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[发明专利]根据芯片温度调节其编程步长电压的闪存存储芯片-CN202011451466.5在审
发明人： A·哈兹吉;P·卡拉瓦德;R·S·谢诺伊;H-Y·常 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：描述了一种方法。该方法包括在闪存存储芯片上执行以下操作：测量闪存存储芯片的温度；以及，因为闪存存储芯片的温度已经改变，所以改变闪存存储芯片的编程步长电压。
根据芯片温度调节编程步长电压闪存存储

[发明专利]将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置-CN201910955359.7有效
发明人：林璟辉;杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置，所述方法包含有：于第n次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n数据位的一数据极性；依据所述第n数据位的所述数据极性来决定是否对所述闪存单元的一浮栅注入一第n电荷量；于第n+1次写入所述闪存单元时，判断要被写入所述闪存单元的一第n+1数据位的所述数据极性；以及依据所述第n+1数据位的所述数据极性来决定是否对所述闪存单元的所述浮栅注入一第n+1电荷量；其中所述第n+1电荷量不同于所述第n电荷量，以及n为不小于1的正整数。本发明可大幅减少实体存储器分页在数据写入的过程中电荷抹除的次数，进而提高了实体存储器分页的数据写入速度以及使用寿命。
数据写入闪存单元方法以及控制装置

[发明专利]一种对多区块同时编程的方法装置、电子设备及存储介质-CN202110728045.0在审
发明人：陈慧;王潇潇 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种对多区块同时编程的方法、装置、电子设备及存储介质，其技术方案要点是：包括：根据用户发送的多区块编程指令对相应的多区块同时执行编程操作；对执行完编程操作的对应的所述多区块分别执行单独连续的编程校验操作，并根据编程校验结果选择继续执行编程操作直至所述多区块全部通过编程校验。本申请提供的一种对多区块同时编程的方法装置、电子设备及存储介质具有提高整体编程效率的优点。
一种区块同时编程方法装置电子设备存储介质

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202010959302.7在审
发明人：蔡洙悦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。本文可以提供一种存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，外围电路，其被配置为将多个存储器单元编程到多个编程状态，以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得与多个编程状态相对应的编程操作被执行，其中控制逻辑控制外围电路，使得在针对多个编程状态中的目标编程状态的编程操作期间，要被编程到与目标编程状态相比紧邻更高的编程状态的存储器单元被编程到目标编程状态。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置-CN202011098163.X在审
发明人：朴康愚;蔡洙悦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本技术涉及一种页缓冲器和包括页缓冲器的半导体存储器装置。页缓冲器包括：第一锁存电路，其被配置为存储与第一编程状态和第二编程状态中的一个编程状态相对应的数据；位线控制器，其被连接至存储器块的位线，并且在编程验证操作中的位线预充电操作期间，通过根据存储在第一锁存电路中的数据向位线施加第一设置电压和第二设置电压中的一个设置电压，对位线进行预充电；以及第二锁存电路，通过主感测节点连接至位线控制器，并且被配置为在编程验证操作期间根据主感测节点的电位水平感测第一验证数据。
缓冲器具有半导体存储器装置

[发明专利]一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端-CN202110558508.3在审
发明人：徐明揆;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端，读取一定长度编程数据，判断芯片内与该编程数据对应地址中需要编程的地址数量，若地址数量足够，编程模块发送一次编程脉冲，位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流；若地址数量不足，则再读取一定长度编程数据，直至芯片内与读取的实际编程数据对应的地址中需要编程的地址数足够，且读取的实际编程数据长度不大于芯片最大编程长度，编程模块才会发送一次编程脉冲，位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流，这样可减小位线电荷泵功耗；而且位线电荷泵分为多个驱动电流能力较小的位线电荷泵单元，根据每次需要编程的地址个数控制位线电荷泵单元启闭数量，以减少输出波纹和进一步减小能耗。
一种降低编程功耗方法装置存储介质终端

[发明专利]一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110672609.3在审
发明人：王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端，每次读取至少一个锁存器内缓存编程数据，将芯片内与编程数据对应的地址中需要编程的数据位数与编程带宽比较，若小于编程带宽，将对芯片内对应的地址执行一次编程，而不管这些缓存数据中需要编程的地址的分布是集中还是分散，极大缩短整个编程时间，提升编程效率的效果明显；若大于编程带宽，则将编程数据按照编程带宽分成多段，根据分段逐一对芯片内对应的地址执行编程；因为芯片的编程能力只是受限于每次执行编程时实际需要编程的数据位数而不是每次执行编程时跨越的数据位数，只要每次执行编程时实际需要编程地址的位数在编程带宽内即可，既保证芯片编程正常进行，还提高编程效率。
一种提高编程效率方法装置存储介质终端

[发明专利]Nor Flash编程方法、建模方法及存算一体芯片-CN201910407917.6有效
发明人：王绍迪 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种Nor Flash编程方法、建模方法及存算一体芯片，该方法包括：判断该闪存单元的目标电流与所述当前电流的差值的绝对值是否大于预设阈值；若是，判断所述当前电流是否大于所述目标电流；若所述当前电流大于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及写入电压模型得到写入电压，并控制编程电路将所述写入电压施加至该闪存单元；若所述当前电流小于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及擦除电压模型得到擦除电压，并控制编程电路将所述擦除电压施加至该闪存单元，即：利用写入电压模型或擦除电压模型直接获取到写入电压或擦除电压，省去了更新‑校验的反复迭代过程。
nor flash 编程方法建模一体芯片

[发明专利]组合QLC编程方法-CN202010564338.5在审
发明人： S·A·戈洛贝茨;A·D·班纳特;R·R·琼斯 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明题为“组合QLC编程方法”。本公开总体涉及改进的模糊‑精细编程。要写入的数据在写入到SLC之前最初经过编码器。当正将数据写入SLC时，数据还在通过编码器之前经过DRAM以准备精细写入。要存储在SLC中的数据位于存储器设备中的锁存器中，并且然后作为模糊写入而写入到MLC。之后，将已经过编码器的数据精细写入到MLC。编程以交错方式发生，其中SLC：模糊写入：精细写入的比为4:1:1。为了确保足够的XOR上下文管理，跨多个管芯以及跨多个超级设备的编程交错进行，使得跨64个管芯仅需要四个XOR奇偶上下文。
组合 qlc 编程方法

[发明专利]半导体装置-CN201780004306.6有效
发明人：赤羽正志 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明抑制电路规模的增大。半导体装置(1)具备控制电路(1a、1b)和存储器(1c)。另外，在半导体装置(1)连接有外部元件(2)。控制电路(1a)包括监测部(1a‑1)和调节器(1a‑2)。监测部(1a‑1)接收将具有多个不同的电压电平的脉冲信号重叠于电源电压而成的电压信号，监测电压信号的电平并输出监测结果。调节器(1a‑2)生成内部电压。存储器(1c)接收内部电压，在用于进行电气特性值的调整的修正中使用。控制电路(1b)接收内部电压，基于监测结果，由脉冲信号再生时钟和数据，使用时钟和数据对存储器(1c)进行修正。
半导体装置

[发明专利]存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN201911165528.3有效
发明人：许锋;李达;王明;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，存储器编程方法包括：1)采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程，编程状态越低对应的有效初始编程电压越小；2)验证各存储单元是否完成编程，并对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程，同一次编程中编程状态越低对应的有效编程电压越小，所以我们可以在编程时，对不同的编程态采用不同的有效编程电压。本发明对于较低编程态，使用较低编程电压，避免过编程现象；对于较高编程态，使用较高有效编程电压，可以减少编程脉冲个数，降低编程时间，芯片写入速度更快。
存储器编程方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]存储器电路及其操作方法-CN202110620357.X在审
发明人：张盟昇;黄家恩;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及存储器电路及其操作方法。存储器电路包括第一编程器件、第一电路分支和第二电路分支。第一编程器件包括耦接到第一字线的第一控制端子以及第一连接端。第一电路分支包括第一二极管以及耦接到第一二极管的第一熔丝元件。第二电路分支包括第二二极管以及耦接到第二二极管的第二熔丝元件。第一电路分支和第二电路分支耦接到第一编程器件的第一连接端。
存储器电路及其操作方法

[发明专利]统一存储介质的编程方法及其装置-CN202010157673.3在审
发明人：孙明浩;王晨阳 -专利权人：北京忆芯科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了统一存储介质的编程方法及其装置。所提供的处理存储命令的方法，包括：根据IO命令生成一个或多个存储命令，其中IO命令访问逻辑地址，存储命令访问统一介质地址；根据访问统一介质地址的存储命令生成一个或多个访问物理地址的存储命令；根据指示了物理地址的存储命令生成操作存储介质的存储介质访问命令。
统一存储介质编程方法及其装置

[发明专利]电子控制装置以及程序更新方法-CN202080011242.4在审
发明人：巽基树;前田真由美;新井敏央 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：电子控制装置在非易失性存储器中确保了能够排他性地切换激活状态和非激活状态的两个存储区域，该电子控制装置在激活状态的存储区域中写入了程序的状态下，响应于来自外部的指示，在非激活状态的存储区域中写入程序来进行更新，将激活状态的存储区域切换为非激活状态，将非激活状态的存储区域切换为激活状态。然后，在激活状态的存储区域中写入的程序与在非激活状态的存储区域中写入的程序不同的情况下，电子控制装置将被切换为激活状态的存储区域中写入的程序复制到非激活状态的存储区域中。
电子控制装置以及程序更新方法

[发明专利]一种闪存存储器及其编程方法、编程系统和存储器系统-CN201910891635.8有效
发明人：盛悦;李跃平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储器及其编程方法、编程系统和存储器系统，包括：获得与存储单元对应的第一电压区间；将存储单元的电压提升到对应的第一电压区间内；获得2N‑1个第一电压区间及其对应的第二编程数据；根据第三编程数据、第二编程数据获得与存储单元对应的第二电压区间，第二电压区间组包括2N个第二电压区间；将存储单元的电压提升到对应的第二电压区间内。由于第i个第二电压区间与第i个第一电压区间相同，第i个第一电压区间与第i+1个第一电压区间阈值的差值小于第一预设值，第i+1个第一电压区间与第i+2个第一电压区间阈值的差值大于第二预设值，因此，可以在保证数据准确性的基础上，保证存储器以及系统的数据处理能力。
一种闪存存储器及其编程方法系统