽缆线远程设置脉冲高功率脉冲磁控溅射功率输送信号输送位置处

[发明专利]用于溅射沉积源和磁控溅射沉积源的磁体布置-CN201680090026.7在审
发明人：安德烈亚斯·勒普;马库斯·哈尼卡;朴炫灿;安德烈亚斯·克洛佩尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于溅射沉积源的磁体布置(100)。所述磁体布置包括第一磁体(110)和第二磁体(120)，所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中；和包含可磁化材料的至少一个场影响元件(115)，所述至少一个场影响元件(115)适于实现所述等离子体限制区域朝向所述至少一个场影响元件的局部位移。根据第二方面，提供了一种具有磁体布置的磁控溅射沉积源(400)和一种使用包括磁体布置的磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法。
磁体布置等离子体磁控溅射沉积影响元件溅射沉积限制区域可磁化材料局部位移沉积膜基板